类单晶生长铸锭炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种类单晶生长铸锭炉，包括炉体、支撑台、加热装置和均温件。支撑台用于支撑炉体，加热装置用于对支撑台加热，热量通过支撑台传递至炉体，均温件与支撑台和炉体中的至少一个连接，以用于将温度均匀传递到炉体的温度。根据本实用新型专利技术的类单晶生长铸锭炉，通过在支撑台和炉体中的至少一个上设置均温件，由此可以使温度在多个方向传递，使炉体底部的温场更加均匀，从而可以避免因炉体底部的局部区域温度过高而导致单晶生长过程中出现位错。

【技术实现步骤摘要】
类单晶生长铸锭炉
本技术涉及类单晶生长铸锭炉
，尤其是涉及一种类单晶生长铸锭炉。
技术介绍
当前类单晶生长铸锭炉采用加热的方式来准确控制类单晶生长铸锭炉的温度。类单晶生长的过程中，位错等缺陷的占比是评价类单晶品质的关键参数，位错的产生与生长与长晶过程中的长晶温度分布有直接关系，温度分布决定了长晶界面，长晶界面决定应力分布，应力是造成位错的直接原因，因此控制长晶过程的温度分布对位错的控制具有直接的关系。但是在实际的铸造类单晶热场中由于底部加热器及底部散热结构的存在，很容易造成温度的分布不均匀，因此极容易造成较多位错的产生。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种类单晶生长铸锭炉。该类单晶生长铸锭炉具有加热均匀的优点。根据本技术的类单晶生长铸锭炉，包括：炉体；支撑台，所述支撑台用于支撑所述炉体；加热装置，所述加热装置用于对所述支撑台加热，热量通过所述支撑台传递至所述炉体；均温件，所述均温件与所述支撑台和所述炉体中的至少一个连接，以用于将温度均匀传递到所述炉体的温度。根据本技术实施例的类单晶生长铸锭炉，通过在支撑台和炉体中的至少一个上设置均温件，由此可以使温度在多个方向传递，使炉体底部的温场更加均匀，从而可以避免因炉体底部的局部区域温度过高而导致单晶生长过程中出现位错。在一些实施例中，所述均温件铺设于所述支撑台朝向所述炉体的表面。在一些实施例中，所述均温件嵌设于所述支撑台内部。在一些实施例中，所述均温件嵌设于所述炉体的底壁内。在一些实施例中，所述均温件为保温件。在一些实施例中，所述均温件为碳碳纤维板。在一些实施例中，所述均温件为碳碳纤维编制层。在一些实施例中，所述加热装置为加热电路。在一些实施例中，所述加热电路包括：并联连接第一石墨棒和第二石墨棒，所述第一石墨棒和所述第二石墨棒平行设置，所述炉体与所述第一石墨棒的中部和所述第二石墨棒的中部对应。在一些实施例中，所述加热电路还包括：石墨块，所述石墨块设于所述第一石墨棒的端部，所述石墨块与所述第一石墨棒和所述第二石墨棒均电连接。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是相关技术中炉体底部温度分布曲线；图2是相关技术中炉体底部类单晶生长状态，其中条纹结构的阴影为类单晶生长过程中出现的位错，其中图中虚线框框出的位置位错现象尤为明显；图3是根据本技术实施例的类单晶生长铸锭炉的均温件的表面纹理结构图；图4是根据本技术实施例的类单晶生长铸锭炉的结构示意图；图5是根据本技术实施例的类单晶生长铸锭炉的加热装置与炉体配合的结构示意图；图6是根据本技术实施例的类单晶生长铸锭炉的炉体底部的温度分布曲线；图7是根据本技术实施例的类单晶生长铸锭炉的炉体底部的类单晶生长状态。附图标记：类单晶生长铸锭炉100，炉体110，支撑台120，加热装置130，加热电路131，第一石墨棒132，第二石墨棒133，石墨块134，均温件140。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的，下面详细描述本实用型的实施例。下面参考图1-图7详细描述根据本技术实施例的类单晶生长铸锭炉100，包括：炉体110、支撑台120、加热装置130和均温件140。具体而言，支撑台120用于支撑炉体110，加热装置130用于对支撑台120加热，热量通过支撑台120传递至炉体110，均温件140与支撑台120和炉体110中的至少一个连接，以用于将温度均匀地传递到炉体110的温度。相关技术中炉体底部温度分布曲线如图1所示，由图1可知，炉体底部温度分布不均匀。图2是相关技术中炉体底部类单晶生长状态，其中条纹结构的阴影为类单晶生长过程中出现的位错，其中图中虚线框框出的位置位错现象尤为明显。需要说明的是，均温件140可以使温度在多个方向传递，从而可以均匀炉底温度，避免因炉体110底部的局部区域温度过高而导致单晶生长过程中出现位错。通过使均温件140与支撑台120和炉体110中的至少一个连接，在如图6所示的示例中，类单晶生长铸锭炉100的炉体110底部的温度分布曲线较为均匀，而对应的类单晶的生长状态，如图7所示，在该图中，类单晶生长状态位错现象明显减少。根据本技术实施例的类单晶生长铸锭炉100，通过在支撑台120和炉体110中的至少一个上设置均温件140，由此可以使温度在多个方向传递，使炉体110底部的温场更加均匀，从而可以避免因炉体110底部的局部区域温度过高而导致单晶生长过程中出现位错。如图4所示，根据本技术的一些实施例，均温件140铺设于支撑台120朝向炉体110的表面。由此可以将炉体110表面的温度均匀化，使炉体110表面的温度场更加均匀，从而可以避免单晶生长过程中因局部过热而导致位错。需要说明的均温件140的设置位置并不限于此，例如，在一些实施例中，均温件140可以嵌设于支撑台120内部，由此可以提升均温件140的设置稳定性，同时也可以使均温件140与支撑台120充分接触，从而可以提升均温件140热传导效率，进而可以提升均温效果；再如，在另一些实施例中，均温件140嵌设于炉体110的底壁内，由此可以提升均温件140的设置稳定性，同时也可以使均温件140与炉体110充分接触，从而可以提升均温件140热传导效率，进而可以提升均温效果。根据本技术的一些实施例，均温件140可以为保温件。可以理解的是，均温件140具有保温作用，也即均温件140对炉体110具有保温作用，从而有利于温度场的均匀化，从而有利于单晶生长。进一步地，均温件140可以为碳碳纤维板。需要说明的是，碳碳纤维板内部具有横纵交错的纤维纹路，热量可以通过纤维纹路横纵传递，进而起到均温的效果。在另一些实施例中，如图3所示，均温件140还可以为碳碳纤维编制层。需要说明的是，碳碳纤维编制层具有横纵交错的纹路，横纵交错的纹路可以导引热量沿着横纵方向传递，从而可以避免热量在同一位置过于集中，进而起到均温的作用。为了提升加热效率，在一些实施例中，如图5所示，加热装置130可以为加热电路131。进一步地，加热电路131可以包括并联连接第一石墨棒132和第二石墨棒133，第一石墨棒132和第二石墨棒133平行设置，炉体110与第一石墨棒132的中部和第二石墨棒133的中部对应。由此可以利用第一石墨棒132和第二石墨棒133对炉体110进行加热。更进一步地，加热电路131可以三相交流电路且包括A相电路、B相电路和C相电路，且A相电路或B相电路或C相电路均包括并联连接第一石墨棒132和第二石墨棒133。由此可以提升加热效率。如图5所示，在一些实施例中，加热电路131还可以包括石墨块134，石墨块本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种类单晶生长铸锭炉，其特征在于，包括：/n炉体；/n支撑台，所述支撑台用于支撑所述炉体；/n加热装置，所述加热装置用于对所述支撑台加热，热量通过所述支撑台传递至所述炉体；/n均温件，所述均温件与所述支撑台和所述炉体中的至少一个连接，以用于将温度均匀传递到所述炉体的温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种类单晶生长铸锭炉，其特征在于，包括：
炉体；
支撑台，所述支撑台用于支撑所述炉体；
加热装置，所述加热装置用于对所述支撑台加热，热量通过所述支撑台传递至所述炉体；
均温件，所述均温件与所述支撑台和所述炉体中的至少一个连接，以用于将温度均匀传递到所述炉体的温度。


2.根据权利要求1所述的类单晶生长铸锭炉，其特征在于，所述均温件铺设于所述支撑台朝向所述炉体的表面。


3.根据权利要求1所述的类单晶生长铸锭炉，其特征在于，所述均温件嵌设于所述支撑台内部。


4.根据权利要求1所述的类单晶生长铸锭炉，其特征在于，所述均温件嵌设于所述炉体的底壁内。


5.根据权利要求1所述的类单晶生长铸锭炉，其特征在于，所述均温件为保温件。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：王全志，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，包头阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32