【技术实现步骤摘要】
一种简易冲击电流抑制电路
本技术涉及新能源
,尤其是一种简易冲击电流抑制电路。
技术介绍
直流供电系统根据不同功率等级会在输入端存在容量不等的储能、滤波电容,在上电启动瞬间给电容充电会产生较大的冲击电流,冲击电流对于供电源、负载及其他用电设备等均有较大的干扰,严重时可能导致其工作异常甚至损坏。在GJB181B-2012《飞机供电特性》中也有相关规定,要求冲击电流峰值应不大于额定电流的5倍,并应在0.1s内回到额定电流。现有的直流供电系统对冲击电流抑制的电路结构复杂,对冲击电流抑制效果不佳,尚不能满足直流供电系统的应用需求和相关标准规定。
技术实现思路
为了解决上述问题,本技术提出一种简易冲击电流抑制电路,该电路简单易用且效果优良,可将冲击电流抑制在合理的范围内,满足直流供电系统的应用需求和相关标准规定。本技术通过以下技术方案实现的:本技术提出一种简易冲击电流抑制电路,包括恒流源、N沟道MOS管、第一电容和第一稳压管,电路设有正输入端、正输出端、负输入端和负输出端,所述正输入端与所 ...
【技术保护点】
1.一种简易冲击电流抑制电路,其特征在于,包括恒流源、N沟道MOS管(Q1)、第一电容(C1)和第一稳压管(D1),电路设有正输入端(VIN+)、正输出端(Vo)、负输入端(VIN-)和负输出端(GNDo),所述正输入端(VIN+)与所述正输出端(Vo)直接连接,所述恒流源从所述正输入端(VIN+)取电,所述N沟道MOS管(Q1)的栅极连接所述第一电容(C1)的第一端、所述第一稳压管(D1)的阴极和所述恒流源的电流输出端,所述N沟道MOS管(Q1)的源极连接所述第一电容(C1)的第二端、所述第一稳压管(D1)的阳极和所述负输入端(VIN-),所述N沟道MOS管(Q1)的漏极 ...
【技术特征摘要】
1.一种简易冲击电流抑制电路,其特征在于,包括恒流源、N沟道MOS管(Q1)、第一电容(C1)和第一稳压管(D1),电路设有正输入端(VIN+)、正输出端(Vo)、负输入端(VIN-)和负输出端(GNDo),所述正输入端(VIN+)与所述正输出端(Vo)直接连接,所述恒流源从所述正输入端(VIN+)取电,所述N沟道MOS管(Q1)的栅极连接所述第一电容(C1)的第一端、所述第一稳压管(D1)的阴极和所述恒流源的电流输出端,所述N沟道MOS管(Q1)的源极连接所述第一电容(C1)的第二端、所述第一稳压管(D1)的阳极和所述负输入端(VIN-),所述N沟道MOS管(Q1)的漏极连接所述负输出端(GNDo)。
2.如权利要求1所述的一种简易冲击电流抑制电路,其特征在于,所述恒流源包括三极管(Q2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第二稳压管(D2)和二极管(D3),所述第一电阻(R1)的第一端连接所述第二稳压管(D2)的阴极和所述正输入端(VIN+),所述第一电阻(R1)的第二端连接所述三极管(Q2)的发射极,所述第二稳压管(D2)的阳极连接所述二极管(D3)的阳极,所述二极管...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏毅鹏,孙亚倩,
申请(专利权)人:深圳市振华微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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