温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

以金属铝和高纯氮气为原料PVT法生长氮化铝晶体的方法，涉及一种生长氮化铝晶体的方法。它是为了解决现有方法以氮化铝粉体生长氮化铝晶体导致杂质会影响晶体生长的技术问题。本方法：一、将金属铝填充到生长坩埚中，抽真空；二、升温至1800‑2000℃...
该专利属于哈尔滨化兴软控科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨化兴软控科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。