一种低散射特性吸波角锥结构制造技术

本发明专利技术公开了一种低散射特性吸波角锥结构，包括锥体底部和锥体中部；锥体底部具有第一菱形面；锥体中部具有第二菱形面和锥尖，第二菱形面和锥尖位于锥体中部两侧；第二菱形面和锥体底部远离第一菱形面一侧连接，锥体中部和锥体底部一体成型；通过将常规的角锥吸波材料的正方形底部横截面调整为第一菱形面，并且通过在锥体底部上设置的锥体中部，通过调整第一菱形面的尺寸和第二菱形面的尺寸，以及调整第一菱形面与第二菱形面的垂直距离、第二菱形面与锥尖的垂直距离，能够获得更好的低散射特性，进而能够将暗室背景噪声分贝值进一步降低。

【技术实现步骤摘要】
一种低散射特性吸波角锥结构
本专利技术涉及吸波角锥结构
，尤其涉及一种低散射特性吸波角锥结构。
技术介绍
紧缩场电波暗室是用来测量物体的低散射特性的一种暗室。其暗室内部有电磁波金属反射面，具有测试距离短的特点。它是测量被测设备的雷达截面积的测量设备，雷达截面积的大小就是隐身值，雷达截面积计算值由设备的实测的雷达截面积的分贝值与暗室的背景噪声分贝值扣减获得。如果暗室背景噪声分贝值越低，那么暗室能够测量雷达截面积也就越低，测量的系统不确定度越低，因此该值大小是衡量紧缩场暗室技术水平的重要指标。为了提高暗室技术水平，如何解决降低暗室背景噪声分贝值成为暗室用角锥吸波材料发展重点。目前降低暗室背景噪声分贝值是通过改变暗室背景墙的倾斜角度，将主墙与地面的90°垂直方式改成8°～12°倾斜方式，减少电磁波在背景墙反射入暗室静区的能量来实施，也可以通过扭转45°角锥吸波材料的铺设方式减少角锥吸波材料的向前散射特性来获得背景噪声分贝值的降低。但是由于现有的角锥吸波材料的低散射特性不足，获得背景分贝值只能达到-30dB～-40dB，导致获得暗室背景噪声分贝值降低十分有限。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种低散射特性吸波角锥结构，旨在解决现有的角锥吸波材料的低散射特性不足问题。为实现上述目的，本专利技术提供了一种低散射特性吸波角锥结构，包括锥体底部和锥体中部；所述锥体底部具有第一菱形面，所述第一菱形面的两条对角线比值为1:0.3～0.8；所述锥体中部具有第二菱形面和锥尖，所述第二菱形面和所述锥尖位于所述锥体中部两侧；所述第二菱形面和所述锥体底部远离所述第一菱形面一侧连接，所述锥体中部和所述锥体底部一体成型；所述第二菱形面的两条对角线比值为1：0.3～0.8。其中，所述第二菱形面距所述锥尖的垂直长度与所述第一菱形面距所述锥尖的垂直长度比值为0.3～0.8:1。其中，所述第一菱形面和所述锥尖的垂直距离为400～700毫米。其中，所述第一菱形面面积为14cm2～1344cm2；所述第二菱形面面积为1cm2～1000cm2。本专利技术的一种低散射特性吸波角锥结构，通过将常规的角锥吸波材料的正方形底部横截面调整为所述第一菱形面，并且在所述锥体底部上设置有所述锥体中部，通过调整所述第一菱形面的尺寸和所述第二菱形面的尺寸，以及调整所述第一菱形面与所述第二菱形面的垂直距离、所述第二菱形面与所述锥尖的垂直距离，能够获得更好的低散射特性，进而能够将暗室背景噪声分贝值进一步降低。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术的一种低散射特性吸波角锥结构的实施例的结构示意图；图2是本专利技术的一种低散射特性吸波角锥结构的另一实施例的结构示意图；图3是本专利技术的一种低散射特性吸波角锥结构的另一实施例的结构示意图。1-锥体底部、2-锥体中部、10-第一菱形面、20-第二菱形面、21-锥尖。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。请参阅图1～图3，本专利技术提供一种低散射特性吸波角锥结构：包括锥体底部1和锥体中部2；所述锥体底部1具有第一菱形面10，所述第一菱形面10的两条对角线比值为1:0.3～0.8；所述锥体中部2具有第二菱形面20和锥尖21，所述第二菱形面20和所述锥尖21位于所述锥体中部2两侧；所述第二菱形面20和所述锥体底部1远离所述第一菱形面10一侧连接，所述锥体中部2和所述锥体底部1一体成型；所述第二菱形面20的两条对角线比值为1：0.3～0.8。进一步的，所述第二菱形面20距所述锥尖21的垂直长度与所述第一菱形面10距所述锥尖21的垂直长度比值为0.3～0.8:1。进一步的，所述第一菱形面10和所述锥尖21的垂直距离为400～700毫米。进一步的，所述第一菱形面10面积为14cm2～1344cm2；所述第二菱形面20面积为1cm2～1000cm2。实施例1：在本实施方式中，所述锥尖角度为8°，所述第一菱形面和所述锥尖的垂直距离为700mm，所述第二菱形面面积为1cm2，所述第二菱形面短、长对角线长度比值为0.8:1，所述第一菱形面面积为14cm2，所述第一菱形面短、长对角线长度比值为0.8:1，所述第二菱形面和所述锥尖的垂直距离与所述第一菱形面和所述锥尖的垂直距离的比值为0.3:1，此时采用该结构的吸波单锥材料雷达截面积值为-40dBsm。实施例2：在本实施方式中，所述锥尖角度为32°，所述第一菱形面和所述锥尖的垂直距离为550mm，所述第二菱形面面积为120cm2，所述第二菱形面短、长对角线长度比值为0.6:1，所述第一菱形面面积为160cm2，所述第一菱形面短、长对角线长度比值为0.6:1，所述第二菱形面和所述锥尖的垂直距离与所述第一菱形面和所述锥尖的垂直距离的比值为0.5:1，此时采用该结构的吸波单锥材料雷达截面积值为-35dBsm。实施例3：在本实施方式中，所述锥尖角度为16°，所述第一菱形面和所述锥尖的垂直距离为650mm，所述第二菱形面面积为30cm2，所述第二菱形面短、长对角线长度比值为0.8:1，所述第一菱形面面积为40cm2，所述第一菱形面短、长对角线长度比值为0.8:1，所述第二菱形面和所述锥尖的垂直距离与所述第一菱形面和所述锥尖的垂直距离的比值为0.3:1，此时采用该结构的吸波单锥材料雷达截面积值为-40dBsm。下表为本专利技术的一种低散射角锥吸波结构的结构参数与计算数据表：本专利技术的工作原理及使用流程：本专利技术安装好过后，通过上表的测试数据可知，通过将常规的角锥吸波材料的正方形底部横截面调整为所述第一菱形面10，并且在所述锥体底部1上设置有所述锥体中部2，通过调整所述第一菱形面10的尺寸和所述第二菱形面20的尺寸，以及调整所述第一菱形面10与所述第二菱形面20的垂直距离、所述第二菱形面20与所述锥尖21的垂直距离，能够获得更好的低散射特性；通过测试数据显示，采用上述结构的吸波单锥材料的雷达截面积，比常规同等高度同等底部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低散射特性吸波角锥结构，其特征在于，包括锥体底部和锥体中部；所述锥体底部具有第一菱形面，所述第一菱形面的两条对角线比值为1:0.3～0.8；所述锥体中部具有第二菱形面和锥尖，所述第二菱形面和所述锥尖位于所述锥体中部两侧；所述第二菱形面和所述锥体底部远离所述第一菱形面一侧连接，所述锥体中部和所述锥体底部一体成型；所述第二菱形面的两条对角线比值为1：0.3～0.8。/n

【技术特征摘要】
1.一种低散射特性吸波角锥结构，其特征在于，包括锥体底部和锥体中部；所述锥体底部具有第一菱形面，所述第一菱形面的两条对角线比值为1:0.3～0.8；所述锥体中部具有第二菱形面和锥尖，所述第二菱形面和所述锥尖位于所述锥体中部两侧；所述第二菱形面和所述锥体底部远离所述第一菱形面一侧连接，所述锥体中部和所述锥体底部一体成型；所述第二菱形面的两条对角线比值为1：0.3～0.8。


2.如权利要求1所述的一种低散射特性吸波角...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡益民，李新涛，郭涛，刘文明，樊迪刚，
申请(专利权)人：南京航天波平电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32