一种锗晶体生长设备自动加料装置制造方法及图纸

技术编号:29030707 阅读:16 留言:0更新日期:2021-06-26 05:35
本实用新型专利技术公开了一种锗晶体生长设备自动加料装置,包括底座,底座上嵌入固定安装有第一气缸,第一气缸的输出端固定安装有L形连接杆,底座上且远离第一气缸的一侧嵌入固定安装有第二气缸,第二气缸的输出端固定安装有升降机构,升降机构远离第二气缸输出端的一端固定安装有储料机构,储料机构的顶端与L形连接杆固定连接,底座上且靠近储料机构的一端固定安装有限位圈,储料机构远离L形连接杆的一端插入限位圈内,储料机构的底端固定安装有加料管,加料管的底端固定安装有注料嘴,本实用新型专利技术一种锗晶体生长设备自动加料装置,本加料装置通过注料嘴对液相锗进行分流处理,减小其对培养液产生的冲击,大大提高了锗晶体生长环境的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种锗晶体生长设备自动加料装置
本技术涉及一种加料装置,特别涉及一种锗晶体生长设备自动加料装置,属于锗晶体生长

技术介绍
锗是银白色类金属,具有半导体性质,如高电子迁移率和高空穴迁移率等,晶胞为面心立方晶胞,每个晶胞含有四个金属原子,据X射线研究证明,锗晶体里的原子排列与金刚石差不多,结构决定性能,所以锗与金刚石一样硬而且脆,锗晶体生长是采用水热法将液相锗注入培养液中,让其生长形成人工水晶,是由液相转变成固相时形成晶体的过程。传统的锗晶体生长设备自动加料装置在实际的使用过程中,采用固定式加料结构,而且未对液相锗进行分流注入,易造成培养液产生波动,大大降低了锗晶体生长环境的稳定性,对此,需要设计一种锗晶体生长设备自动加料装置。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种锗晶体生长设备自动加料装置,以解决上述
技术介绍
中提出的采用固定式加料结构,而且未对液相锗进行分流注入,易造成培养液产生波动,降低了锗晶体生长环境的稳定性的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种锗晶体生长设备自动加料装置,包括底座,所述底座上嵌入固定安装有第一气缸,所述第一气缸的输出端固定安装有L形连接杆,所述底座上且远离第一气缸的一侧嵌入固定安装有第二气缸,所述第二气缸的输出端固定安装有升降机构,所述升降机构远离第二气缸输出端的一端固定安装有储料机构,所述储料机构的顶端与L形连接杆固定连接,所述底座上且靠近储料机构的一端固定安装有限位圈,所述储料机构远离L形连接杆的一端插入限位圈内并与其活动连接,所述储料机构的底端固定安装有加料管,所述加料管远离储料机构的一端固定安装有注料嘴。优选的,所述底座的顶端对称开凿有两个方形开口,所述第一气缸和第二气缸均固定安装于相匹配设置的方形开口内,所述底座的顶端且位于两个方形开口之间的位置固定安装有限位柱,所述限位柱与升降机构活动套接。优选的,所述储料机构包括注射筒,且所述注射筒固定安装于升降机构上,所述注射筒内活动安装有活塞,所述活塞的顶端固定安装有推杆,所述推杆远离活塞的一端与L形连接杆固定连接。优选的,所述注射筒的内壁涂抹有石墨涂层,所述注射筒通过加料管与注料嘴相互连通。优选的,所述升降机构包括直板,所述直板活动套接于限位柱上,所述直板的下表面与第二气缸的输出端固定连接,所述直板上开凿有圆形开口,所述限位柱远离底座的一端穿过圆形开口并与直板活动连接,所述直板上且远离圆形开口的一端固定安装有固定圈,所述固定圈内壁与注射筒的外壁固定连接。优选的,所述注料嘴的顶端开凿有圆形凹槽,所述加料管远离注射筒的一端插入圆形凹槽内并与其固定连接,所述注料嘴内开凿有若干与圆形凹槽连通的圆形通道,所述注料嘴的外壁上且与若干圆形通道相对应的位置固定安装有若干滴嘴。与现有技术相比,本技术的有益效果是:本技术一种锗晶体生长设备自动加料装置,具有提高锗晶体生长环境稳定性的特点,在具体的使用中,与传统的锗晶体生长设备自动加料装置相比较而言,本加料装置通过第二气缸可以带动储料机构进行升降移动,继而对其进行微调,确保注料嘴能够插入培养液内,避免液相锗滴落在培养液表面产生水漾,通过注料嘴对注入培养液内的液相锗进行分流降速处理,减小其对培养液造成的冲击,大大提高了锗晶体生长环境的稳定性。附图说明图1为本技术的整体结构示意图;图2为本技术的储料机构结构示意图;图3为本技术的升降机构结构示意图;图4为本技术的注料嘴截面图。图中:1、底座;11、方形开口;12、限位柱;2、第一气缸;3、L形连接杆;4、第二气缸;5、升降机构;51、直板;52、圆形开口;53、固定圈;6、储料机构;61、注射筒;62、推杆;63、活塞;64、石墨涂层;7、限位圈;8、加料管;9、注料嘴;91、圆形凹槽;92、圆形通道;93、滴嘴。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。请参阅图1-4,本技术提供一种技术方案:一种锗晶体生长设备自动加料装置,包括底座1,底座1上嵌入固定安装有第一气缸2,第一气缸2的输出端固定安装有L形连接杆3,底座1上且远离第一气缸2的一侧嵌入固定安装有第二气缸4,第二气缸4的输出端固定安装有升降机构5,升降机构5远离第二气缸4输出端的一端固定安装有储料机构6,储料机构6的顶端与L形连接杆3固定连接,底座1上且靠近储料机构6的一端固定安装有限位圈7,储料机构6远离L形连接杆3的一端插入限位圈7内并与其活动连接,储料机构6的底端固定安装有加料管8,加料管8远离储料机构6的一端固定安装有注料嘴9,通过第二气缸4带动直板51向下移动,继而带动注射筒61沿着限位圈7下移,确保注料嘴9能够有效插入培养液内,避免液相锗滴落在培养液表面形成水漾,结合注料嘴9对液相锗的分流处理,降低其注入时的流速,有效减小培养液的波动,大大提高了锗晶体生长环境的稳定性。储料机构6包括注射筒61,且注射筒61固定安装于升降机构5上,注射筒61内活动安装有活塞63,活塞63的顶端固定安装有推杆62,推杆62远离活塞63的一端与L形连接杆3固定连接,通过推杆62推压活塞63,便于将注射筒61内的液相锗注入晶体培养容器内,注料嘴9的顶端开凿有圆形凹槽91,加料管8远离注射筒61的一端插入圆形凹槽91内并与其固定连接,注料嘴9内开凿有若干与圆形凹槽91连通的圆形通道92,注料嘴9的外壁上且与若干圆形通道92相对应的位置固定安装有若干滴嘴93,通过圆形通道92将液相锗注入滴嘴93处,继而让其缓慢的分散在晶体培养容器内,防止液相锗注入时冲击培养液,提高其生长环境的稳定性,底座1的顶端对称开凿有两个方形开口11,第一气缸2和第二气缸4均固定安装于相匹配设置的方形开口11内,底座1的顶端且位于两个方形开口11之间的位置固定安装有限位柱12,限位柱12与升降机构5活动套接,通过限位柱12可以对升降机构5进行限位,确保升降机构5稳定升降移动,升降机构5包括直板51,直板51活动套接于限位柱12上,直板51的下表面与第二气缸4的输出端固定连接,直板51上开凿有圆形开口52,限位柱12远离底座1的一端穿过圆形开口52并与直板51活动连接,直板51上且远离圆形开口52的一端固定安装有固定圈53,固定圈53内壁与注射筒61的外壁固定连接,通过圆形开口52确保限位柱12与直板51活动连接,确保第二气缸4可以带动直板51沿着限位柱12进行稳定的升降移动,注射筒61的内壁涂抹有石墨涂层64,注射筒61通过加料管8与注料嘴9相互连通,通过石墨涂层64确保液相锗在注射筒61内不会产生化学反应,保证其稳定性。具体的,本技术使用时,首先将底座1固定安装在锗晶体生长设备上,通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种锗晶体生长设备自动加料装置,包括底座(1),其特征在于,所述底座(1)上嵌入固定安装有第一气缸(2),所述第一气缸(2)的输出端固定安装有L形连接杆(3),所述底座(1)上且远离第一气缸(2)的一侧嵌入固定安装有第二气缸(4),所述第二气缸(4)的输出端固定安装有升降机构(5),所述升降机构(5)远离第二气缸(4)输出端的一端固定安装有储料机构(6),所述储料机构(6)的顶端与L形连接杆(3)固定连接,所述底座(1)上且靠近储料机构(6)的一端固定安装有限位圈(7),所述储料机构(6)远离L形连接杆(3)的一端插入限位圈(7)内并与其活动连接,所述储料机构(6)的底端固定安装有加料管(8),所述加料管(8)远离储料机构(6)的一端固定安装有注料嘴(9)。/n

【技术特征摘要】
1.一种锗晶体生长设备自动加料装置,包括底座(1),其特征在于,所述底座(1)上嵌入固定安装有第一气缸(2),所述第一气缸(2)的输出端固定安装有L形连接杆(3),所述底座(1)上且远离第一气缸(2)的一侧嵌入固定安装有第二气缸(4),所述第二气缸(4)的输出端固定安装有升降机构(5),所述升降机构(5)远离第二气缸(4)输出端的一端固定安装有储料机构(6),所述储料机构(6)的顶端与L形连接杆(3)固定连接,所述底座(1)上且靠近储料机构(6)的一端固定安装有限位圈(7),所述储料机构(6)远离L形连接杆(3)的一端插入限位圈(7)内并与其活动连接,所述储料机构(6)的底端固定安装有加料管(8),所述加料管(8)远离储料机构(6)的一端固定安装有注料嘴(9)。


2.根据权利要求1所述的一种锗晶体生长设备自动加料装置,其特征在于:所述底座(1)的顶端对称开凿有两个方形开口(11),所述第一气缸(2)和第二气缸(4)均固定安装于相匹配设置的方形开口(11)内,所述底座(1)的顶端且位于两个方形开口(11)之间的位置固定安装有限位柱(12),所述限位柱(12)与升降机构(5)活动套接。


3.根据权利要求1所述的一种锗晶体生长设备自动加料装置,其特征在于:所述储料机构(6)包括注射筒(61),且所述注射筒(61)固定安装于升降机构(5)上,所述注...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨辉薛武鹏李奎程涛
申请(专利权)人:陕西欣宇材料科技有限公司
类型:新型
国别省市:陕西;61

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