有机电致发光材料及器件制造技术

提供一种通式(I)所示的化合物，其中各基团的含义如说明书中所定义。还提供所述化合物在有机电致发光器件中作为发光层材料的应用，以及包含所述化合物的有机电致发光器件。以及包含所述化合物的有机电致发光器件。以及包含所述化合物的有机电致发光器件。

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光材料及器件


[0001]本专利技术涉及有机电致发光
，特别涉及一种化合物及其应用、包含其的有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]近年来，基于有机材料的光电子器件已经变得越来越受欢迎。有机材料固有的柔性令其十分适合用于在柔性基板上制造，可根据需求设计、生产出美观而炫酷的光电子产品，获得相对于无机材料无以比拟的优势。此类有机光电子器件的示例包括有机发光二极管(OLED)，有机场效应管，有机光伏打电池，有机传感器等。其中OLED发展尤其迅速，已经在信息显示领域取得商业上的成功。OLED可以提供高饱和度的红、绿、蓝三颜色，用其制成的全色显示装置无需额外的背光源，具有色彩炫丽，轻薄柔软等优点。
[0003]OLED器件核心为含有多种有机功能材料的薄膜结构。常见的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料，电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。通电时，电子和空穴被分别注入、传输到发光区域并在此复合，从而产生激子并发光。
[0004]人们已经开发出多种有机材料，结合各种奇特的器件结构，可以提升载流子迁移率、调控载流子平衡、突破电致发光效率、延缓器件衰减。出于量子力学的原因，常见的荧光发光体主要利用电子和空穴结合时产生的单线态激子发光，现在仍然广泛地应用于各种OLED产品中。有些金属络合物如铱络合物，可以同时利用三线态激子和单线态激子进行发光，被称为磷光发光体，其能量转换效率可以比传统的荧光发光体提升高达四倍。热激发延迟荧光(TADF)技术通过促进三线态激子朝单线态激子的转变，在不采用金属配合物的情况下，仍然可以有效地利用三线态激子而实现较高的发光效率。热激发敏化荧光(TASF)技术则采用具TADF性质的材料，通过能量转移的方式来敏化发光体，同样可以实现较高的发光效率。
[0005]随着OLED产品逐步进入市场，人们对这类产品的性能有越来越高的要求。当前使用的OLED材料和器件结构无法完全解决OLED产品效率、寿命、成本等各方面的问题。本专利技术的研究人员通过认真思考和不断实验，发现了一种巧妙的分子设计方案，并在下文中详细地进行说明。令人惊讶地，本专利技术所揭示的化合物非常适合应用于OLED并提升器件的性能。

技术实现思路

[0006]针对现有技术方案的缺陷，本专利技术综合分子结构稳定性以及载流子的平衡传输提供一类用于有机电致发光器件的新的化合物，以满足对OLED器件的光电性能和使用寿命不断提升的需求。本专利技术化合物通过选择芳基的稠合位置提高结构稳定性，进而改善性能，并且通过适当选择杂环基团，避免由于空穴传输更高而导致载流子失衡，从而提高光电性能。
[0007]具体地，一方面，本专利技术提供一种通式(I)的化合物：
[0008][0009]其中：
[0010]A于a或b与母核稠合，B于c、d或e与母核稠合；
[0011]m为0或1，n为选自0～2的整数，且1≤m+n≤2；
[0012]A、B分别独立地为
[0013][0014]C选自C5～C
10
的芳环或者C
4-C
10
的杂芳环，所述芳环或杂芳环与相连接的苯环稠合；
[0015]p选自0～2的整数；
[0016]R
1-R3表示单取代到最大允许的取代基，独立地选自氢、C1～C
12
烷基、C3～C
12
环烷基、C1～C
12
烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、C1～C
12
硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C
30
芳基氨基、取代或未取代的C3～C
30
杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C
30
芳基、取代或未取代的C3～C
30
杂芳基；当存在多个R1、R2或R3时，它们相同或不同，各自彼此独立地选自所述基团；
[0017]X选自N-L-Ar、S或O；
[0018]X为S或O时，R
1-R3至少一个为取代或未取代的C6～C
30
芳基、取代或未取代的C3～C
30
的杂芳基中的一种；
[0019]优选R
1-R3中的至少一个为C3～C
30
缺电子基团；
[0020]X为N-L-Ar时，
[0021]L选自单键、取代或未取代的C
6-C
30
的亚芳基、取代或未取代的C3～C
30
亚杂芳基；
[0022]Ar选自取代或未取代的C6～C
30
芳基、取代或未取代的C3～C
30
的杂芳基；
[0023]优选R
1-R3和Ar中的至少一个为C3～C
30
缺电子基团；
[0024]所述取代的基团的取代基选自以下基团中的任意一种或者至少两种的组合：卤素、氰基、硝基、羟基、C1～C
12
烷基、C3～C
12
环烷基、C2～C
12
烯基、C1～C
12
烷氧基或硫代烷氧基、C1～C
12
硅烷基、氨基、C6～C
30
芳基氨基、C3～C
30
杂芳基氨基、C6～C
30
芳基、C3～C
30
杂芳基；
[0025]例如取代基选自：卤素、氰基、硝基、羟基、未取代或被C6～C
30
芳基或C3～C
30
杂芳基取代的C1～C
12
烷基、未取代或被C6～C
30
芳基或C3～C
30
杂芳基取代的C3～C
12
环烷基、未取代或被C6～C
30
芳基或C3～C
30
杂芳基取代的C2～C
12
烯基、未取代或被C6～C
30
芳基或C3～C
30
杂芳基取代的C1～C
12
烷氧基或硫代烷氧基、未取代或被C6～C
30
芳基或C3～C
30
杂芳基取代的C1～C
12
硅烷基、氨基、未取代或被C6～C
30
芳基或C3～C
30
杂芳基取代的C6～C
30
芳基氨基、未取代或被C6～C
30
芳基或C3～C
30
杂芳基取代的C3～C
30
杂芳基氨基、未取代或被C6～C
30
芳基或C3～C
30
杂芳基取代的C6～C
30
芳基、未取代或被C6～C
30
芳基或C3～C
30
杂芳基取代的C3～C
30
杂芳基。
[0026]更具体地，本专利技术化合物为通式I-a至I-c所示：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通式(I)所示的化合物：其中：A于a或b与母核稠合，B于c、d或e与母核稠合；m为0或1，n为选自0～2的整数，且1≤m+n≤2；A、B分别独立地为C选自C5～C
10
的芳环或者C
4-C
10
的杂芳环，所述芳环或杂芳环与相连接的苯环稠合；p选自0～2的整数；R
1-R3表示单取代到最大允许的取代基，独立地选自氢、C1～C
12
烷基、C3～C
12
环烷基、C1～C
12
烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、C1～C
12
硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C
30
芳基氨基、取代或未取代的C3～C
30
杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C
30
芳基、取代或未取代的C3～C
30
杂芳基；当存在多个R1、R2或R3时，它们相同或不同，各自彼此独立地选自所述基团；X选自N-L-Ar、S或O；X为S或O时，R
1-R3至少一个为取代或未取代的C6～C
30
芳基、取代或未取代的C3～C
30
的杂芳基中的一种；X为N-L-Ar时，L选自单键、取代或未取代的C
6-C
30
的亚芳基、取代或未取代的C3～C
30
亚杂芳基；Ar选自取代或未取代的C6～C
30
芳基、取代或未取代的C3～C
30
杂芳基；所述取代的基团的取代基选自以下基团中的任意一种或者至少两种的组合：卤素、氰基、硝基、羟基、C1～C
12
烷基、C3～C
12
环烷基、C2～C
12
烯基、C1～C
12
烷氧基或硫代烷氧基、C1～C
12
硅烷基、氨基、C6～C
30
芳基氨基、C3～C
30
杂芳基氨基、C6～C
30
芳基、C3～C
30
杂芳基。2.根据权利要求1所述的化合物，具有选自以下通式所示的结构：
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中C为C5～C
10
芳环，其与相连接的苯环稠合；p为1。4.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物，其中，当X为S或O时，R
1-R3中的至少一个为C3～C
30
缺电子基团；当X为N-L-Ar时，R
1-R3和Ar中的至少一个为C3～C
30
缺电子基团。5.根据权利要求1至4中任一项所述的化合物，其中，
X为N-L-Ar时，R
1-R3为氢；X为S或O时，R
1-R3中一个为C3～C
30
缺电子基团，其他为氢。6.根据权利要求4或5所述的化合物，其中C3～C
30
缺电子基团选自：1)取代或未取代的含N的C3～C
30
的缺电子杂芳基团，在被取代时取代基选自以下基团中的任意一种或者至少两种的组合：卤素、氰基、硝基、羟基、C1～C
12
烷基、C3～C
12
环烷基、C2～C
12
烯基、C1～C
12
烷氧基或硫代烷氧基、C1～C
12
硅烷基、氨基、C6～C
30
芳基氨基、C3～C
30
杂芳...

【专利技术属性】
技术研发人员：李之洋，黄鑫鑫，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：