用于电子设备的热传导及保护涂覆件制造技术

提供了保护涂覆层、包括该保护涂覆层的电子设备及其制造方法。该电子设备包括基板、设置在基板上的薄膜电路层以及设置在薄膜电路层上的保护涂覆层。该保护涂覆层包括第一涂覆件和设置在第一涂覆件上方的第二涂覆件。每个涂覆件在正交于相应涂覆表面的方向上的横截面热传导率等于或高于0.5W/(m*K)。第一涂覆件和第二涂覆件具有不同的晶体结构、或不同的晶体取向、或不同的成分、或其组合，以提供不同的纳米压痕硬度。第一涂覆件的硬度低于第二涂覆件的硬度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电子设备的热传导及保护涂覆件优先权要求及交叉引用本申请要求于2018年7月10日提交的美国临时申请No.62/695969的权益，该申请通过参引其全部内容明确并入本文中。
本公开总体上涉及用于电子设备的涂覆件。更具体地，所公开的主题涉及用于电子设备的保护涂覆层，该电子设备比如指纹传感器和需要机械和环境保护以及有效热消散的其他薄膜电子设备。
技术介绍
基于“主动热感测”原理的指纹传感器包括像素阵列。每个像素都包括微型热发生器和基于薄膜设备的温度传感器。指纹图像是基于传感器表面区域的与指纹的“谷”和“脊”区域相对应的微小温差来映射的。在通过微型热发生器对传感器像素进行加热时，与指纹的“谷”区域相对应的局部传感器表面区域变得比与指纹的“脊”区域相对应的局部传感器表面区域更热。这是因为在“谷”区域中的热消散只能通过热辐射来发生，这要比在可以发生热传导和热辐射的“脊”区域中的热消散效率低得多。
技术实现思路
本公开提供了保护涂覆层、包括该保护涂覆层的电子设备及其制造方法。在一方面，本公开提供了一种电子设备。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备，包括：/n基板；/n薄膜电路层，所述薄膜电路层设置在所述基板上方；以及/n保护涂覆层，所述保护涂覆层设置在所述薄膜电路层上方，所述保护涂覆层包括：/n第一涂覆件；以及/n第二涂覆件，所述第二涂覆件设置在所述第一涂覆件上方，其中所述第一涂覆件和所述第二涂覆件中的每一者在正交于相应涂覆表面的方向上的横截面热传导率等于或高于0.5W/(m*K)，/n所述第一涂覆件和所述第二涂覆件具有不同的晶体结构、或不同的晶体取向、或不同的成分、或其组合，以提供使用纳米压痕测量的不同硬度，以及/n所述第一涂覆件的硬度低于所述第二涂覆件的硬度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180710 US 62/695,9691.一种电子设备，包括：
基板；
薄膜电路层，所述薄膜电路层设置在所述基板上方；以及
保护涂覆层，所述保护涂覆层设置在所述薄膜电路层上方，所述保护涂覆层包括：
第一涂覆件；以及
第二涂覆件，所述第二涂覆件设置在所述第一涂覆件上方，其中所述第一涂覆件和所述第二涂覆件中的每一者在正交于相应涂覆表面的方向上的横截面热传导率等于或高于0.5W/(m*K)，
所述第一涂覆件和所述第二涂覆件具有不同的晶体结构、或不同的晶体取向、或不同的成分、或其组合，以提供使用纳米压痕测量的不同硬度，以及
所述第一涂覆件的硬度低于所述第二涂覆件的硬度。


2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一涂覆件和所述第二涂覆件中的每一者由选自以下各者中的材料制成：类金刚石碳(DLC)、氮化硅、氮氧化硅、氮化硼、氮氧化硼、氮化铝、氮氧化铝、氮化铝硼、氮化硅硼、氮化硅铝、SiAlON、氮化钛铝、氮化铬、氮化钨及其组合。


3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一涂覆件的硬度在介于0.2GPa至1GPa的范围内，并且所述第二涂覆件的硬度在介于1.1GPa至10GPa的范围内。


4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一涂覆件的硬度在介于0.5GPa至10GPa的范围内，并且所述第二涂覆件的硬度在介于10.1GPa至20GPa的范围内。


5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述保护涂覆层具有包括所述第一涂覆件和所述第二涂覆件的两层结构。


6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述保护涂覆层具有三层夹置结构，所述三层夹置结构包括设置在所述第一涂覆件下方和所述薄膜电路层上方的附加的第二涂覆件。


7.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述保护涂覆层包括所述第一涂覆件与所述第二涂覆件交替的多个交替层。


8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一涂覆件由六方氮化硼(h-BN)制成，并且所述第二涂覆件由立方氮化硼(c-BN)制成。


9.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一涂覆件和所述第二涂覆件由六方氮化硼(h-BN)制成，所述第一涂覆件中的氮化硼的六边形平面定向成大致平行于所述保护涂覆层，并且所述第二涂覆件中的氮化硼的六边形平面定向成大致正交于所述保护涂覆层。


10.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一涂覆件和所述第二涂覆件由类金刚石碳(DLC)制成，并且所述第二涂覆件的sp3DLC结构与sp2DLC结构的比率高于所述第一涂覆件的sp3DLC结构与sp2DLC结构的比率。


11.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一涂覆件包括非晶态的氮化铝或具有随机定向的纤锌矿晶体结构的氮化铝，并且所述第二涂覆件包括具有纤锌矿晶体结构的氮化铝，在所述纤锌矿晶体结构中，001或002晶面方向定向成大致正交于所述保护涂覆层。


12.根据权利要求11所述的电子设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：马蒂亚斯·N·特罗科利，肖田，
申请(专利权)人：奈克斯特生物测定学集团公司，
类型：发明
国别省市：挪威;NO