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本发明公开了一种LPCVD多晶炉工艺炉膛,包括机架,所述机架用于支撑加热器和管口法兰,所述管口法兰固装有工艺管,所述工艺管内部可滑动放置的晶舟,用于承载需进行工艺的晶片,所述工艺管内壁顶部安装有可拆卸的沉积板;由于沉积掉落是在晶片的顶部区域...该专利属于青岛赛瑞达电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过青岛赛瑞达电子科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种LPCVD多晶炉工艺炉膛,包括机架,所述机架用于支撑加热器和管口法兰,所述管口法兰固装有工艺管,所述工艺管内部可滑动放置的晶舟,用于承载需进行工艺的晶片,所述工艺管内壁顶部安装有可拆卸的沉积板;由于沉积掉落是在晶片的顶部区域...