集成芯片制造技术

本公开涉及一种集成芯片，集成芯片包含一下导电结构，下导电结构设置于一基板的上方。一蚀刻停止层被设置于下导电结构的上方，且一第一内连接介电层被设置于蚀刻停止层的上方。集成芯片还包含一内连接通孔，内连接通孔延伸通过第一内连接介电层与蚀刻停止层，以与下导电结构直接接触。一保护层围绕内连接通孔的最外侧壁。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片
本公开实施例涉及一种集成芯片与接触通孔的形成方法，且特别是涉及一种通过使用双镶嵌工艺形成具有内连接结构的集成芯片的方法。
技术介绍
随着半导体集成电路(integratedcircuit，IC)的尺寸和特征尺寸缩小，形成集成电路的元件的密度增加且元件之间的间距缩小。这样的间距缩小受限于光微影的光绕射、遮罩对准、隔离和元件性能等因素。随着任何两个相邻的导电部件之间的距离缩小，所得到的电容增加，这将增加功耗和时间延迟。因此，正在研究缩小集成电路的尺寸同时保持或改善集成电路的性能的制造技术和装置设计。
技术实现思路
本公开实施例涉及一种集成芯片，集成芯片包含：一下导电结构，设置于一基板的上方；一蚀刻停止层，设置于下导电结构的上方；一第一内连接介电层，设置于蚀刻停止层的上方；一内连接通孔，延伸通过第一内连接介电层与蚀刻停止层，以与下导电结构接触；一内连接线，延伸通过第一内连接介电层并与内连接通孔耦合；以及一保护层，围绕内连接通孔的最外侧壁，其中保护层包含一最底表面，最底表面与蚀刻停止层的一上表面直接接触。本公开实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，包括：/n下导电结构，设置于基板的上方；/n蚀刻停止层，设置于所述下导电结构的上方；/n第一内连接介电层，设置于所述蚀刻停止层的上方；/n内连接通孔，延伸通过所述第一内连接介电层与所述蚀刻停止层，以与所述下导电结构直接接触；以及/n保护层，围绕所述内连接通孔的最外侧壁。/n

【技术特征摘要】
20191220 US 62/951,147;20200904 US 17/012,4271.一种集成芯片，包括：
下导电结构，设置于基板的上方；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：田希文，廖韦豪，戴羽腾，姚欣洁，吕志伟，李忠儒，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71