图像传感器的测试装置及其测试方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种CMOS图像传感器的测试装置及其测试方法，所述CMOS图像传感器的测试装置包括：频谱分析仪，位移控制装置和上位机；所述上位机适于控制所述位移控制装置的位移；所述位移控制装置适于带动所述频谱分析仪的测试探头扫描所述待测CMOS图像传感器的上表面。本发明专利技术中提供了一种图像传感器的测试装置及其测试方法，可以自动实现全频段目标的频谱测试。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器的测试装置及其测试方法
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种图像传感器的测试装置及其测试方法。
技术介绍
图像传感器是成像领域非常重要的一部分，主要完成将外界光信号转变为电信号的任务，然后经过一系列电信号的处理，进而转换成可以在显示器上或其他显示设备上显示的图像。在当今的手机摄像、普通相机摄像、水下探测、空间对地遥感等应用领域，应用最为广泛的图像传感器是电荷耦合器件（CCD，ChargeCoupledDevice）图像传感器和互补金属氧化物半导体（CMOS，ComplementaryMetalOxideSemiconductor）图像传感器。在历史上，CCD图像传感器和CMOS图像传感器几乎是同时在20世纪60年代出现的。1965年-1970年（20世纪70年代），IBM、Fairchild等企业开发光电以及双极二极管阵列。1970年，CCD图像传感器在Bell实验室专利技术，并依靠CCD图像传感器的高量子效率、高灵敏度、低暗电流、高一致性、低噪音，一直成为图像传感器市场的主导。和CCD图像传感器相对比，CMOS图像传感器具有低功耗、低操作电压、片上集成功能、低价格等优势，但是在CMOS图像传感器出现初期由于相对较差的性能和较大的像元尺寸，并没有得到很好的市场，后来随着超大规模集成电路技术（VLSI）和CMOS工艺水平的不断提高，CMOS图像传感器的量子效率、填充因子等成像性能逐渐可以和CCD图像传感器相媲美，占据的市场份额逐渐扩大。如今智能手机摄像头大多采用CMOS图像传感器，在水下探测、空间对地遥感等成像领域，CMOS图像传感器也有可能取代CCD图像传感器，进而逐渐成为多数成像领域图像传感器的主要选择。电磁干扰平时无处不在，CMOS图像传感器本身并不会辐射电磁波，需要对CMOS图像传感器频谱分布的测试结果来预测CMOS图像传感器对其他模块电磁干扰的影响，本案提出了一种图像传感器的测试装置及其测试方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种CMOS图像传感器的测试装置和测试方法，解决现有技术中CMOS图像传感器可能对其它模块存在电磁干扰影响的技术问题。为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种CMOS图像传感器的测试装置和测试方法，包括：一种CMOS图像传感器的测试装置，包括：频谱分析仪，位移控制装置和上位机；所述上位机适于控制所述位移控制装置的位移；所述位移控制装置适于带动所述频谱分析仪的测试探头扫描待测CMOS图像传感器的上表面。优选地，所述上位机适于：在测试开始时，发送指令以启动待测试的CMOS图像传感器和所述频谱分析仪，并控制所述位移控制装置带动所述频谱分析仪的测试探头移动至所述CMOS图像传感器的上面；在测试中，控制所述位移控制装置的位移；在测试结束时，控制所述CMOS图像传感器、所述频谱分析仪和位移控制装置停止工作。优选地，所述频谱分析仪，适于在测试中，对测试探头扫描的区域进行全频段扫描，并将扫描结果进行计算处理，得到最终频谱测试结果。优选地，所述位移控制装置为机器人、自动化桁架或机械手臂。优选地，还包括信号传输装置，所述信号传输装置适于接收所述上位机的指令，并将指令解析后发送给所述CMOS图像传感器，使CMOS图像传感器进入正常工作状态。优选地，还包括屏蔽箱；所述位移控制装置、所述测试探头、所述CMOS图像传感器和所述信号传输装置位于所述屏蔽箱内。优选地，所述位移控制装置适于带动所述测试探头沿着X方向和Y方向遍历所述CMOS图像传感器的正上方，所述X方向和所述Y方向相交且位于同一水平面上。优选地，所述位移控制装置适于在带动所述测试探头沿着X方向或Y方向测试时，每次移动间隔为0.5mm~1.5mm。优选地，所述频谱分析仪适于对所述测试探头所有测试结果进行叠加计算。优选地，所述频谱分析仪适于将所述测试探头某一位置处进行扫描得到的幅值大小数据取最大值作为该位置处的测试得到的幅值大小。优选地，所述频谱测试仪的测试频段范围包括80MHz~5000MHz。本专利技术的技术方案中还提供了一种CMOS图像传感器的测试方法，包括：启动待测CMOS图像传感器进入工作状态；启动频谱分析仪进入待测状态；启动位移控制装置，由位移控制装置带动所述频谱分析仪的测试探头移动到所述CMOS图像传感器上方；所述频谱分析仪对所述CMOS图像传感器进行全频段扫描；将扫描结果进行处理，得到最终频谱测试结果。优选地，所述位移控制装置带动所述测试探头沿着X方向和Y方向遍历所述CMOS图像传感器的正上方，所述X方向和所述Y方向相交且位于同一水平面上。优选地，所述位移控制装置适于在带动所述测试探头沿着X方向或Y方向测试时，每次移动间隔为0.5mm~1.5mm。优选地，测试频段范围为80MHz~5000MHz。优选地，所述频谱分析仪对所述测试探头所有测试结果进行叠加计算。优选地，所述频谱分析仪适于将所述测试探头某一位置处进行扫描得到的幅值大小数据取最大值作为该点的幅值大小。优选地，所述位移控制装置，所述测试探头和所述CMOS图像传感器设置在屏蔽箱内。优选地，上位机发送命令给信号传输装置，信号传输装置再将命令解析后发送给CMOS图像传感器，使CMOS图像传感器进入正常工作状态。相对于现有技术，本专利技术中提供了一种图像传感器的测试装置及其测试方法，可以自动实现全频段目标的频谱测试，解决了现有测试中需要手动进行测试的众多繁琐工作，并且通过对CMOS图像传感器全区域的覆盖测试，还大大提升了测试结果的准确度。附图说明图1为本专利技术一实施例中图像传感器的测试装置的示意图；图2为本专利技术一实施例中图像传感器的测试中测试探针扫描点的示意图；图3为本专利技术一实施例中图像传感器的测试方法的步骤示意图。具体实施方式尤其，当前智能手机越来越重视拍照功能，而手机本身又需要通过射频模块、射频线和天线与外界进行信号通信，为保证在CMOS图像传感器工作时，手机通信不被干扰，因此需要对CMOS图像传感器进行频谱测试，了解其频谱特性，从而对可能产生干扰射频的频段进行改善。本专利技术的实施例中提供了一种CMOS图像传感器的测试装置及其测试方法。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。其次，本专利技术利用示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，所述示意图只是实例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，以下结合附图对本专利技术的CMOS图像传感器的测试装置和方法进行详细描述。本专利技术的技术方案的实施方式中所提供的一种CMOS图像传感器的测试装置，包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMOS图像传感器的测试装置，其特征在于，包括：频谱分析仪，位移控制装置和上位机；/n所述上位机适于控制所述位移控制装置的位移；/n所述位移控制装置适于带动所述频谱分析仪的测试探头扫描待测CMOS图像传感器的上表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器的测试装置，其特征在于，包括：频谱分析仪，位移控制装置和上位机；
所述上位机适于控制所述位移控制装置的位移；
所述位移控制装置适于带动所述频谱分析仪的测试探头扫描待测CMOS图像传感器的上表面。


2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的测试装置，其特征在于，所述上位机适于：
在测试开始时，发送指令以启动待测试的CMOS图像传感器和所述频谱分析仪，并控制所述位移控制装置带动所述频谱分析仪的测试探头移动至所述CMOS图像传感器的上面；
在测试中，控制所述位移控制装置的位移；
在测试结束时，控制所述CMOS图像传感器、所述频谱分析仪和位移控制装置停止工作。


3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器的测试装置，其特征在于，所述频谱分析仪，适于在测试中，对测试探头扫描的区域进行全频段扫描，并将扫描结果进行计算处理，得到最终频谱测试结果。


4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的测试装置，其特征在于，所述位移控制装置为机器人、自动化桁架或机械手臂。


5.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的测试装置，其特征在于，还包括信号传输装置，所述信号传输装置适于接收所述上位机的指令，并将指令解析后发送给所述CMOS图像传感器，使CMOS图像传感器进入正常工作状态。


6.如权利要求5所述的CMOS图像传感器的测试装置，其特征在于，还包括屏蔽箱；所述位移控制装置、所述测试探头、所述CMOS图像传感器和所述信号传输装置位于所述屏蔽箱内。


7.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的测试装置，其特征在于，所述位移控制装置适于带动所述测试探头沿着X方向和Y方向遍历所述CMOS图像传感器的正上方，所述X方向和所述Y方向相交且位于同一水平面上。


8.如权利要求7所述的CMOS图像传感器的测试装置，其特征在于，所述位移控制装置适于在带动所述测试探头沿着X方向或Y方向测试时，每次移动间隔为0.5mm~1.5mm。


9.如权利要求7所述的CMOS图像传感器的测试装置，其特征在于，所述频谱分析仪适于对所述测试探头所有测试结果进行叠加计算。

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【专利技术属性】
技术研发人员：钟立源，张黎黎，李欣然，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31