一种锗晶体生长设备管道清理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种锗晶体生长设备管道清理装置，包括管体，管体内设有移动环，移动环通过往复机构与管体连接，移动环外侧侧壁上设有安装槽，安装槽内设有若干安装块，若干安装块均与安装槽相适配，若干安装块外侧均固定连接有连接板，若干连接板远离安装块的一侧均设有容纳槽，若干容纳槽内均通过弹性机构连接有刮块，若干刮块外侧均与管体内壁紧密接触，本发明专利技术通过刮块上下反复移动对管体内壁上粘附的物料进行刮落，防止管体内壁上的物料量过多而影响后续锗晶体的生长，同时也方便了后期对管体内壁的清理。体内壁的清理。体内壁的清理。

【技术实现步骤摘要】
一种锗晶体生长设备管道清理装置


[0001]本专利技术涉及一种锗晶体生长设备管道清理装置，属于锗晶体生长设备


技术介绍

[0002]锗(Germanium)是一种化学元素，元素符号Ge，原子序数32，原子量72.64，在化学元素周期表中位于第4周期、第IVA族。锗单质是一种灰白色准金属，有光泽，质硬，属于碳族，化学性质与同族的锡与硅相近，不溶于水、盐酸、稀苛性碱溶液，溶于王水、浓硝酸或硫酸，具有两性，故溶于熔融的碱、过氧化碱、碱金属硝酸盐或碳酸盐，在空气中较稳定。锗单晶(MonocrystallineGermanium)，是指不含大角晶界或孪晶的锗晶体。呈金刚石型晶体结构，是重要的半导体材料，锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法(CZ)法或者垂直梯度法(VGF法)等方法制备的锗单晶体。
[0003]在锗晶体生长过程中，管道内壁上总是会粘附上一些原料，当粘附量过多时，会对后续锗晶体的生长产生一定影响，并且后期对于管道内壁的清理也较为费力。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种锗晶体生长设备管道清理装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种锗晶体生长设备管道清理装置，包括管体，所述管体内设有移动环，所述移动环通过往复机构与管体连接，所述移动环外侧侧壁上设有安装槽，所述安装槽内设有若干安装块，若干所述安装块均与安装槽相适配，若干所述安装块外侧均固定连接有连接板，若干所述连接板远离安装块的一侧均设有容纳槽，若干所述容纳槽内均通过弹性机构连接有刮块，若干所述刮块外侧均与管体内壁紧密接触。
[0006]优选的，所述往复机构包括电机、第一固定环、往复丝杆、第二固定环和导杆，所述管体内壁上固定连接有第一固定环和第二固定环，所述第一固定环位于第二固定环上方，所述第一固定环和第二固定环之间转动连接有往复丝杆，所述第一固定环和第二固定环之间固定连接有若干导杆，所述往复丝杆顶端与电机输出端固定连接，所述电机固定连接在第一固定环上端，所述移动环与往复丝杆螺纹连接，所述移动环与若干导杆活动套接。
[0007]优选的，所述弹性机构包括插槽、插杆和弹簧，所述插槽开设在容纳槽内壁上，所述插杆固定连接在刮块一侧，所述插杆一端插设在插槽内，所述插杆与插槽相适配，所述刮块与容纳槽内壁之间固定连接有弹簧，所述弹簧套设在插杆外围。
[0008]优选的，所述刮块两侧壁上均固定连接导块，所述容纳槽两侧壁上均设有与导块相适配的导槽，两个所述导块分别与两个导槽滑动连接。
[0009]优选的，若干所述安装块与安装槽之间均通过若干螺栓连接。
[0010]优选的，若干所述刮块均设为弧形状，若干所述刮块均与管体内壁相适配。
[0011]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：电机通过往复丝杆带动移动环上下反复
移动，移动环移动时带动若干刮块上下移动，若干刮块与管体内壁紧密接触，因此刮块上下反复移动时会对管体内壁上粘附的物料进行刮落，防止管体内壁上的物料量过多而影响后续锗晶体的生长，同时也方便了后期对管体内壁的清理，同时，由于若干弹簧均处于压缩状态，因此，刮块外侧受到磨损时，刮块通过若干弹簧的作用力仍然与管体内壁紧密接触，保证清理效果。
附图说明
[0012]图1为本专利技术结构示意图；
[0013]图2为本专利技术的A处结构放大示意图；
[0014]图3为本专利技术的B
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B面结构示意图；
[0015]图4为本专利技术的弹性机构结构示意图。
[0016]图中：1、管体；2、往复机构；21、第一固定环；22、往复丝杆；23、第二固定环；24、导杆；25、电机；3、弹性机构；31、插槽；32、插杆；33、弹簧；4、移动环；5、容纳槽；6、导槽；7、导块；8、刮块；9、连接板；10、螺栓；11、安装块；12、安装槽。
具体实施方式
[0017]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]请参阅图1
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4，本专利技术提供一种技术方案：一种锗晶体生长设备管道清理装置，包括管体1，管体1内设有移动环4，移动环4通过往复机构2与管体1连接，移动环4外侧侧壁上设有安装槽12，安装槽12内设有若干安装块11，若干安装块11均与安装槽12相适配，若干安装块11外侧均固定连接有连接板9，若干连接板9远离安装块11的一侧均设有容纳槽5，若干容纳槽5内均通过弹性机构3连接有刮块8，若干刮块8外侧均与管体1内壁紧密接触，通过刮块8上下反复移动对管体1内壁上粘附的物料进行刮落，防止管体1内壁上的物料量过多而影响后续锗晶体的生长，同时也方便了后期对管体1内壁的清理。
[0019]往复机构2包括电机25、第一固定环21、往复丝杆22、第二固定环23和导杆24，管体1内壁上固定连接有第一固定环21和第二固定环23，第一固定环21位于第二固定环23上方，第一固定环21和第二固定环23之间转动连接有往复丝杆22，第一固定环21和第二固定环23之间固定连接有若干导杆24，往复丝杆22顶端与电机25输出端固定连接，电机25固定连接在第一固定环21上端，移动环4与往复丝杆22螺纹连接，移动环4与若干导杆24活动套接，电机25通过往复丝杆22带动移动环4上下反复移动，移动环4移动时带动若干刮块8上下移动，若干刮块8与管体1内壁紧密接触，因此刮块8上下反复移动时会对管体1内壁上粘附的物料进行刮落，弹性机构3包括插槽31、插杆32和弹簧33，插槽31开设在容纳槽5内壁上，插杆32固定连接在刮块8一侧，插杆32一端插设在插槽31内，插杆32与插槽31相适配，刮块8与容纳槽5内壁之间固定连接有弹簧33，弹簧33套设在插杆32外围，由于若干弹簧33均处于压缩状态，因此，刮块8外侧受到磨损时，刮块8通过若干弹簧33的作用力仍然与管体1内壁紧密接触，保证清理效果，刮块8两侧壁上均固定连接导块7，容纳槽5两侧壁上均设有与导块7相适
配的导槽6，两个导块7分别与两个导槽6滑动连接，保证刮块8移动时的稳定性，若干安装块11与安装槽12之间均通过若干螺栓10连接，能够自由的进行拆卸，若干刮块8均设为弧形状，若干刮块8均与管体1内壁相适配，保证对管体1内壁的清理效果。
[0020]具体的，本专利技术使用时，启动电机25，电机25通过往复丝杆22带动移动环4上下反复移动，移动环4移动时带动若干刮块8上下移动，若干刮块8与管体1内壁紧密接触，因此刮块8上下反复移动时会对管体1内壁上粘附的物料进行刮落，防止管体1内壁上的物料量过多而影响后续锗晶体的生长，同时也方便了后期对管体1内壁的清理，同时，由于若干弹簧33均处于压缩状态，因此，刮块8外侧受到磨损时，刮块8通过若干弹簧33的作用力仍然与管体1内壁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种锗晶体生长设备管道清理装置，包括管体(1)，其特征在于，所述管体(1)内设有移动环(4)，所述移动环(4)通过往复机构(2)与管体(1)连接，所述移动环(4)外侧侧壁上设有安装槽(12)，所述安装槽(12)内设有若干安装块(11)，若干所述安装块(11)均与安装槽(12)相适配，若干所述安装块(11)外侧均固定连接有连接板(9)，若干所述连接板(9)远离安装块(11)的一侧均设有容纳槽(5)，若干所述容纳槽(5)内均通过弹性机构(3)连接有刮块(8)，若干所述刮块(8)外侧均与管体(1)内壁紧密接触。2.根据权利要求1所述的一种锗晶体生长设备管道清理装置，其特征在于：所述往复机构(2)包括电机(25)、第一固定环(21)、往复丝杆(22)、第二固定环(23)和导杆(24)，所述管体(1)内壁上固定连接有第一固定环(21)和第二固定环(23)，所述第一固定环(21)位于第二固定环(23)上方，所述第一固定环(21)和第二固定环(23)之间转动连接有往复丝杆(22)，所述第一固定环(21)和第二固定环(23)之间固定连接有若干导杆(24)，所述往复丝杆(22)顶端与电机(25)输出端固定连接，所述电机(25)固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文英，杨辉，薛武鹏，程涛，
申请(专利权)人：陕西欣宇材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：