一种硅片检测机构及镀膜设备制造技术

技术编号:28897521 阅读:13 留言:0更新日期:2021-06-15 23:59
本实用新型专利技术涉及太阳能电池生产技术领域,公开一种硅片检测机构及镀膜设备。该硅片检测机构包括传输组件、检测组件和转移组件,传输组件用于承接并传输的待镀膜硅片,检测组件位于传输组件的上方,检测组件能够检测传输组件上的待镀膜硅片的表面的反射率,转移组件与检测组件电连接,转移组件被配置为根据检测组件的检测结果将待镀膜硅片转移至对应的石英舟内。本实用新型专利技术提供的硅片检测机构,转移组件能够根据检测组件的检测结果将待镀膜硅片转移至对应的石英舟内,以将待镀膜硅片分类,每个石英舟对应一种镀膜工艺参数,每个待镀膜硅片均能在与其表面的反射率相匹配的工艺参数下进行镀膜处理,保证了硅片表面的镀膜效果,产品质量高。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片检测机构及镀膜设备
本技术涉及太阳能电池生产
,尤其涉及一种硅片检测机构及镀膜设备。
技术介绍
太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。在太阳能电池的生产工艺中,太阳能电池通常要经过制绒、扩散、刻蚀、镀膜、丝网印刷及烧结六大工序。其中,制绒工艺是将硅片放入碱溶液中进行腐蚀,移载硅片表面形成细小的金字塔状结构,从而减低硅片的反射率,有效的绒面结构可以使入射光在硅片表面多次反射和折射,增加光的吸收,有助于提高电池的性能;镀膜工艺的目的是采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片正面镀氮化硅膜,减少太阳光反射以及对硅片表面起钝化作用。但是,在镀膜过程中,硅片表面的绒面结构的反射率会影响镀膜的工艺参数,如果选用的镀膜工艺参数与硅片表面的绒面结构的反射率不匹配,会使镀膜后的硅片膜色异常,影响硅片的使用性能。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种硅片检测机构及镀膜设备,可以检测硅片表面的绒面结构的反射率,从而选择相匹配的镀膜工艺参数,降低硅片膜色异常风险,保证硅片的质量。如上构思,本技术所采用的技术方案是:一种硅片检测机构,包括:传输组件,用于承接并传输的待镀膜硅片;检测组件,位于所述传输组件的上方,所述检测组件能够检测所述传输组件上的所述待镀膜硅片的表面的反射率;转移组件,与所述检测组件电连接,所述转移组件被配置为根据所述检测组件的检测结果将所述待镀膜硅片转移至对应的石英舟内。作为一种硅片检测机构的优选方案,所述待镀膜硅片的表面设置有多个预设测试点,所述检测组件被配置为检测多个所述预设测试点的反射率。作为一种硅片检测机构的优选方案,所述检测组件包括:固定支架,设置于所述传输组件的上方;检测件,滑动设置于所述固定支架上,且所述检测件能沿垂直于所述传输组件的传输方向滑动。作为一种硅片检测机构的优选方案,所述固定支架上设置有导向滑轨,所述检测件上设置有导向滑块,所述导向滑块滑动配合于所述导向滑轨。作为一种硅片检测机构的优选方案,所述硅片检测机构还包括防偏移组件,所述防偏移组件能够检测所述传输组件上的所述待镀膜硅片是否偏移。作为一种硅片检测机构的优选方案,所述防偏移组件包括位于所述传输组件上方的位置相机,所述位置相机能够获取所述传输组件上的所述待镀膜硅片的位置信息。作为一种硅片检测机构的优选方案,所述传输组件包括:传输支架;传输驱动件,设置于所述传输支架上;主动辊和从动辊,分别转动设置于所述传输支架的两端,所述传输驱动件的输出端与所述主动辊相连接,以驱动所述主动辊旋转;传输皮带,绕设于所述主动辊和所述从动辊,所述传输皮带能够传输所述待镀膜硅片。作为一种硅片检测机构的优选方案,所述传输组件还包括限位件,所述限位件为设置于所述传输皮带两侧的挡板。作为一种硅片检测机构的优选方案,所述转移组件包括:机械手本体,位于所述传输组件和所述石英舟之间;吸附部,设置于所述机械手本体的端部,所述吸附部能够吸附所述待镀膜硅片。为达上述目的,本技术还提供一种镀膜设备,包括如以上任一方案所述的硅片检测机构。本技术的有益效果为:本技术提出的硅片检测机构,通过设置传输组件,传输组件能够承接上一工序的待镀膜硅片,并用于待镀膜硅片的传输,检测组件能够对传输组件上的待镀膜硅片表面的反射率进行检测,转移组件能够根据检测组件的检测结果将待镀膜硅片转移至对应的石英舟内,以将待镀膜硅片分类,每个石英舟对应一种镀膜工艺参数,每个待镀膜硅片均能在与其表面的反射率相匹配的工艺参数下进行镀膜处理,保证了硅片表面的镀膜效果,产品质量高。本技术还提供一种镀膜设备,包括上述的硅片检测机构,可以将硅片进行分类,以使硅片在与其表面的反射率相匹配的工艺参数下进行镀膜处理,保证硅片表面膜色正常,使其具有良好的使用性能。附图说明图1是本技术实施例提供的硅片检测机构的结构示意图;图2是本技术实施例提供的硅片检测机构检测的硅片表面的预设测试点的分布示意图;图3是本技术实施例提供的硅片检测机构的传输组件的结构示意图。图中:100-硅片;200-石英舟;1-传输组件;11-传输支架;12-传输驱动件;13-主动辊;14-从动辊;15-传输皮带;2-检测组件;21-固定支架;22-检测件;3-转移组件;31-机械手本体;32-吸附部。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术,而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。在本专利技术的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。在本实施例的描述中,术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述和简化操作,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分,并没有特殊的含义。如图1所示,本实施例提供一种镀膜设备,该镀膜设备主要用于在硅片100正面镀氮化硅膜,减少太阳光反射以及对硅片100表面起钝化作用。该镀膜设备包括镀膜炉、石英舟200和旋转机构,旋转机构设置于镀膜炉内,石英舟200上能够承载待镀膜硅片100,石英舟200可拆卸连接于旋转机构上,当操作人员将承载有待镀膜硅片100的石英舟200安装于旋转机构上之后,关闭镀膜炉的开口,并向镀膜炉内通入工艺气体,旋转机构驱动石英舟200旋转,使待镀膜硅片100充分与工艺气体相接触,以在待镀膜硅片100的表面镀膜。但是,镀膜炉内工艺气体的浓度、温度及压力等工艺参数需要与待镀膜硅片100表面的绒面结构的反射率相匹配,如果镀膜工艺参数与待镀膜硅片100表面的绒面结构的反射率不匹配,会造成硅片100表面的膜色异常,进而影响硅片100的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片检测机构,其特征在于,包括:/n传输组件(1),用于承接并传输的待镀膜硅片(100);/n检测组件(2),位于所述传输组件(1)的上方,所述检测组件(2)能够检测所述传输组件(1)上的所述待镀膜硅片(100)的表面的反射率;/n转移组件(3),与所述检测组件(2)电连接,所述转移组件(3)被配置为根据所述检测组件(2)的检测结果将所述待镀膜硅片(100)转移至对应的石英舟(200)内。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片检测机构,其特征在于,包括:
传输组件(1),用于承接并传输的待镀膜硅片(100);
检测组件(2),位于所述传输组件(1)的上方,所述检测组件(2)能够检测所述传输组件(1)上的所述待镀膜硅片(100)的表面的反射率;
转移组件(3),与所述检测组件(2)电连接,所述转移组件(3)被配置为根据所述检测组件(2)的检测结果将所述待镀膜硅片(100)转移至对应的石英舟(200)内。


2.根据权利要求1所述的硅片检测机构,其特征在于,所述待镀膜硅片(100)的表面设置有多个预设测试点,所述检测组件(2)被配置为检测多个所述预设测试点的反射率。


3.根据权利要求1所述的硅片检测机构,其特征在于,所述检测组件(2)包括:
固定支架(21),设置于所述传输组件(1)的上方;
检测件(22),滑动设置于所述固定支架(21)上,且所述检测件(22)能沿垂直于所述传输组件(1)的传输方向滑动。


4.根据权利要求3所述的硅片检测机构,其特征在于,所述固定支架(21)上设置有导向滑轨,所述检测件(22)上设置有导向滑块,所述导向滑块滑动配合于所述导向滑轨。


5.根据权利要求1所述的硅片检测机构,其特征在于,所述硅片检测机构还包括防偏移组件,所述防偏移组件能够检测所述传输组件(1)上的所述待镀膜硅片(100)是否偏移...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙津刘恩华张晨鑫姜大俊
申请(专利权)人:盐城阿特斯阳光能源科技有限公司阿特斯阳光电力集团股份有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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