【技术实现步骤摘要】
以金属铝和高纯氮气为原料PVT法生长氮化铝晶体的方法
本专利技术涉及一种生长氮化铝晶体的方法。
技术介绍
AlN晶体生长过程主要包含以下两个反应：2AlN(s)→2Al(g)+N2(g)2AlN(s)←2Al(g)+N2(g)常规生长氮化铝晶体以氮化铝粉为原料，升华出铝蒸汽和氮气，然后铝蒸汽和氮气在结晶区进行晶体生长。氮化铝粉体纯度对晶体生长有着重要的影响。目前PVT法生长氮化铝晶体所用的原料为氮化铝粉。制备氮化铝粉的过程当中难免会有些杂质的引入，使氮化铝粉料纯度降低。从而对晶体生长产生不利的影响。目前市售的氮化铝粉料纯度不高，粉料当中有Na、W、Fe等杂质，这些杂质会影响晶体生长。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有方法以氮化铝粉体生长氮化铝晶体导致杂质会影响晶体生长的技术问题，提供了一种以金属铝和高纯氮气为原料PVT法生长氮化铝晶体的方法。一、将金属铝填充到生长坩埚中，抽真空至10-5Pa；二、以5-10℃/min的升温速度升温至1800-2000℃，升温结束后开始充氮气至750torr，然后保温30分钟；三、保温结束后，以3-5℃/min的升温速度升温至2100-2300℃，升温结束后，将炉压抽至600-700torr，并通过质量流量计控制氮气流量为100-150sccm，生长氮化铝晶体；四、长晶过程结束后将炉压充回至750torr，并以5-10℃/min的降温速度降至室温，即得氮化铝晶体。步骤一所述金属铝的纯...
【技术保护点】
1.以金属铝和高纯氮气为原料PVT法生长氮化铝晶体的方法，其特征在于所述PVT法生长氮化铝晶体的方法按照以下步骤进行：/n一、将金属铝填充到生长坩埚中，抽真空至10
【技术特征摘要】
1.以金属铝和高纯氮气为原料PVT法生长氮化铝晶体的方法，其特征在于所述PVT法生长氮化铝晶体的方法按照以下步骤进行：
一、将金属铝填充到生长坩埚中，抽真空至10-5Pa；
二、以5-10℃/min的升温速度升温至1800-2000℃，升温结束后开始充氮气至750torr，然后保温30分钟；
三、保温结束后，以3-5℃/min的升温速度升温至2100-2300℃，升温结束后，将炉压抽至600-700torr，并通过质量流量计控制氮气...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：哈尔滨化兴软控科技有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23
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