降低氮化铝的表面氧化物生成的方法与设备技术

一种降低氮化铝的表面氧化物生成的方法与设备。所述设备具有沉积腔体、冷却腔体以及冷却加载互锁腔体。在物理气相沉积制程中，基板于沉积腔体中受到氮化铝的沉积，并在真空环境下于冷却腔体及冷却加载互锁腔体中进行冷却，以避免高温的氮化铝镀膜基板暴露于大气环境而造成其表面氧化物的生成。本发明专利技术所述的方法与设备可进一步降低氮化镓沉积于氮化铝的表面氧化物所造成的结晶缺陷。表面氧化物所造成的结晶缺陷。表面氧化物所造成的结晶缺陷。

【技术实现步骤摘要】
降低氮化铝的表面氧化物生成的方法与设备


[0001]本专利技术系关于一种降低氮化铝的表面氧化物生成的方法与设备，尤其指一种在物理气相沉积制程中，可降低氮化铝的表面氧化物的生成量，以降低后续制程中氮化镓堆栈于氮化铝的表面氧化物之上所造成的缺陷问题的一种方法与设备。

技术介绍

[0002]在发光二极管（light emitting diode, LED）的制造过程中，需将发光材料「氮化镓（Gallium Nitride, GaN）化合物」镀于基板上。所述基板一般选用蓝宝石基板，其具有三氧化二铝（即，氧化铝 (Aluminum Oxide, Al2O3)）的结晶。由于氮化镓的晶格与三氧化二铝的晶格大小差异较大，若直接使两者堆栈则易发生错位（mismatch）问题，进而导致插排缺陷（dislocation）的问题，并降低发光二极管的发光效率。
[0003]一般而言，解决上述问题的方法系于氮化镓与三氧化二铝之间加入一层氮化铝（Aluminum Nitride, AlN）以作为缓冲材料。氮化铝的晶格介于氮化镓与三氧化二铝的晶格之间，故与所述二者皆有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种于物理气相沉积制程中降低氮化铝的表面氧化物生成的方法，其特征在于，包括：步骤A，于第一真空环境下，对一基板沉积氮化铝，以形成一氮化铝镀膜基板；步骤B，于第二真空环境下，使所述氮化铝镀膜基板进行第一阶段冷却；以及步骤C，于第三真空环境下，使所述氮化铝镀膜基板进行第二阶段冷却；其中所述第二真空环境的压力小于所述第三真空环境的压力。2.如权利要求1所述的降低氮化铝的表面氧化物生成的方法，其特征在于，其中于所述步骤B中，冷却的方法是接触式冷却法、静置冷却法或气体冷却法。3.如权利要求2所述的降低氮化铝的表面氧化物生成的方法，其特征在于，其中在所述冷却的方法为气体冷却法时，用以冷却的气体为惰性气体。4.如权利要求1所述的降低氮化铝的表面氧化物生成的方法，其特征在于，其中于所述步骤B中，所述氮化铝镀膜基板进行第一阶段冷却的冷却腔体的冷却温度介于摄氏150-250度。5.如权利要求1所述的降低氮化铝的表面氧化物生成的方法，其特征在于，其中于所述步骤C中，所述氮化铝镀膜基板进行第二阶段冷却的冷却腔体的冷却温度小于摄氏100度。6.一种于物理气相沉积制程中降低氮化铝的表面氧化物生成的设备，其特征在于，包括：一脱气加载互锁腔体，用...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，郑耀璿，
申请(专利权)人：天虹科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：