防浪涌和防反向电路制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种防浪涌和防反向电路，包括MOS管Q2、MOS管Q3、电容C4、二极管D1、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9，电阻R4、电阻R5的一端连接电压正极，电阻R4另一端连接二极管D1负极以及电阻R6、电阻R9的一端，电阻R5的另一端连接二极管D1正极以及电阻R7、电阻R8的一端，电阻R9的另一端连接MOS管Q2、MOS管Q3的S极，电阻R6、电阻R7的另一端分别连接MOS管Q3、MOS管Q2的G极，电容C4两端分别连接电阻R8的另一端和MOS管Q2的D极，MOS管Q3、MOS管Q2的D极分别连接初级侧电压负极和次级侧负极。本实用新型专利技术结构简单，电路损耗低，且同时具备防浪涌和防反向功能。

【技术实现步骤摘要】
防浪涌和防反向电路
本技术涉及开关电源
，尤其涉及一种防浪涌和防反向电路。
技术介绍
开关电源的输入电路大多采用电容滤波型整流电路，因滤波电容上的初始电压为零，在电源开启瞬间，滤波电容充电会产生很大的电流，进而导致电路烧坏，该电流即为浪涌电流。为避免浪涌电流烧坏电路，技术人员开发出了防浪涌电源电路。然而，现有的防浪涌电路不具备防反向功能，不能满足需求，且现有的防浪涌电路结构复杂，损耗大。
技术实现思路
本技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种防浪涌和防反向电路，以使同时具备防浪涌和防反向功能。为了解决上述技术问题，本技术实施例提出了一种防浪涌和防反向电路，包括MOS管Q2、MOS管Q3、电容C4、二极管D1、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9，电阻R4、电阻R5的一端连接电压正极，电阻R4另一端连接二极管D1负极以及电阻R6、电阻R9的一端，电阻R5的另一端连接二极管D1正极以及电阻R7、电阻R8的一端，电阻R9的另一端连接MOS管Q2、MOS管Q3的S极，电阻R6、电阻R7的另一端分别连接MOS管Q3、MOS管Q2的G极，电容C4两端分别连接电阻R8的另一端和MOS管Q2的D极，MOS管Q3、MOS管Q2的D极分别连接初级侧电压负极和次级侧负极。进一步地，MOS管Q2、MOS管Q3均为N型MOS管。本技术的有益效果为：本技术结构简单，电路损耗低，且同时具备防浪涌和防反向功能。附图说明图1是本技术实施例的防浪涌和防反向电路的电路图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合，下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。本技术实施例中若有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，在本技术中若涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。请参照图1，本技术实施例的防浪涌和防反向电路包括MOS管Q2、MOS管Q3、电容C4、二极管D1、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9。电阻R4、电阻R5的一端连接电压正极，电阻R4另一端连接二极管D1负极以及电阻R6、电阻R9的一端，电阻R5的另一端连接二极管D1正极以及电阻R7、电阻R8的一端，电阻R9的另一端连接MOS管Q2、MOS管Q3的S极，电阻R6、电阻R7的另一端分别连接MOS管Q3、MOS管Q2的G极，电容C4两端分别连接电阻R8的另一端和MOS管Q2的D极，MOS管Q3、MOS管Q2的D极分别连接初级侧电压负极和次级侧负极。作为一种实施方式，MOS管Q2、MOS管Q3均为N型MOS管。请参照图1，本技术的工作原理如下：VIN+1为电压正极，VIN_GND_1为初级侧电压负极，VIN_GND_2为次级侧负极。当VIN+1电压建立时，经过R4、R9、和Q3内部二极管形成回路，结点2的电压已高于Q3的V_GS的饱和状态电压，Q3导通；同样，因为C4电容特性，在上电一瞬间，相当于短路状态，而且R8的取值远小于R5，所以上电初始，结点1的电压值很低，达不到Q2的导通门阀值。当随着C4的充电时间长，C4的电压越来越高，结点1的电压同样升高，当超过Q2的V_GS门阀值时，根据MOS管特性，刚刚达到门阀值时，MOS会呈现出阻抗状态，为变阻特性，根据这个特性，相当于在大的输入环路上，给后面的电路提供一个可变的充电电阻，所以输出电压会变成缓慢上升的一个过程。当结点1的电压超过Q2的V_GS饱和值时，Q2完全导通。电路工作完成。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同范围限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防浪涌和防反向电路，其特征在于，包括MOS管Q2、MOS管Q3、电容C4、二极管D1、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9，电阻R4、电阻R5的一端连接电压正极，电阻R4另一端连接二极管D1负极以及电阻R6、电阻R9的一端，电阻R5的另一端连接二极管D1正极以及电阻R7、电阻R8的一端，电阻R9的另一端连接MOS管Q2、MOS管Q3的S极，电阻R6、电阻R7的另一端分别连接MOS管Q3、MOS管Q2的G极，电容C4两端分别连接电阻R8的另一端和MOS管Q2的D极，MOS管Q3、MOS管Q2的D极分别连接初级侧电压负极和次级侧负极。/n

【技术特征摘要】
1.一种防浪涌和防反向电路，其特征在于，包括MOS管Q2、MOS管Q3、电容C4、二极管D1、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9，电阻R4、电阻R5的一端连接电压正极，电阻R4另一端连接二极管D1负极以及电阻R6、电阻R9的一端，电阻R5的另一端连接二极管D1正极以及电阻R7、电阻R8的一端，电阻R9的另一端连接MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：何华贵，
申请(专利权)人：深圳诺倍能电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44