一种LPCVD多晶炉工艺炉膛制造技术

本发明专利技术公开了一种LPCVD多晶炉工艺炉膛，包括机架，所述机架用于支撑加热器和管口法兰，所述管口法兰固装有工艺管，所述工艺管内部可滑动放置的晶舟，用于承载需进行工艺的晶片，所述工艺管内壁顶部安装有可拆卸的沉积板；由于沉积掉落是在晶片的顶部区域，则顶部区域的左右分别设置一个滑道板，滑道板之间的顶部圆弧区域设置可抽插的可拆卸的沉积板，定期抽出清洗或更换即可，这样就可以有效延长工艺管的更换时间，不浪费机台有效的工作时间，明显的增大产能和最有效的减少操作者的工作量。

【技术实现步骤摘要】
一种LPCVD多晶炉工艺炉膛
本专利技术涉及光伏领域设备，特别是涉及一种LPCVD多晶炉工艺炉膛。
技术介绍
常规的LPCVD光伏领域设备，在工艺中有SIH4工艺气体，在工艺过程中气体在工艺管内进行挥发对晶片进行工艺膜的生长，同时在工艺管内表面也会有沉积和结晶，经过几个炉次的工艺过程后，工艺管内表面的沉积层也会逐渐变厚，由于与工艺管为不同的材质其膨胀系数不同，变厚后即自行脱落，脱落后的片层和粉尘即掉落在管内晶舟的晶片上，对于晶片的质量是一个严重污染，要想解决这个问题就需要在结晶层还不会掉落的情况下，就经常性的拆卸工艺管，进行清洗等工作，这样就极大的损失有效的工作时间，浪费产能和增加操作者的工作量。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提供一种LPCVD多晶炉工艺炉膛，极大的延长工艺炉次，只要按照吸附严重情况将工艺管内壁顶部可拆卸沉积板从炉门一侧抽出，清洗或备份一个可拆卸沉积板的圆弧型薄板替换使用，即可以很好解决这个问题，不用更换工艺炉膛为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：一种LPCVD多晶炉工艺炉膛，包括机架，所述机架用于支撑加热器和管口法兰，所述管口法兰固装有工艺管，所述工艺管内部可滑动放置的晶舟，用于承载需进行工艺的晶片，所述工艺管内壁顶部安装有可拆卸的沉积板。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述工艺管内壁顶部两侧安装有滑道板，用于支撑并导向所述沉积板。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述沉积板的垂直投影区域覆盖所述晶舟的所在区域。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述沉积板的长度大于所述加热器的长度，所述加热器的长度大于所述晶舟的长度。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述沉积板与所述工艺管和所述晶舟不接触。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述沉积板为不锈钢板。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述加热器两端与所述工艺管之间密封环装有散热软封堵，用于阻挡加热器和工艺管之间的间隙散热。与现有技术相比，本专利技术能达到的有益效果是：由于吸附掉落是在晶片的顶部区域，则顶部区域的左右分别设置一个滑道板，滑道板之间的顶部圆弧区域设置可抽插的可拆卸的沉积板，定期抽出清洗或更换即可。对于工艺管顶部以外的区域，虽然有结晶层增厚，但是不会掉落到晶片上，对晶片没有影响，如果有掉落会存落在工艺管底部，在晶片出炉后可以用其他长刷等物品擦扫出来即可。工艺管内壁顶部之外区域特别严重了才需要进行工艺管的更换清洗，这样就可以有效延长工艺管的更换时间，不浪费机台有效的工作时间，明显的增大产能和最有效的减少操作者的工作量。附图说明图1为本专利技术所述的LPCVD多晶炉的工艺炉膛的整体结构示意图；图2为本专利技术所述的LPCVD多晶炉的工艺炉膛侧面剖视结构示意图；图3为A处的结构放大示意图；图4为B处的结构放大示意图；图5为C处的结构放大示意图；其中：1、机架；2、加热器；3、管口法兰；4、工艺管；5、晶舟；6、沉积板；7、滑道板；8、散热软封堵。具体实施方式为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本专利技术，但下述实施例仅仅为本专利技术的优选实施例，并非全部。基于实施方式中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其它实施例，都属于本专利技术的保护范围。请参照图1至图4所示，本专利技术提供一种LPCVD多晶炉工艺炉膛，包括机架1，所述机架1用于支撑加热器2和管口法兰3，所述管口法兰3固装有工艺管4，所述工艺管4内部可滑动放置的晶舟5，用于承载需进行工艺的晶片，所述工艺管4内壁顶部安装有可拆卸的沉积板6。沉积板6的材质优选为不锈钢材质，不锈钢可以耐腐蚀和高温，且成本低，更重要的是工艺管采用不锈钢材质，这样采用相同的材质，更容易从之前需要更换工艺管周期的经验，判断沉积板6的更换周期。由于上述设置的沉积板是可拆卸的，定期抽出清洗或更换即可，无需对工艺管进行更换。请参阅图3所示，工艺管4内壁顶部两侧安装有滑道板7，用于支撑并导向所述沉积板6；有了滑道板7的导向作用，在更换沉积板6时就更加便捷。请参阅图4所示，要想工艺管4顶部的片层和粉尘完全不掉落与晶舟5所承载的晶片上，就必须满足：沉积板6的垂直投影区域覆盖所述晶舟5的所在区域，图中显示了一个优选实施例，沉积板6为弧形，还可以选择其他形状，例如平板形，则相应的滑道板7也需要相适配的变形。请参阅图1所示，所述沉积板6的长度大于所述加热器2的长度，所述加热器2的长度大于所述晶舟5的长度。沉积板6的长度大于加热器2的长度，有利于沉积板遮挡面积更广；加热器2的长度大于晶舟5的长度，是为了让需要加热进行工艺过程的晶片能够更好地受热。请参阅图5所示，所述加热器2两端与所述工艺管4之间密封环装有散热软封堵8，用于阻挡加热器和工艺管之间的间隙散热，更好地保证晶片的工艺过程中温度的恒定。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本专利技术的优选例，并不用来限制本专利技术，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LPCVD多晶炉工艺炉膛，包括机架(1)，所述机架(1)用于支撑加热器(2)和管口法兰(3)，所述管口法兰(3)固装有工艺管(4)，所述工艺管(4)内部可滑动放置的晶舟(5)，用于承载需进行工艺的晶片，其特征在于，所述工艺管(4)内壁顶部安装有可拆卸的沉积板(6)。/n

【技术特征摘要】
1.一种LPCVD多晶炉工艺炉膛，包括机架(1)，所述机架(1)用于支撑加热器(2)和管口法兰(3)，所述管口法兰(3)固装有工艺管(4)，所述工艺管(4)内部可滑动放置的晶舟(5)，用于承载需进行工艺的晶片，其特征在于，所述工艺管(4)内壁顶部安装有可拆卸的沉积板(6)。


2.根据权利要求1所述的一种LPCVD多晶炉工艺炉膛，其特征在于：所述工艺管(4)内壁顶部两侧安装有滑道板(7)，用于支撑并导向所述沉积板(6)。


3.根据权利要求2所述的一种LPCVD多晶炉工艺炉膛，其特征在于：所述沉积板(6)的垂直投影区域覆盖所述晶舟(5)的所在区域。


4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋立禄，张海林，刘国霞，滕玉朋，吴季浩，
申请(专利权)人：青岛赛瑞达电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37