HVPE排气、镓分离收集装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了HVPE排气、镓分离收集装置,它包括：反应腔（1）；分流装置（2），所述分流装置通过腔体排气管与反应腔连通；法兰（3），所述法兰与分流装置连通；第一阀门（4），所述第一阀门与分流装置连通；镓容器（5），所述镓容器与第一阀门连通；第二阀门（6），所述第二阀门与镓容器连通；排气管路（7），所述排气管路分别与第二阀门和法兰连通。本实用新型专利技术的有益效果是金属镓会通过分流装置流到镓容器内，不会流入排气管中，镓容器内流入一定量金属镓时，关闭第一阀门和第二阀门，更换镓容器即可，这样整个过程不用更换排气管。大大减少了设备保养频率，从而提高了生产效率，同时更好的回收金属镓。而且所用装置的结构简单有效。

【技术实现步骤摘要】
HVPE排气、镓分离收集装置
本技术涉及半导体材料与设备
，特别涉及氢化物气相外延(HVPE)技术生长氮化物半导体材料时，HVPE排气、镓分离收集装置。
技术介绍
GaN是继第一代以硅为代表的半导体材料和第二代以砷化镓为代表的半导体材料之后，迅速发展起来的第三代半导体材料。GaN具有直接能带结构，禁带宽度为3.4eV,还具有热导率高、电子饱和漂移速率大、击穿场强高、介电常数小等特性。因此在蓝、绿光和紫外光发光二极管（LED)、短波长激光二极管（LD）、紫外探测器和功率电子器件等多个领域都有广泛的应用前景，由于GaN体单晶的制备比较困难,难以得到大尺寸和质量比较好的体单晶GaN衬底，所以GaN的外延生长通常是以异质外延的方式进行的。但理论和实验都表明，采用GaN作衬底同质外延器件时，器件性能得到大幅度提高。因此制造GaN衬底成为人们关注的焦点。HVPE是一种比较经典氢化物汽相外延设备，借助于高温化学汽相生产工艺来生产单晶材料，其工艺成熟、设备相对简单、可控性好、制造成本低，生长速率较快，一般可以达到100μm/h，十分适合制备自支撑氮化物衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.HVPE排气、镓分离收集装置,其特征是：它包括：反应腔（1）；分流装置（2），所述分流装置通过腔体排气管与反应腔连通；法兰（3），所述法兰与分流装置连通；第一阀门（4），所述第一阀门与分流装置连通；镓容器（5），所述镓容器与第一阀门连通；第二阀门（6），所述第二阀门与镓容器连通；排气管路（7），所述排气管路分别与第二阀门和法兰连通。/n

【技术特征摘要】
1.HVPE排气、镓分离收集装置,其特征是：它包括：反应腔（1）；分流装置（2），所述分流装置通过腔体排气管与反应腔连通；法兰（3），所述法兰与分流装置连通；第一阀门（4），所述第一阀门与分流装置连通；镓容器（5），所述镓容器与第一阀门连通；第二阀门（6），所述第二阀门与镓容器连通；排气管路（7），所述排气管路分别与第二阀门和法兰连通。


2.如权利要求1所述的HVPE排气、镓分离收集装置,其特征是：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李枝旺，王亮，
申请(专利权)人：镓特半导体科技铜陵有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34