【技术实现步骤摘要】
成膜方法及成膜装置
本专利技术涉及用于在基板上形成薄膜的成膜方法及成膜装置。
技术介绍
以往,已知有通过溅射等在基板上形成薄膜的技术。然而,在基板表面设置有凹凸的情况下,有时在要形成的薄膜的内部会形成被称为空隙的空洞。关于这一点,参照图10进行说明。图10是通过现有例的成膜方法形成薄膜的基板的示意性剖视图。在图示的基板710的表面设置有凸部711和凹部712。图10(a)表示进行成膜处理的过程中的初期的状态。如该图所示,在形成的膜720a中,形成于凸部711的上表面的膜形成为其一部分朝向凹部712侧突出并覆盖。因此,若直接实施成膜处理,则在凹部712的上方会形成空隙V。图10(b)表示进行成膜直至薄膜720b的上表面成为大致平面状的情况下的状态。这样,若形成空隙V,则有时无法得到所希望的功能、品质。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特表2015-529744号公报专利文献2:日本特开2012-67394号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术 ...
【技术保护点】
1.一种成膜方法,对沿着与第一方向交叉的第二方向交替地形成有在所述第一方向上延伸的凸部和在所述第一方向上延伸的凹部的基板进行成膜,其特征在于,/n该成膜方法包括:/n一边在所述第二方向上搬送所述基板一边形成薄膜的工序;/n第一蚀刻工序,一边使形成有所述薄膜的所述基板在所述第二方向上搬送,一边向所述基板照射第一蚀刻用射束而进行蚀刻;以及/n第二蚀刻工序,一边使被所述第一蚀刻用射束照射了的所述基板在所述第二方向上搬送,一边从与所述第一蚀刻用射束不同的照射方向向所述基板照射第二蚀刻用射束而进行蚀刻。/n
【技术特征摘要】
20191202 JP 2019-2180791.一种成膜方法,对沿着与第一方向交叉的第二方向交替地形成有在所述第一方向上延伸的凸部和在所述第一方向上延伸的凹部的基板进行成膜,其特征在于,
该成膜方法包括:
一边在所述第二方向上搬送所述基板一边形成薄膜的工序;
第一蚀刻工序,一边使形成有所述薄膜的所述基板在所述第二方向上搬送,一边向所述基板照射第一蚀刻用射束而进行蚀刻;以及
第二蚀刻工序,一边使被所述第一蚀刻用射束照射了的所述基板在所述第二方向上搬送,一边从与所述第一蚀刻用射束不同的照射方向向所述基板照射第二蚀刻用射束而进行蚀刻。
2.根据权利要求1所述的成膜方法,其特征在于,
在所述第一蚀刻工序和所述第二蚀刻工序中,搬送所述基板的方向为反向。
3.根据权利要求1或2所述的成膜方法,其特征在于,
所述第一蚀刻用射束的照射方向和所述第二蚀刻用射束的照射方向均与所述第一方向垂直。
4.根据权利要求1或2所述的成膜方法,其特征在于,
在将包含由所述第一蚀刻用射束及所述第二蚀刻用射束照射的照射部和由保持被搬送的基板的保持构件保持的保持面的法线且与所述第一方向平行的面假定为交界面时,
所述第一蚀刻用射束从隔着所述交界面划分的2个区域中的一个区域照射,所述第二蚀刻用射束从所述2个区域中的另一个区域照射。
5.根据权利要求4所述的成膜方法,其特征在于,
所述第一蚀刻用射束与所述法线相交的角度中的锐角侧的角度、以及所述第二蚀刻用射束与所述法线相交的角度中的锐角侧的角度均为10°以上且75°以下。
6.根据权利要求4所述的成膜方法,其特征在于,
所述成膜工序中的对基板照射成膜材料的方向与所述法线平行。
7.根据权利要求1或2所述的成膜方法,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:竹见崇,阿部可子,
申请(专利权)人:佳能特机株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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