一种电磁辐射抑制装置以及电子元器件制造方法及图纸

技术编号:28900717 阅读:66 留言:0更新日期:2021-06-16 00:07
本实用新型专利技术实施例提供了一种电磁辐射抑制装置以及电子元器件,电磁辐射抑制装置包括导体和磁性体。磁性体具有用于贴合至电路板的第一表面,导体穿设磁性体,且导体的两端穿出磁性体后向电路板的方向延伸,并与电路板贴附,以使磁性体抑制导体接入的电路产生的特定频段的电磁辐射。通过上述技术方案使得在导体所接入的电路通电后,磁性体能够抑制电路产生的电磁辐射,实现较好的滤波效果,能够有效地避免引发电磁兼容等问题,且随着磁性体的尺寸的改变能够抑制的高频信号的频段也随之改变,也就是可以通过调整磁性体的尺寸从而有针对性地抑制电路中的特定频段。

【技术实现步骤摘要】
一种电磁辐射抑制装置以及电子元器件
本技术涉及电子元器件
,尤其涉及一种电磁辐射抑制装置以及电子元器件。
技术介绍
目前高频电子电路上因为运行信号,造成电路在运行的过程中会产生高频辐射,如果该高频辐射不能得到有效地抑制,会造成电磁兼容等问题发生,使得电路的稳定性较差。现有技术中常采用金属屏蔽罩对高频辐射进行抑制,但是金属屏蔽罩的成本较高,且对设计空间的要求较大,还有采用吸波材质以吸收或者大幅减弱电磁波能量,但是采用吸波材料也存在设计成本较高和占用空间大的问题。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述技术问题,本技术提供了一种电磁辐射抑制装置以及电子元器件,通过导体与磁性体的穿设关系,能够在导体接入的电路通电时使特定的频率产生振荡效应,从而使电场和磁场相互转换抵消后无法继续传播以达到滤波效果。本技术实施例提供了一种电磁辐射抑制装置,包括:导体;磁性体,其具有用于贴合至电路板的第一表面,所述导体穿设所述磁性体,且所述导体的两端穿出所述磁性体后向所述电路板的方向延伸,并与所述电路板贴附,以使所述磁性体抑制所述导体所接入的电路产生的特定频段的电磁辐射。在一些实施例中,所述导体穿出所述磁性体的相对的两端。在一些实施例中,所述导体的两端以贴附于所述磁性体的相对的两端的端面的方式延伸至所述电路板,以增加所述导体与所述磁性体的接触面积。在一些实施例中,所述磁性体采用铁硅铝或铁氧体磁性材料制成。在一些实施例中,所述磁性体的形状为立方体,所述导体穿设于所述磁性体的中间,且所述导体位于所述磁性体内的埋设部平行于所述电路板所在板面。在一些实施例中,所述磁性体的第一表面的长度为30密耳,宽度为22密耳,且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为30密耳,宽度为24密耳,所述导体由所述磁性体的第二表面穿入,并由与所述第二表面相对的第三表面穿出,以抑制电磁波频率为4吉赫的电磁辐射。在一些实施例中,所述磁性体的第一表面的长度为143密耳,宽度为3密耳,且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为143密耳,宽度为3密耳,所述导体由所述磁性体的第二表面穿入,并由与所述第二表面相对的第三表面穿出,以抑制电磁波频率为4.6吉赫的电磁辐射;或所述磁性体的第一表面的长度为30密耳,宽度为22密耳,且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为30密耳,宽度为36密耳,所述导体由所述磁性体的第二表面穿入,并由与所述第二表面相对的第三表面穿出,以抑制电磁波频率为3.78吉赫的电磁辐射。在一些实施例中,所述磁性体的第一表面的长度为44密耳,宽度为30密耳,且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为36密耳,宽度为30密耳,所述导体由所述磁性体的第二表面穿入,并由与所述第二表面相对的第三表面穿出,以抑制电磁波频率为2.9吉赫的电磁辐射;或所述磁性体的第一表面的长度为66密耳,宽度为30密耳,且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为36密耳,宽度为30密耳,所述导体由所述磁性体的第二表面穿入,并由与所述第二表面相对的第三表面穿出,以抑制电磁波频率为2.76吉赫的电磁辐射。在一些实施例中,所述磁性体的第一表面的长度为60密耳,宽度为20密耳,且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为60密耳,宽度为12密耳,所述导体由所述磁性体的第二表面穿入,并由与所述第二表面相对的第三表面穿出,以抑制电磁波频率为4.8吉赫的电磁辐射;或所述磁性体的第一表面的长度为60密耳,宽度为60密耳,且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为60密耳,宽度为60密耳,所述导体由所述磁性体的第二表面穿入,并由与所述第二表面相对的第三表面穿出,以抑制电磁波频率为2.38吉赫的电磁辐射;或所述磁性体的第一表面的长度为60密耳,宽度为20密耳,且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为60密耳,宽度为60密耳,所述导体由所述磁性体的第二表面穿入,并由与所述第二表面相对的第三表面穿出,以抑制电磁波频率为5.1吉赫的电磁辐射。本技术实施例还提供了一种电子元器件,包括电路板,所述电子元器件还包括上述的电磁辐射抑制装置,所述电磁辐射抑制装置串联至所述电路板的电路上。与现有技术相比,本技术实施例的有益效果在于:本技术通过磁性体贴合电路板的第一表面,以及导体穿设磁性体后贴附电路板,在导体所接入的电路通电后,磁性体能够抑制电路产生的电磁辐射,实现较好的滤波效果,能够有效地避免引发电磁兼容等问题,且随着磁性体的尺寸的改变能够抑制的高频信号的频段也随之改变,也就是可以通过调整磁性体的尺寸从而有针对性地抑制电路产生的特定频段。另外,磁性体相较于现有技术中的能够抑制高频辐射的元器件具有较好的技术效果,例如,相较于共模电感,该磁性体并没有额外的线圈,因此能够避免产生很高的感抗,相较于磁珠、电容、电感等高插入损耗的滤波器,该磁性体能够更好的保证高频信息的完整性,且导体和磁性体的结构较为简单,更便于将该电磁辐射抑制装置设置在高频信号的源头进行滤波和电磁辐射的抑制。附图说明在不一定按比例绘制的附图中,相同的附图标记可以在不同的视图中描述相似的部件。具有字母后缀或不同字母后缀的相同附图标记可以表示相似部件的不同实例。附图大体上通过举例而不是限制的方式示出各种实施例,并且与说明书以及权利要求书一起用于对所公开的实施例进行说明。在适当的时候,在所有附图中使用相同的附图标记指代同一或相似的部分。这样的实施例是例证性的,而并非旨在作为本装置或方法的穷尽或排他实施例。图1为本技术实施例包含电磁辐射抑制装置的电子元器件的结构示意图;图2为本技术实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为20密耳、30密耳以及24密耳时的S11曲线图;图3为本技术实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为20密耳、30密耳以及24密耳时的S21曲线图;图4为本技术实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为3密耳、143密耳以及3密耳时的S11曲线图;图5为本技术实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为3密耳、143密耳以及3密耳时的S21曲线图;图6为本技术实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为22密耳、30密耳以及36密耳时的S11曲线图;图7为本技术实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为22密耳、30密耳以及36密耳时的S21曲线图;图8为本技术实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为44密耳、30密耳以及36密耳时的S11曲线图;图9为本技术实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为44密耳、30密耳以及36密耳时的S21曲线图;图10为本技术实施例电磁辐射抑制装置的磁性体的长宽高分别为66密耳、30密耳以及36密耳时的S11曲线图;图11为本技术实施例电磁辐射抑制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁辐射抑制装置,其特征在于,包括:/n导体;/n磁性体,其具有用于贴合至电路板的第一表面,所述导体穿设所述磁性体,且所述导体的两端穿出所述磁性体后向所述电路板的方向延伸,并与所述电路板贴附,以使所述磁性体抑制所述导体所接入的电路产生的特定频段的电磁辐射。/n

【技术特征摘要】
1.一种电磁辐射抑制装置,其特征在于,包括:
导体;
磁性体,其具有用于贴合至电路板的第一表面,所述导体穿设所述磁性体,且所述导体的两端穿出所述磁性体后向所述电路板的方向延伸,并与所述电路板贴附,以使所述磁性体抑制所述导体所接入的电路产生的特定频段的电磁辐射。


2.根据权利要求1所述的电磁辐射抑制装置,其特征在于,所述导体穿出所述磁性体的相对的两端。


3.根据权利要求2所述的电磁辐射抑制装置,其特征在于,所述导体的两端以贴附于所述磁性体的相对的两端的端面的方式延伸至所述电路板,以增加所述导体与所述磁性体的接触面积。


4.根据权利要求3所述的电磁辐射抑制装置,其特征在于,所述磁性体采用铁硅铝或铁氧体磁性材料制成。


5.根据权利要求4所述的电磁辐射抑制装置,其特征在于,所述磁性体的形状为立方体,所述导体穿设于所述磁性体的中间,且所述导体位于所述磁性体内的埋设部平行于所述电路板所在板面。


6.根据权利要求5所述的电磁辐射抑制装置,其特征在于,所述磁性体的第一表面的长度为30密耳,宽度为22密耳,且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为30密耳,宽度为24密耳,所述导体由所述磁性体的第二表面穿入,并由与所述第二表面相对的第三表面穿出,以抑制电磁波频率为4吉赫的电磁辐射。


7.根据权利要求5所述的电磁辐射抑制装置,其特征在于,所述磁性体的第一表面的长度为143密耳,宽度为3密耳,且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为143密耳,宽度为3密耳,所述导体由所述磁性体的第二表面穿入,并由与所述第二表面相对的第三表面穿出,以抑制电磁波频率为4.6吉赫的电磁辐射;或
所述磁性体的第一表面的长度为30密耳,宽度为22密耳,且所述磁性体上与所述第一表面相邻的第二表面的长度为30密耳,宽度为36密耳,所述导体由所述磁性...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏伟
申请(专利权)人:合肥联宝信息技术有限公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

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