一种高品质晶体培植类关键工艺环境振动控制技术分析方法技术

本发明专利技术提供了一种高品质晶体培植类关键工艺环境振动控制技术分析方法，包括：针对高品质晶体培植关键生产工艺开展内部及外部环境振动测试并对测试数据进行归类整理，为精细化数值仿真分析提供数据支撑，为主动控制系统及工艺技术分析标准提供关键控制变量；进行前馈伺服主动控制系统设计，形成伺服前馈响应智能振动控制装置的解决方案；基于工艺环境振动控制技术分析标准判别减隔振系统是否达到工艺设计、生产要求，并优化伺服前馈响应智能振动控制装置的解决方案的性能。形成一套高品质培植类关键工艺环境振动控制技术分析标准，获得关键工艺内外部振源影响的分析技术和晶体生长基本规律及振动影响机理，并设计了智能化主动型伺服系统。主动型伺服系统。主动型伺服系统。

【技术实现步骤摘要】
一种高品质晶体培植类关键工艺环境振动控制技术分析方法


[0001]本专利技术属于并应用于晶体培植类相关领域振动及减振
，特别是一种高品质晶体培植类关键工艺环境振动控制技术分析方法。

技术介绍

[0002]目前，我国对于高品质晶体配置类关键工艺环境振动控制问题尚无一套完整有效的快速分析技术。国内习惯于采用大体积基础进行振动控制，但并不能保证高品质晶体培植的良品率。在环境振动日趋复杂、关键工艺振动要求日趋苛刻的条件下，工程经验类比法不能准确反映实际工程情况，而数值仿真分析和大规模计算不但耗时较长，而且无法快速准确的评估环境振动影响。此外，高端振动控制装置依赖于国外进口，价格昂贵且局限性大，而军用设施相关部分技术封锁严重，严重制约了晶体培植类相关领域的技术进步和产业升级。总结之，传统评估方法具有以下缺陷：
[0003](1)成本高、浪费资源。国内设计单位习惯采用大体积基础，此类基础振动控制效果有限，对晶体提炼度存在潜在影响。晶体培植设备造价十分昂贵，基础投资成本高。受振动影响，晶元母体在熔化和再结晶的培植反复过程中，易出现裂纹、包裹体和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高品质晶体培植类关键工艺环境振动控制技术分析方法，其特征在于包括：步骤1，针对高品质晶体培植关键生产工艺开展内部及外部环境振动测试并对测试数据进行归类整理，所述测试数据为精细化数值仿真分析提供数据支撑，为主动控制系统及工艺技术分析标准提供关键控制变量；步骤2，进行前馈伺服主动控制系统设计，形成伺服前馈响应智能振动控制装置的解决方案；步骤3，基于工艺环境振动控制技术分析标准判别减隔振系统是否达到工艺设计、生产要求，并优化所述伺服前馈响应智能振动控制装置的解决方案的性能。2.根据权利要求1所述的一种高品质晶体培植类关键工艺环境振动控制技术分析方法，其特征在于所述步骤2包括：步骤21，对晶培过程中晶体生长基本规律三相区发展模式及微振动对结晶固液界面的影响机理进行分析，结合多物理场叠加影响，完成晶培多场耦合模型模拟；步骤22，通过对培植系统内外部振源特性开展研究，结合主动伺服控制装置模型及前馈响应系统设计，设计智能前馈振动控制系统；步骤23，融合了晶体培植过程的所述晶培多场耦合模型模拟以及智能前馈振动控制系统设计，形成伺服前馈响应智能振动控制装置的解决方案。3.根据权利要求2所述的一种高品质晶体培植类关键工艺环境振动控制技术分析方法，其特征在于所述步骤21所述多物理场包括温度场、应力场和/或湿度场。4.根据权利要求1所述的一种高品质晶体培植类关键工艺环境振动控制技术分析方法，其特征在于所述步骤3包括：步骤31，基于指控系统性能优化的要求制定解决方案；步骤32，根据当前生产类型的有...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡明祎，黄伟，杜林林，郭金涛，许岩，
申请(专利权)人：国机集团科学技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：