【技术实现步骤摘要】
成膜方法和成膜装置
本专利技术涉及一种用于在基板上形成薄膜的成膜方法和成膜装置。
技术介绍
以往,已知通过溅射等在基板上形成薄膜的技术。然而,在基板表面设置有凹凸的情况下,有时会在所形成的薄膜的内部形成被称为孔隙的空腔。关于这一点,参照图10进行说明。图10是通过以往例的成膜方法形成薄膜的基板的示意性的剖视图。在图示的基板710的表面设置有凸部711和凹部712。图10的(a)表示进行成膜处理的过程中的初始的状态。如该图所示,对于形成的膜720a,形成于凸部711的上表面的膜以其一部分朝向凹部712侧突出并覆盖其上的方式形成。因此,若直接实施成膜处理,则会在凹部712的上方形成孔隙V。图10的(b)表示进行成膜直到薄膜720b的上表面成为大致平面状为止的情况下的状态。这样,若形成孔隙V,则有时无法得到所期望的功能、质量。这样产生孔隙的原因在于,根据通过溅射而使颗粒附着的基板的凹部上表面、凸部上表面、侧面,成膜率有所不同,膜厚产生差异。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特表2015-52974 ...
【技术保护点】
1.一种成膜方法,在沿着与第1方向交叉的第2方向交替地形成有沿所述第1方向延伸的凸部和沿所述第1方向延伸的凹部的基板上进行成膜,其特征在于,/n所述成膜方法包括:/n成膜工序,向所述基板照射成膜材料,形成薄膜;以及/n蚀刻工序,向形成有所述薄膜的所述基板照射蚀刻用射束,进行蚀刻,/n照射所述成膜材料的方向和照射所述蚀刻用射束的方向相对于所述基板的成膜面的法线倾斜,且两者的照射角度设定为相同。/n
【技术特征摘要】
20191202 JP 2019-2181091.一种成膜方法,在沿着与第1方向交叉的第2方向交替地形成有沿所述第1方向延伸的凸部和沿所述第1方向延伸的凹部的基板上进行成膜,其特征在于,
所述成膜方法包括:
成膜工序,向所述基板照射成膜材料,形成薄膜;以及
蚀刻工序,向形成有所述薄膜的所述基板照射蚀刻用射束,进行蚀刻,
照射所述成膜材料的方向和照射所述蚀刻用射束的方向相对于所述基板的成膜面的法线倾斜,且两者的照射角度设定为相同。
2.根据权利要求1所述的成膜方法,其特征在于,
一边输送所述基板,一边进行所述成膜工序和所述蚀刻工序。
3.根据权利要求2所述的成膜方法,其特征在于,
输送所述基板的方向能够改变朝向地进行。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的成膜方法,其特征在于,
所述成膜工序中的照射所述成膜材料的方向和照射所述蚀刻用射束的方向均与所述第1方向垂直。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的成膜方法,其特征在于,
所述成膜工序中的照射所述成膜材料的方向和照射所述蚀刻用射束的方向均与包含所述第1方向和所述法线的面平行。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的成膜方法,其特征在于,
所述成膜工序中的照射所述成膜材料的方向与所述法线相交的角度中的锐角侧的角度...
【专利技术属性】
技术研发人员:内田敏治,松本行生,
申请(专利权)人:佳能特机株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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