【技术实现步骤摘要】
一种单相结构(CrZrVTiAl)N高熵陶瓷涂层及其制备方法
本专利技术涉及表面涂层
,具体涉及一种单相结构(CrZrVTiAl)N高熵陶瓷涂层及其制备方法。
技术介绍
氮化物陶瓷涂层如TiN、CrN、TiAlN、CrAlN、TiAlSiN等,因具有高熔点、高硬度、优异的耐磨性能和高温稳定性能,广泛应用于工具、刀具、模具等机械加工以及航空、航天、核能、冶金等机械装备领域。但随着服役环境和工况条件的不断提高,传统氮化物涂层已经无法满足使用要求,采用高熵概念制备新型氮化物高熵陶瓷涂层受到关注。氮化物高熵陶瓷涂层是一种由多种金属元素(五种或五种以上)和氮元素固溶为单一晶型的新型陶瓷,具有较高的熵值。与传统氮化物陶瓷涂层相比,氮化物高熵陶瓷涂层具有更高强度、更高硬度、优异的耐磨性和结构稳定性,在机械工程领域中具有更广阔的应用前景。2004年,T.K.Chen等人率先报道了采用直流磁控溅射技术,分别以FeCoNiCrCuAlMn和FeCoNiCrCuAl为合金靶,制备了(FeCoNiCrCuAlMn)N和(FeCoNiC ...
【技术保护点】
1.一种单相结构(CrZrVTiAl)N高熵陶瓷涂层,具有面心立方晶格单一晶型结构;所述单相结构(CrZrVTiAl)N高熵陶瓷涂层中Cr、Zr、V、Ti和Al为等摩尔比或近等摩尔比;所述Cr、Zr、V、Ti、Al的摩尔分数独立地为8~20%。/n
【技术特征摘要】
1.一种单相结构(CrZrVTiAl)N高熵陶瓷涂层,具有面心立方晶格单一晶型结构;所述单相结构(CrZrVTiAl)N高熵陶瓷涂层中Cr、Zr、V、Ti和Al为等摩尔比或近等摩尔比;所述Cr、Zr、V、Ti、Al的摩尔分数独立地为8~20%。
2.根据权利要求1所述的单相结构(CrZrVTiAl)N高熵陶瓷涂层,其特征在于,所述单相结构(CrZrVTiAl)N高熵陶瓷涂层的厚度为1~6μm。
3.根据权利要求1所述的单相结构(CrZrVTiAl)N高熵陶瓷涂层,其特征在于,所述Cr、Zr、V、Ti、Al的摩尔分数独立地为11~15%。
4.权利要求1~3任一项所述的单相结构(CrZrVTiAl)N高熵陶瓷涂层的制备方法,包括以下步骤:
采用多弧离子镀在基底表面沉积单相结构(CrZrVTiAl)N高熵陶瓷涂层。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,在沉积所述单相结构(CrZrVTiAl)N高熵陶瓷涂层前还包括:采用多弧离子镀在基底表面沉积CrZrVTiAl过渡层。
6.根据权利要求4所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘晓红,李红轩,许文举,吉利,周惠娣,陈建敏,
申请(专利权)人:中国科学院兰州化学物理研究所,
类型:发明
国别省市:甘肃;62
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