一种砷化镓晶体生长用续料装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于砷化镓晶体生产设备技术领域，提供了一种砷化镓晶体生长用续料装置，包括多温区炉本体，所述多温区炉本体的上部设置续料机构；所述续料机构包括放料框、操作板、收料斗、续料管和连接套，所述放料框的下部对应设置所述收料斗，所述收料斗的下部设置所述续料管，所述续料管的端部设置所述连接套，且所述连接套沿所述续料管的长度方向转动设置；所述放料框的内部设置捅料机构，所述捅料机构包括固定板、伸缩杆和下料杆，所述伸缩杆的下部设置所述下料杆。本实用新型专利技术提供的一种砷化镓晶体生长用续料装置，利于进行续料，密封效果佳，提高砷化镓晶体的生产质量。

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓晶体生长用续料装置
本技术涉及砷化镓晶体生产设备
，具体涉及一种砷化镓晶体生长用续料装置。
技术介绍
垂直梯度凝固法是近年来发展起来的一种单晶生长方法，其生长过程大致如下：将合成好的化合物半导体多晶、原料、密封剂以及籽晶装入坩埚并密封在抽真空的安瓿瓶中(针对不同的材料，其坩埚、密封剂及密封装置的选择有所不同)，多温区炉垂直放置，采用多温区电阻丝加热，安瓿瓶垂直放入多温区炉中间；高温下将多晶熔化后与籽晶进行熔接，生长过程中热场由计算机精确控制，进行升温化料，温度保持、缓慢降温等，生长界面由熔体下端逐渐向上移动，在一定的温度梯度下，单晶从籽晶端开始缓慢向上生长；现有技术中，如果需要进行续料时，必须要打开多温区炉，但是操作麻烦，影响生产时的密封效果，降低砷化镓晶体的生产质量。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本技术提供一种砷化镓晶体生长用续料装置，利于进行续料，密封效果佳，提高砷化镓晶体的生产质量。为达到上述目的，本技术采用如下的技术方案：一种砷化镓晶体生长用续料装置，包括多温区炉本体，所述多温区炉本体的上部设置续料机构；所述续料机构包括放料框、操作板、收料斗、续料管和连接套，所述放料框的下部设置卡槽，所述操作板的一端对应设置所述卡槽内；所述放料框的下部对应设置所述收料斗；所述收料斗的下部设置所述续料管，所述续料管的端部设置所述连接套，且所述连接套沿所述续料管的长度方向转动设置；所述放料框的内部设置捅料机构，所述捅料机构包括固定板、伸缩杆和下料杆，所述固定板的两端分别设置于所述放料框内壁的两相对侧边；所述固定板的下部中间端设置所述伸缩杆，所述伸缩杆的下部设置所述下料杆。作为一种改进的技术方案，所述卡槽的内壁依次均设置密封垫，所述密封垫为硅橡胶材质构件设置。作为一种改进的技术方案，所述固定板的截面为三角形构件设置。作为一种改进的技术方案，所述下料杆的端部设置插料头，所述插料头为圆锥状构件设置。作为一种改进的技术方案，所述操作板沿所述卡槽横向设置，且所述操作板的端部竖向设置提手板。作为一种改进的技术方案，所述续料管的端部设置外螺纹，所述连接套的内部设置内螺纹，且所述外螺纹与所述内螺纹匹配设置。作为一种改进的技术方案，所述放料框的上部设置上盖，所述上盖的上部设置把手。作为一种改进的技术方案，所述放料框的外壁设置观察窗，所述观察窗设置有两个，且所述观察窗分别设置于所述放料框的两相对侧边。由于采用以上技术方案，本技术具有以下有益效果：本技术提供一种砷化镓晶体生长用续料装置，包括多温区炉本体，所述多温区炉本体的上部设置续料机构；所述续料机构包括放料框、操作板、收料斗、续料管和连接套，所述放料框的下部设置卡槽，所述操作板的一端对应设置所述卡槽内；所述放料框的下部对应设置所述收料斗，所述收料斗的下部设置所述续料管，所述续料管的端部设置所述连接套，且所述连接套沿所述续料管的长度方向转动设置；所述放料框的内部设置捅料机构，所述捅料机构包括固定板、伸缩杆和下料杆，所述伸缩杆的下部设置所述下料杆；基于以上机构，结构简单且操作方便，利于进行续料，密封效果佳，提高砷化镓晶体的生产质量。本技术中，所述卡槽的内壁依次均设置密封垫，所述密封垫为硅橡胶材质构件设置；基于以上机构，增强密封效果，避免物料的泄漏。本技术中，所述固定板的截面为三角形构件设置；基于以上机构，利于物料的下落，避免物料停留在所述固定板的上部。本技术中，所述下料杆的端部设置插料头，所述插料头为圆锥状构件设置；基于以上机构，利于插入物料中，有效的防止发生堵料事故。本技术中，所述操作板沿所述卡槽横向设置，且所述操作板的端部竖向设置提手板；基于以上机构，便于所述操作板进行沿所述卡槽进行移动设置。本技术中，所述续料管的端部设置外螺纹，所述连接套的内部设置内螺纹，且所述外螺纹与所述内螺纹匹配设置；基于以上机构，便于与下部设置的安瓿瓶进行连接。本技术中，所述放料框的上部设置上盖，所述上盖的上部设置把手；基于以上机构，便于添加物料至所述放料框内。本技术中，所述放料框的外壁设置观察窗，所述观察窗设置有两个，且所述观察窗分别设置于所述放料框的两相对侧边；基于以上机构，通过查看及时对所述放料框添加物料。综上所述,本技术提供的一种砷化镓晶体生长用续料装置，利于进行续料，密封效果佳，提高砷化镓晶体的生产质量，同时安装和拆卸方便，利于推广使用。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。图1为一种砷化镓晶体生长用续料装置结构示意图；图2为放料框结构示意图；图3为捅料机构结构示意图；图4为续料管安装示意图。附图中，1、多温区炉本体，2、续料机构，21、放料框，22、操作板，23、收料斗，24、续料管，241、外螺纹，25、连接套，251、内螺纹，3、卡槽，31、密封垫，4、捅料机构，41、固定板，42、伸缩杆，43、下料杆，5、插料头，6、提手板，7、上盖，71、把手，8、观察窗。具体实施方式下面将结合具体实施例对本技术技术方案进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本技术的保护范围。如图1-4所示，本技术提供一种砷化镓晶体生长用续料装置，包括多温区炉本体1，多温区炉本体1的上部设置续料机构2，续料机构2用于添加物料；续料机构2包括放料框21、操作板22、收料斗23、续料管24和连接套25，放料框21的上部设置上盖7，上盖7的上部设置把手71，设置把手71便于添加物料至放料框21内；放料框21用支架进行支撑，图中未示出；放料框21的外壁设置观察窗8，观察窗8设置有两个，且观察窗8分别设置于放料框21的两相对侧边，设置观察窗8通过查看及时对放料框21添加物料；放料框21的下部设置卡槽3，操作板22的一端对应设置卡槽3内，卡槽3的内壁依次均设置密封垫31，密封垫31为硅橡胶材质构件设置，增强密封效果，避免物料的泄漏；操作板22沿卡槽3横向设置，且操作板22的端部竖向设置提手板6，便于操作板22进行沿卡槽3进行移动设置；放料框21的下部对应设置收料斗23，用于物料收集，方便下料，避免残留；收料斗23的下部设置续料管24，续料管24的端部设置连接套25，且连接套25沿续料管24的长度方向转动设置；续料管24的端部设置外螺纹241，连接套25的内部设置内螺纹251，且外螺纹241与内螺纹251匹配设置，便于进行安装和拆卸；连接套25用于与下部设置的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种砷化镓晶体生长用续料装置，其特征在于：包括多温区炉本体，所述多温区炉本体的上部设置续料机构；/n所述续料机构包括放料框、操作板、收料斗、续料管和连接套，所述放料框的下部设置卡槽，所述操作板的一端对应设置所述卡槽内；所述放料框的下部对应设置所述收料斗；/n所述收料斗的下部设置所述续料管，所述续料管的端部设置所述连接套，且所述连接套沿所述续料管的长度方向转动设置；/n所述放料框的内部设置捅料机构，所述捅料机构包括固定板、伸缩杆和下料杆，所述固定板的两端分别设置于所述放料框内壁的两相对侧边；/n所述固定板的下部中间端设置所述伸缩杆，所述伸缩杆的下部设置所述下料杆。/n

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓晶体生长用续料装置，其特征在于：包括多温区炉本体，所述多温区炉本体的上部设置续料机构；
所述续料机构包括放料框、操作板、收料斗、续料管和连接套，所述放料框的下部设置卡槽，所述操作板的一端对应设置所述卡槽内；所述放料框的下部对应设置所述收料斗；
所述收料斗的下部设置所述续料管，所述续料管的端部设置所述连接套，且所述连接套沿所述续料管的长度方向转动设置；
所述放料框的内部设置捅料机构，所述捅料机构包括固定板、伸缩杆和下料杆，所述固定板的两端分别设置于所述放料框内壁的两相对侧边；
所述固定板的下部中间端设置所述伸缩杆，所述伸缩杆的下部设置所述下料杆。


2.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生长用续料装置，其特征在于：所述卡槽的内壁依次均设置密封垫，所述密封垫为硅橡胶材质构件设置。


3.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生长用续料装置，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马争荣，王建玲，
申请(专利权)人：高密普特电子设备有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37