【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有溅射/喷涂的吸收材料和/或在模制化合物中混合的吸收材料的低频屏蔽解决方案
[0001]本申请的实施例涉及多部件微电子器件以及减轻其中的电磁串扰的结构和方法。
技术介绍
[0002]现代电子设备可以包括容纳多个部件的模块或封装，例如，功率放大器、低噪声放大器、压控振荡器、开关、滤波器以及利用交流电操作的其他部件。市场力继续要求电子设备具有越来越小的外形尺寸、更轻和更便宜的，但具有更大功能性的电子设备，例如，在电子通信设备中支持多个频带的能力。因此，随着每个新产品的换代，许多电子设备中的电路密度继续变得更大。在共同电子器件模块中的各部件之间或电子器件模块中的部件与外部源之间的电磁干扰(Electromagnetic interference，EMI)或串扰可能会降低整体性能或引起电子设备的故障。
技术实现思路
[0003]根据一个方面，提供了一种电子器件。所述电子器件包括：电磁干扰屏蔽件，其包括导电材料层，所述导电材料层覆盖所述电子器件的至少一部分并且对于具有在千赫兹范围内的频率的电磁信号具有小于2μm的趋肤...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子器件，包括：电磁干扰屏蔽件，其包括导电材料层，所述导电材料层覆盖所述电子器件的至少一部分并且对于具有在千赫兹范围内的频率的电磁信号具有小于2μm的趋肤深度。2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述电子器件被覆盖在模制材料中，并且所述电磁干扰屏蔽件设置在所述模制材料上。3.根据权利要求2所述的电子器件，其中，所述模制材料包括阻碍电磁信号的传播的填充材料。4.根据权利要求3所述的电子器件，其中，所述填充材料对于具有在千赫兹范围内的频率的电磁信号具有小于2μm的趋肤深度。5.根据权利要求3所述的电子器件，其中，所述填充材料包括磁性陶瓷铁氧体。6.根据权利要求3所述的电子器件，其中，所述填充材料包括含铁合金。7.根据权利要求3所述的电子器件，其中，所述填充材料是非导电的。8.根据权利要求3所述的电子器件，其中，所述填充材料包括由非导电材料包围的导电颗粒。9.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述电子器件的部件配置为在赫兹范围、千赫兹范围或兆赫兹范围中的一个或多个内的频率处发射电磁信号。10.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述导电材料层包括磁性陶瓷铁氧体。11.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述导电材料层包括含铁合金。12.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述导电材料层具有小于30μm的厚度。13.根据权利要求12所述的电子器件，其中，所述导电材料层具有小于20μm的厚度。14.根据权利要求1所述的电子器件，还包括射频滤波器。15.一种电子模块，包括权利要求14的所述电子器件。16.一种电子器件，包括：模制材料，其覆盖所述电子器件的至少一部分并且包括填充材料，所述填充材料对于具有在千赫兹范围内的频率的电磁信号具有小于2μm的趋肤深度。17.根据权利要求16所述的电子器件，其中，所述填充材料包括磁性陶瓷铁氧体。...
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