基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路，包括二极管D1、电容C1、电阻R1、低占空比负载LOAD，电压正极VCC与电阻R1一端、二极管D1的负极、低占空比负载LOAD的A端连接在一起，电阻R1的另一端与二极管D1的正极、大容量电容C1的正极连接在一起，而大容量电容C1的负极、低占空比负载LOAD的B端与电压负极GND连接。本实用新型专利技术通过一个二极管和一个限流电阻来实现大容量电容充电及放电，结构简单，成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路


[0001]本技术涉及开关电源
，尤其涉及一种基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路。

技术介绍

[0002]在现有的大容量电容器驱动电路中，大多采用控制器来实现驱动限流目的，尤其是对于低占空比高峰值功率负载状况，其结构较为复杂，成本高。

技术实现思路

[0003]本技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路，以简化结构，降低成本。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术实施例提出了一种基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路，包括二极管D1、电容C1、电阻R1、低占空比负载LOAD，电阻R1一端、二极管D1的负极、低占空比负载LOAD的A端连接电压正极VCC，电阻R1的另一端与二极管D1的正极、电容C1的正极连接，电容C1的负极、低占空比负载LOAD的B端连接电压负极GND。
[0005]进一步地，二极管D1为续流二极管，电阻R1为限流电阻。
[0006]本技术的有益效果为：本技术通过一个二极管和一个限流电阻来实现大容量电容充电及放电，为低占空比负载供电，结构简单，成本低。
附图说明
[0007]图1是本技术实施例的基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路的电路图。
具体实施方式
[0008]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合，下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。
[0009]本技术实施例中若有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后
……
）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0010]另外，在本技术中若涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
[0011]请参照图1，本技术实施例的基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路包括二极管D1、电容C1、电阻R1、低占空比负载LOAD。电容C1为超级电容，即大容量电容器。
[0012]电压正极VCC与电阻R1一端、二极管D1的负极、低占空比负载LOAD的A端连接在一起，电阻R1的另一端与二极管D1的正极、电容C1的正极连接在一起，而电容C1的负极、低占
空比负载LOAD的B端与电压负极GND连接。
[0013]作为一种实施方式，二极管D1为续流二极管，电阻R1为限流电阻。
[0014]本技术的工作原理如下：请参照图1，VCC为电压正极，GND为电压负极，LOAD为低占空比负载。当VCC电压缓缓建立时，负载LOAD不工作，通过电阻R1给电容C1进行充电，电阻R1起到限流作用。电容C1充满电后，负载LOAD开始工作，除了VCC给负载供电外，电容C1通过二极管D1给负载LOAD供电，二极管D1起到续流作用。负载LOAD关闭后，电压VCC继续通过R1给C1充电，反复重复此充放电过程。此电路工作目的就是避免因大容量电容器瞬间短路特性造成电压VCC不能成功启动，通过电阻限流充电，二极管续流放电，实现低占空比高峰值功率负载稳定工作。
[0015]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同范围限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于低占空比负载的大容量电容器驱动电路，其特征在于，包括二极管D1、电容C1、电阻R1、低占空比负载LOAD，电阻R1一端、二极管D1的负极、低占空比负载LOAD的A端连接电压正极VCC，电阻R1的另一端与二极管D...

【专利技术属性】
技术研发人员：李营，
申请(专利权)人：深圳诺倍能电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：