基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路制造技术

技术编号:35880609 阅读:36 留言:0更新日期:2022-12-07 11:21
本实用新型专利技术实施例公开了一种基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路,包括二极管D1、电容C1、电阻R1、低占空比负载LOAD,电压正极VCC与电阻R1一端、二极管D1的负极、低占空比负载LOAD的A端连接在一起,电阻R1的另一端与二极管D1的正极、大容量电容C1的正极连接在一起,而大容量电容C1的负极、低占空比负载LOAD的B端与电压负极GND连接。本实用新型专利技术通过一个二极管和一个限流电阻来实现大容量电容充电及放电,结构简单,成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路


[0001]本技术涉及开关电源
,尤其涉及一种基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路。

技术介绍

[0002]在现有的大容量电容器驱动电路中,大多采用控制器来实现驱动限流目的,尤其是对于低占空比高峰值功率负载状况,其结构较为复杂,成本高。

技术实现思路

[0003]本技术实施例所要解决的技术问题在于,提供一种基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路,以简化结构,降低成本。
[0004]为了解决上述技术问题,本技术实施例提出了一种基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路,包括二极管D1、电容C1、电阻R1、低占空比负载LOAD,电阻R1一端、二极管D1的负极、低占空比负载LOAD的A端连接电压正极VCC,电阻R1的另一端与二极管D1的正极、电容C1的正极连接,电容C1的负极、低占空比负载LOAD的B端连接电压负极GND。
[0005]进一步地,二极管D1为续流二极管,电阻R1为限流电阻。
[0006]本技术的有益效果为:本技术通过一个二极管和一个限流电阻来实现大容量电容本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路,其特征在于,包括二极管D1、电容C1、电阻R1、低占空比负载LOAD,电阻R1一端、二极管D1的负极、低占空比负载LOAD的A端连接电压正极VCC,电阻R1的另一端与二极管D...

【专利技术属性】
技术研发人员:李营
申请(专利权)人:深圳诺倍能电子技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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