存储装置及其操作方法制造方法及图纸

技术编号:28977363 阅读:59 留言:0更新日期:2021-06-23 09:22
存储装置及其操作方法。本技术涉及一种电子装置。根据本技术的具有改进的存储块管理性能的存储器装置包括存储块、外围电路和控制逻辑。外围电路对多个物理页当中的所选物理页执行读操作和编程操作。控制逻辑控制外围电路读取存储在所述多个物理页当中的第一物理页中的第一逻辑页数据和存储在所述多个物理页当中的第二物理页中的第二逻辑页数据,并且使用所读取的第一逻辑页数据和第二逻辑页数据来将第二逻辑页数据另外编程到第一物理页中。

【技术实现步骤摘要】
存储装置及其操作方法
本公开涉及电子装置,更具体地,涉及一种存储装置及其操作方法。
技术介绍
存储装置在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据。存储装置可包括用于存储数据的存储器装置以及用于控制存储器装置中的数据存储的存储控制器。存储器装置可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置只有当其电源接通时才存储数据,当其电源被切断时丢失所存储的数据。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。非易失性存储器装置即使当其电源被切断时也不丢失数据。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存等。
技术实现思路
本公开的实施方式提供了一种表现出改进的存储块管理性能的存储装置及其操作方法。根据本公开的实施方式的存储器装置包括:包括多个物理页的存储块、外围电路和控制逻辑。外围电路对多个物理页当中的所选物理页执行读操作和编程操作。控制逻辑控本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置,该存储器装置包括:/n存储块,该存储块包括多个物理页;/n外围电路,该外围电路被配置为对所述多个物理页当中的所选物理页执行读操作和编程操作;以及/n控制逻辑,该控制逻辑被配置为控制所述外围电路读取存储在所述多个物理页当中的第一物理页中的第一逻辑页数据和存储在所述多个物理页当中的第二物理页中的第二逻辑页数据,并且使用所读取的第一逻辑页数据和第二逻辑页数据来将所述第二逻辑页数据另外编程到所述第一物理页中。/n

【技术特征摘要】
20191219 KR 10-2019-01712421.一种存储器装置,该存储器装置包括:
存储块,该存储块包括多个物理页;
外围电路,该外围电路被配置为对所述多个物理页当中的所选物理页执行读操作和编程操作;以及
控制逻辑,该控制逻辑被配置为控制所述外围电路读取存储在所述多个物理页当中的第一物理页中的第一逻辑页数据和存储在所述多个物理页当中的第二物理页中的第二逻辑页数据,并且使用所读取的第一逻辑页数据和第二逻辑页数据来将所述第二逻辑页数据另外编程到所述第一物理页中。


2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述外围电路包括读写电路,该读写电路被配置为存储从所述所选物理页读取的逻辑页数据或者要编程到所述所选物理页中的逻辑页数据。


3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中,所述读写电路包括:
第一页锁存器,该第一页锁存器被配置为存储所读取的第一逻辑页数据;以及
第二页锁存器,该第二页锁存器被配置为存储所读取的第二逻辑页数据。


4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中,所述控制逻辑控制所述外围电路,以使得使用存储在所述第一页锁存器和所述第二页锁存器中的所述第一逻辑页数据和所述第二逻辑页数据来将存储在所述第一物理页和所述第二物理页中的数据合并并且存储在所述第一物理页中。


5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述控制逻辑控制所述外围电路擦除包括在所述存储块中的子块当中的包括所述第一物理页的子块。


6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述控制逻辑控制所述外围电路读取存储在所述多个物理页当中的第三物理页中的第三逻辑页数据,并且使用所读取的第一逻辑页数据、第二逻辑页数据和第三逻辑页数据来将所述第二逻辑页数据和所述第三逻辑页数据另外编程到所述第一物理页中。


7.一种存储器装置,该存储器装置包括:
存储块;
外围电路,该外围电路被配置为对所述存储块执行读操作和编程操作;以及
控制逻辑,该控制逻辑被配置为控制所述外围电路将以第一编程方法存储在所述存储块中的第一数据以第二编程方法编程到所述存储块的第一区域中,
其中,所述第一编程方法是在一个存储器单元中存储n比特的编程方法,其中n是等于或大于1的自然数,并且
所述第二编程方法是在一个存储器单元中存储m比特的编程方法,其中m是大于n的自然数。


8.根据权利要求7所述的存储器装置,其中,所述控制逻辑控制所述外围电路擦除所述存储块中的除了所述第一区域之外的剩余第二区域。


9.根据权利要求8所述的存储器装置,其中,所述控制逻辑控制所述外围电路将第二数据以所述第一编程方法编程到所述第二区域中。


10.根据权利要求9所述的存储器装置,其中,所述控制逻辑控制所述外围电路将存储在所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘炳晟
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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