一种LPCVD多晶炉工艺炉膛制造技术

本发明专利技术公开了一种LPCVD多晶炉工艺炉膛，包括机架，所述机架用于支撑加热器和管口法兰，所述管口法兰固装有工艺管，所述工艺管内部可滑动放置的晶舟，用于承载需进行工艺的晶片，所述工艺管内壁顶部安装有可拆卸的沉积板；由于沉积掉落是在晶片的顶部区域，则顶部区域的左右分别设置一个滑道板，滑道板之间的顶部圆弧区域设置可抽插的可拆卸的沉积板，定期抽出清洗或更换即可，这样就可以有效延长工艺管的更换时间，不浪费机台有效的工作时间，明显的增大产能和最有效的减少操作者的工作量。

【技术实现步骤摘要】
一种LPCVD多晶炉工艺炉膛
本专利技术涉及光伏领域设备，特别是涉及一种LPCVD多晶炉工艺炉膛。
技术介绍
常规的LPCVD光伏领域设备，在工艺中有SIH4工艺气体，在工艺过程中气体在工艺管内进行挥发对晶片进行工艺膜的生长，同时在工艺管内表面也会有沉积和结晶，经过几个炉次的工艺过程后，工艺管内表面的沉积层也会逐渐变厚，由于与工艺管为不同的材质其膨胀系数不同，变厚后即自行脱落，脱落后的片层和粉尘即掉落在管内晶舟的晶片上，对于晶片的质量是一个严重污染，要想解决这个问题就需要在结晶层还不会掉落的情况下，就经常性的拆卸工艺管，进行清洗等工作，这样就极大的损失有效的工作时间，浪费产能和增加操作者的工作量。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提供一种LPCVD多晶炉工艺炉膛，极大的延长工艺炉次，只要按照吸附严重情况将工艺管内壁顶部可拆卸沉积板从炉门一侧抽出，清洗或备份一个可拆卸沉积板的圆弧型薄板替换使用，即可以很好解决这个问题，不用更换工艺炉膛为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：一种LPCVD多晶炉工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LPCVD多晶炉工艺炉膛，包括机架(1)，所述机架(1)用于支撑加热器(2)和管口法兰(3)，所述管口法兰(3)固装有工艺管(4)，所述工艺管(4)内部可滑动放置的晶舟(5)，用于承载需进行工艺的晶片，其特征在于，所述工艺管(4)内壁顶部安装有可拆卸的沉积板(6)。/n

【技术特征摘要】
1.一种LPCVD多晶炉工艺炉膛，包括机架(1)，所述机架(1)用于支撑加热器(2)和管口法兰(3)，所述管口法兰(3)固装有工艺管(4)，所述工艺管(4)内部可滑动放置的晶舟(5)，用于承载需进行工艺的晶片，其特征在于，所述工艺管(4)内壁顶部安装有可拆卸的沉积板(6)。


2.根据权利要求1所述的一种LPCVD多晶炉工艺炉膛，其特征在于：所述工艺管(4)内壁顶部两侧安装有滑道板(7)，用于支撑并导向所述沉积板(6)。


3.根据权利要求2所述的一种LPCVD多晶炉工艺炉膛，其特征在于：所述沉积板(6)的垂直投影区域覆盖所述晶舟(5)的所在区域。


4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋立禄，张海林，刘国霞，滕玉朋，吴季浩，
申请(专利权)人：青岛赛瑞达电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37