使用编程时间接近度管理存储器装置中数据单元的读取电压电平制造方法及图纸

本公开涉及使用编程时间接近度来管理存储器装置中的数据单元的读取电压电平。与存储器装置可操作地耦合的处理装置被配置为接收识别存储在存储器装置的数据单元中的数据的读取请求。所述处理装置进一步识别所述数据单元所相关联的数据单元组，所述数据单元组是多个数据单元组中的一个，并且所述数据单元组中的每个数据单元在与所述数据单元组相关联的时间段内被编程。所述处理装置还确定所述数据单元组的读取电压电平，所述多个数据单元组中的每组具有单独的读取电压电平。处理装置进一步使用所述数据单元组的读取电压电平对存储器装置的数据单元执行读取操作。

【技术实现步骤摘要】
使用编程时间接近度管理存储器装置中数据单元的读取电压电平
本公开总体上涉及存储器子系统，并且更具体地，涉及使用数据单元的编程时间接近度来管理存储器装置中的数据单元的读取电压电平。
技术介绍
存储器子系统可以包含一或多个存储数据的存储器装置。存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。通常，主机系统可以利用存储器子系统在存储器装置处存储数据并从存储器装置中检索数据。
技术实现思路
根据本公开的一些实施例描述一种系统。该系统包括：存储器装置；以及处理装置，该处理装置与该存储器装置可操作地耦合，以执行包括以下的操作：接收识别存储在该存储器装置的数据单元中的数据的读取请求；识别该数据单元所相关联的数据单元组，其中该数据单元组是多个数据单元组中的一个，并且其中该数据单元组中的每个数据单元在与该数据单元组相关联的时间段内被编程；确定该数据单元组的读取电压电平，其中该多个数据单元组中的每组具有单独的读取电压电平；以及使用该数据单元组的该读取电压电平对该存储器装置的该数据单元执行读取操作。根据本公开的一些实施例描述一种方法。该方法包括：接收识别存储在数据单元中的数据的读取请求；识别该数据单元所相关联的数据单元组，其中该数据单元组是多个数据单元组中的一个，并且其中该数据单元组中的每个数据单元在与该数据单元组相关联的时间段内被编程；确定是否为该数据单元组分配读取电压电平；响应于确定没有为该一组单元分配读取电压电平：使用默认读取电压电平，执行对存储在该数据单元中的数据的第一读取操作；以及响应于确定该第一读取操作失败：执行读取错误处理操作以确定第二读取电压电平，以及为该数据单元组分配该第二读取电压电平；以及使用该第二读取电压电平执行对存储在该数据单元中的数据的第二读取操作。根据本公开的一些实施例描述一种非暂态计算机可读存储介质。该非暂态计算机可读存储介质包括指令，当该指令由处理装置执行时促使该处理装置：接收识别存储在该存储器装置的数据单元中的数据的读取请求；识别该数据单元所相关联的数据单元组，其中该数据单元组是多个数据单元组中的一个，并且其中该数据单元组中的每个数据单元在与该数据单元组相关联的时间段内被编程；确定该数据单元组的读取电压电平，其中该多个数据单元组中的每组具有单独的读取电压电平；以及使用该数据单元组的该读取电压电平对该存储器装置的该数据单元执行读取操作。附图说明通过下面给出的详细描述和通过本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。图1示出了根据本公开的一些实施例的实例性计算系统，其用于支持存储器子系统中的数据单元的多个读取电压电平。图2是示出根据本公开的一些实施例的将存储器装置中的数据单元分配给数据单元组的框图。图3示出了根据本公开的一些实施例的实例性时间线，其用于在支持读取电压电平管理的过程中创建数据单元组并向数据单元组分配数据单元。图4是根据本公开的一些实施例的管理用于存储器子系统中的数据单元组的多个读取电压电平值的实例性方法的流程图。图5是根据本公开的一些实施例的确定存储器子系统中的一个数据单元组的读取电压电平的实例性方法的流程图。图6是根据本公开的一些实施例的使用来自存储器子系统中的数据单元组的不同读取电压电平值来执行读取操作的实例性方法的流程图。图7是可以在其中操作本公开的实施例的实例性计算机系统的框图。具体实施方式本公开的各方面涉及在执行对存储器子系统的存储器装置中存储的数据的读取操作时管理单独的读取电压电平。存储器子系统可以是存储装置、存储器模块，或者是存储装置和存储器模块的混合体。下面结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。通常，主机系统可以利用包含一或多个存储数据的存储器装置的存储器子系统。主机系统可以提供要存储在存储器子系统中的数据，并且可以请求从存储器子系统中检索数据。存储器子系统可以包含多个存储器装置，这些存储器装置可以存储来自主机系统的数据。存储器装置可以是非易失性存储器装置。非易失性存储器装置是一或多个管芯的封装。非易失性存储器装置的实例包括与非(NAND)型存储器装置。下面结合图1描述非易失性存储器装置的其他实例。封装中的管芯可以分配给一或多个通道，以用于与存储器子系统控制器进行通信。每个管芯可以由一或多个平面组成。平面可以分组为逻辑单元(LUN)。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND存储器装置)，每个平面由一组物理区块组成，其是用于存储数据的存储器单元的分组。单元是存储信息的电子电路。当将数据写入存储器装置的存储器单元和/或从其中擦除时，该存储器单元可能会受到一定程度的损坏。随着对存储器单元执行的写入操作和/或擦除操作的数量增加，存储在存储器单元中的数据包含错误的可能性增加，并且存储器单元越来越受到损坏。越来越多的读取和写入操作可能导致存储在存储器单元中的数据的错误率更高。这可能增加错误恢复操作的使用，其包含但不限于读取错误处理模块(REH)，该模块可以恢复数据以及确定正在读取的存储器单元的通过读取电压电平。通过读取电压电平可以指的是当在读取操作中使用时产生在可接受范围内的错误指标从而导致读取操作成功的读取电压电平。另外，在明显不同的时间被编程的存储器单元可能需要不同的读取电压电平以成功读取存储在存储器单元中的数据。因此，当存储器子系统处理来自各种存储器单元的读取操作时，存储器子系统可以更频繁地触发REH模块，以便获得正被读取的存储器单元的通过读取电压电平。增加使用错误恢复操作可能导致常规存储器子系统的性能下降。另外，随着错误率的不断增大，它甚至可能超过存储器子系统的错误恢复能力，从而导致无法挽回的数据丢失。此外，随着存储器子系统的更多资源用于执行错误恢复操作，更少的资源可用于执行其他读取操作或写入操作。对于某些存储器类型(即，对于采用某些类型的存储介质的存储器子系统)，错误率可能随时间变化。特别地，一些非易失性存储器具有作为时间函数移动的阈值电压(Vt)分布。在给定的读取电平下(即，作为读取操作的一部分施加到存储器单元的电压)，如果Vt分布移动，则某些可靠性统计也会受到影响。可靠性统计的一个实例是原始误码率(RBER)。RBER可以定义为错误位数与存储器子系统的数据单元中存储的所有数据位数之比，其中数据单元可以是整个存储器子系统、存储器装置的管芯、代码字集合、存储器装置页面集合、存储器装置块集合或存储器子系统的任何其他有意义的部分。对于某个时刻的任何Vt分布，可以存在最小化预期的RBER的最佳读取电压电平(或读取电平范围)。特别地，Vt分布和RBER可以是自对数据单元进行编程以来的时间的函数(即，自将数据写入数据单元以来经过的时间段)。由于RBER的时变特性以及存储器中的其他噪声机制，单个读取电压电平可能不足以实现满足某些系统可靠性目标的错误率。因此，某些存储器子系统可能需要多个预编程的读取电压电平，每个对应于在时间上彼此接近进行编程的一个数据单元组，以便最小化错误恢复操作的执行。这在数据单元的电压分布频繁变化的存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种系统，其包括：/n存储器装置；以及/n处理装置，所述处理装置与所述存储器装置可操作地耦合，以执行包括以下的操作：/n接收识别存储在所述存储器装置的数据单元中的数据的读取请求；/n识别所述数据单元所相关联的数据单元组，其中所述数据单元组是多个数据单元组中的一个，并且其中所述数据单元组中的每个数据单元在与所述数据单元组相关联的时间段内被编程；/n确定所述数据单元组的读取电压电平，其中所述多个数据单元组中的每组具有单独的读取电压电平；以及/n使用所述数据单元组的所述读取电压电平对所述存储器装置的所述数据单元执行读取操作。/n

【技术特征摘要】
20191220 US 62/951,786;20200303 US 16/807,7391.一种系统，其包括：
存储器装置；以及
处理装置，所述处理装置与所述存储器装置可操作地耦合，以执行包括以下的操作：
接收识别存储在所述存储器装置的数据单元中的数据的读取请求；
识别所述数据单元所相关联的数据单元组，其中所述数据单元组是多个数据单元组中的一个，并且其中所述数据单元组中的每个数据单元在与所述数据单元组相关联的时间段内被编程；
确定所述数据单元组的读取电压电平，其中所述多个数据单元组中的每组具有单独的读取电压电平；以及
使用所述数据单元组的所述读取电压电平对所述存储器装置的所述数据单元执行读取操作。


2.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个数据单元组中的每组包括在单独的相关联的时间段内被编程的数据单元。


3.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置执行包括以下的进一步的操作：
接收识别要存储在所述存储器装置上的数据的编程请求；
将所述数据编程到所述存储器装置的所述数据单元；以及
将所述数据单元分配给当前数据单元组，其中所述当前数据单元组包括在当前时间段内编程的数据单元。


4.根据权利要求1所述的系统，其中为了确定所述数据单元组的所述读取电压电平，所述处理装置执行包括以下的进一步的操作：
确定是否为所述数据单元组分配读取电压电平；
响应于确定没有为所述数据单元组分配读取电压电平：
使用默认读取电压电平，执行对存储在所述数据单元中的数据的第一读取操作；以及
响应于确定所述第一读取操作失败：
执行读取错误处理操作以确定第二读取电压电平，以及
为所述数据单元组分配所述第二读取电压电平。


5.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置执行包括以下的进一步的操作：
响应于检测到存储在所述数据单元中的数据被擦除，从分配给所述数据单元组的多个数据单元中移除所述数据单元。


6.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置执行包括以下的进一步的操作：
响应于确定使用所述数据单元组的所述读取电压电平的读取操作失败：
执行读取错误处理操作以确定第三读取电压电平，以及
为所述数据单元组分配所述第三读取电压电平，从而替换所述第二读取电压电平。


7.根据权利要求6所述的系统，其中为了确定所述读取操作失败，处理逻辑执行包括以下的进一步的操作：
确定所述读取操作导致满足阈值条件的读取误码率RBER值。


8.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理逻辑执行包括以下的进一步的操作：
接收识别存储在所述存储器装置的第二数据单元中的数据的第二读取请求；
识别所述第二数据单元所相关联的第二数据单元组，其中所述第二数据单元组与所述数据单元组相同；以及
使用所述数据单元组的所述读取电压电平对所述存储器装置的所述第二数据单元执行第二读取操作。


9.根据权利要求1所述的系统，其中处理逻辑执行包括以下的进一步的操作：
接收识别存储在所述存储器装置的第三数据单元中的数据的第三读取请求；
识别所述第三数据单元所相关联的第三数据单元组，其中所述第三数据单元组与所述数据单元组不同；
确定所述第三数据单元组的第二读取电压电平；以及
使用所述第三数据单元组的所述第二读取电压电平对所述存储器装置的所述第三数据单元执行第三读取操作。


10.一种方法，其包括：
接收识别存储在数据单元中的数据的读取请求；
识别所述数据单元所相关联的数据单元组，其中所述数据单元组是多个数据单元组中的一个，并且其中所述数据单元组中的每个数据单元在与所述数据单元组相关联的时间段内被编程；
确定是否为所述数据单元组分配读取电压电...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗婷，C·S·杨，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US