一种晶体生长温度控制系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种晶体生长温度控制系统，包括晶体生长炉和控制器，晶体生长炉内设有坩埚，坩埚的底端连接有旋转装置，坩埚的左侧设有平行于晶体生长炉的升降装置，升降装置上滑动连接有第一加热板，坩埚的右侧设有第二加热板，第二加热板包括上部加热区、中部加热区和下部加热区，下部加热区与第一加热板的加热面积相等，坩埚的后方设有多个非接触式温度传感器，多个非接触式温度传感器的感应端分别与坩埚的上部、中部和下部对应，控制器内设有第一通讯模块，控制器连接有远程控制端。本实用新型专利技术通过控制器控制第一加热板在升降装置上移动，最终达到调控热场的目的，第二加热板可以针对坩埚不同部位提高温度，旋转装置使得坩埚受热均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长温度控制系统
本技术涉及晶体生长
，具体来说，涉及一种晶体生长温度控制系统。
技术介绍
随着晶体生长技术的不断发展，对晶体生长技术的可操作性需求不断提高，目前晶体生长方法有很多，工业中对于晶体的质量要求也越来越高，晶体一般是在具有特定热场条件的晶体生长炉中来制备的，高品质晶体的制备，对于晶体生长炉中的热场要求尤为苛刻，要使得晶体生长炉中的热场满足要求，就需要随时对热场中的温度进行监控，特别对于晶体制备的温度分布持续变化，难以调控。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的上述技术问题，本技术提出一种晶体生长温度控制系统，能够解决上述问题。为实现上述技术目的，本技术的技术方案是这样实现的：一种晶体生长温度控制系统，包括晶体生长炉和控制器，所述晶体生长炉内设置有坩埚，所述坩埚的底端连接有旋转装置，所述坩埚的左侧设置有平行于所述晶体生长炉的升降装置，所述升降装置上滑动连接有第一加热板，所述坩埚的右侧设置有第二加热板，所述第二加热板包括上部加热区、中部加热区和下部加热区，所述下部加热区与所述第一加热板的加热面积相等，所述坩埚的后方设置有多个非接触式温度传感器，多个所述非接触式温度传感器的感应端分别与所述坩埚的上部、中部和下部一一对应，所述控制器内设置有第一通讯模块，所述控制器连接有远程控制端，所述远程控制端内设置有与所述第一通讯模块相匹配的第二通讯模块，所述控制器分别与所述旋转装置、升降装置、所述第一加热板、所述第二加热板和多个所述非接触式温度传感器电连接。进一步的，所述上部加热区、所述中部加热区和所述下部加热区之间分别设置有隔热层。进一步的，所述控制器连接有报警器，所述报警器设置于晶体生长炉的外壁。进一步的，所述升降装置包括导轨，所述导轨的一端设置有平行于所述导轨的电机，所述电机连接有用于移动所述第一加热板的丝杆。进一步的，所述第一加热板和所述第二加热板为凹形板。本技术的有益效果：本技术设置有第一加热板、第二加热板、控制器、旋转装置、非接触式温度传感器和升降装置，控制器通过非接触式温度传感器所感应的坩埚温度，控制第一加热板在升降装置上移动，最终达到调控热场的目的，第二加热板分为上部加热区、中部加热区和下部加热区，可以针对坩埚不同部位提高温度，旋转装置使得坩埚受热均匀。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是根据本技术实施例所述的一种晶体生长温度控制系统的结构示意图。图中：1.晶体生长炉，2.坩埚，3.旋转装置，4.第一加热板，5.上部加热区，6.中部加热区，7.下部加热区，8.非接触式温度传感器，9.远程控制端，10.隔热层，11.报警器。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，根据本技术实施例所述的一种晶体生长温度控制系统，包括晶体生长炉1和控制器，所述晶体生长炉1内设置有坩埚2，所述坩埚2的底端连接有旋转装置3，所述坩埚2的左侧设置有平行于所述晶体生长炉1的升降装置，所述升降装置上滑动连接有第一加热板4，所述坩埚2的右侧设置有第二加热板，所述第二加热板包括上部加热区5、中部加热区6和下部加热区7，所述下部加热区7与所述第一加热板4的加热面积相等，所述坩埚2的后方设置有多个非接触式温度传感器8，多个所述非接触式温度传感器8的感应端分别与所述坩埚2的上部、中部和下部一一对应，所述控制器内设置有第一通讯模块，所述控制器连接有远程控制端9，所述远程控制端9内设置有与所述第一通讯模块相匹配的第二通讯模块，所述控制器分别与所述旋转装置3、升降装置、所述第一加热板4、所述第二加热板和多个所述非接触式温度传感器8电连接。在本技术的一个具体实施例中，所述上部加热区5、所述中部加热区6和所述下部加热区7之间分别设置有隔热层10。在本技术的一个具体实施例中，所述控制器连接有报警器11，所述报警器11设置于晶体生长炉1的外壁。在本技术的一个具体实施例中，所述升降装置包括导轨，所述导轨的一端设置有平行于所述导轨的第一电机，所述第一电机连接有用于移动所述第一加热板4的丝杆。在本技术的一个具体实施例中，所述旋转装置3包括第二电机，所述第二电机的输出端连接有转盘，所述转盘上固定连接有坩埚2。为了方便理解本技术的上述技术方案，以下通过具体使用方式上对本技术的上述技术方案进行详细说明。在具体使用时，根据本技术的一种晶体生长温度控制系统，控制器通过非接触式温度传感器8所感应的坩埚2温度，控制第一加热板4在升降装置上移动，达到调控热场的目的，第二加热板分为上部加热区5、中部加热区6和下部加热区7，可以针对坩埚不同部位提高温度，同时旋转装置3带动坩埚2旋转，使得坩埚2均匀受热，当晶体生长炉1内的温度超出设定值范围时，控制器控制报警器11发出报警信号，远程控制端9可以通过第二通讯模块向第一通讯模块发出调整温度设定值的控制指令，控制器接收该控制指令，修改温度设定值。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体生长温度控制系统，包括晶体生长炉（1）和控制器，其特征在于，晶体生长炉（1）内设置有坩埚（2），所述坩埚（2）的底端连接有旋转装置（3），所述坩埚（2）的左侧设置有平行于所述晶体生长炉（1）的升降装置，所述升降装置上滑动连接有第一加热板（4），所述坩埚（2）的右侧设置有第二加热板，所述第二加热板包括上部加热区（5）、中部加热区（6）和下部加热区（7），所述下部加热区（7）与所述第一加热板（4）的加热面积相等，所述坩埚（2）的后方设置有多个非接触式温度传感器（8），多个所述非接触式温度传感器（8）的感应端分别与所述坩埚（2）的上部、中部和下部一一对应，所述控制器内设置有第一通讯模块，所述控制器连接有远程控制端（9），所述远程控制端（9）内设置有与所述第一通讯模块相匹配的第二通讯模块，所述控制器分别与所述旋转装置（3）、升降装置、所述第一加热板（4）、所述第二加热板和多个所述非接触式温度传感器（8）电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长温度控制系统，包括晶体生长炉（1）和控制器，其特征在于，晶体生长炉（1）内设置有坩埚（2），所述坩埚（2）的底端连接有旋转装置（3），所述坩埚（2）的左侧设置有平行于所述晶体生长炉（1）的升降装置，所述升降装置上滑动连接有第一加热板（4），所述坩埚（2）的右侧设置有第二加热板，所述第二加热板包括上部加热区（5）、中部加热区（6）和下部加热区（7），所述下部加热区（7）与所述第一加热板（4）的加热面积相等，所述坩埚（2）的后方设置有多个非接触式温度传感器（8），多个所述非接触式温度传感器（8）的感应端分别与所述坩埚（2）的上部、中部和下部一一对应，所述控制器内设置有第一通讯模块，所述控制器连接有远程控制端（9），所述远程控制端（9）内设置有与所述第一通讯模块相匹配的第二通讯模块，所述控制器分别与所述旋转装置（3）、升降装置、所述第一加热板（4）、所述第二加...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏钰坤，夏宗仁，曹义育，曹远虎，程红鹏，张婷，夏文英，
申请(专利权)人：江西匀晶光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36