一种低电磁波后向散射吸波体的制造方法技术

本发明专利技术涉及电磁波吸收材料领域，具体涉及一种低电磁波后向散射吸波体的制造方法，包括低电磁波后向散射层、吸波层和金属反射面，所述吸波层设置在所述低电磁波后向散射层和所述金属反射面之间，所述低电磁波后向散射层由多个吸波导管构成，从而可以更好地降低暗室的背景噪声。背景噪声。背景噪声。

【技术实现步骤摘要】
一种低电磁波后向散射吸波体的制造方法


[0001]本专利技术涉及电磁波吸收材料领域，尤其涉及一种低电磁波后向散射吸波体的制造方法。

技术介绍

[0002]微波暗室是室内测量低散射特性目标的工具。微波暗室内部铺设大量的角锥吸波材料，尤其在低散射目标测试射频暗室中，测量目标身后的吸波墙低散射特性决定着该暗室测量目标雷达截面积的水平。吸波墙的后向散射特性由吸波材料反射率，屏蔽金属反射面积以及吸波材料雷达散射截面积构成。根据大量的暗室工程实践，通过降低材料反射率来降低暗室的背景噪声是一个难以解决工程问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种低电磁波后向散射吸波体的制造方法，旨在可以更好的降低暗室的背景噪声。
[0004]为实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种低电磁波后向散射吸波体的制造方法，包括低电磁波后向散射层、吸波层和金属反射面，所述吸波层设置在所述低电磁波后向散射层和所述金属反射面之间，所述低电磁波后向散射层由多个吸波导管构成。
[0005]所述吸波导管的形状为为II或S型。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低电磁波后向散射吸波体，其特征在于，包括低电磁波后向散射层、吸波层和金属反射面，所述吸波层设置在所述低电磁波后向散射层和所述金属反射面之间，所述低电磁波后向散射层由多个吸波导管构成。2.如权利要求1所述的一种低电磁波后向散射吸波体，其特征在于，所述吸波导管的形状为为II或S型。3.如权利要求2所述的一种低电磁波后向散射吸波体，其特征在于，所述吸波导轨的壁厚为0.2～0.8mm，直径为3mm～6mm。4.如权利要求3所述的一种低电磁波后向散射吸波体，其特征在于，所述吸波层由软质聚氨酯角锥吸波材料构成，所述金属反射面由镀锌钢板组成。5.一种低电磁波后向散射吸波体的制造方法，用于制造如权利要求1
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4任意一项所述的低电磁波后向散射吸波体，其特征在于，包括：制造低电磁波后向散射层；将所述低电磁波后向散射层切割成楔形，并与所述吸波层连接；将金属反射面与所述吸波层连接。6.如权利要求5所述的一种低电磁波后向散射吸波体的制造方法，其特征在于，所述制...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡益民，黄亮，陈诚，杨梦杰，吴兆君，
申请(专利权)人：南京航天波平电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：