基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜及其制备方法技术

一种基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜，包括：GaSb衬底；在该GaSb衬底的下表面镀有高透膜；InAs/GaSb超晶格，该InAs/GaSb超晶格具有特定的结构和厚度，制作在所述GaSb衬底上；反射膜，该反射膜制作在所述InAs/GaSb超晶格上；所述的反射膜由多对1/4波长厚度的ZnS和YbF

【技术实现步骤摘要】
基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜及其制备方法
本专利技术属于激光
，具体涉及一种基于短周期InAs/GaSb超晶格的中红外波段半导体可饱和吸收镜及其制备方法。
技术介绍
半导体可饱和吸收镜是开发超快锁模激光器的核心元件。将半导体可饱和吸收镜作为激光器的一面腔镜，通过光的可饱和吸收效应就可以实现稳定的锁模。半导体可饱和吸收镜具有参数设计灵活、性能稳定、易于集成等优点，已经成为超快锁模激光器锁模元件的首要选择。过去的半导体可饱和吸收镜主要采用InxGa1-xAs量子阱作为可饱和吸收层，通过调控势阱InxGa1-xAs中In的含量来调节量子化能级的能隙。InxGa1-xAs量子化能级的能隙随着In含量的增加而减少。然而，即使当InxGa1-xAs量子阱中In含量达到最大的100％，其能隙仍然有0.36eV，对应的光吸收截止波长为～3.4μm。事实上，当In含量接近100％时，势阱层InxGa1-xAs和势垒层GaAs的晶格失配会变得异常严重，导致可饱和吸收镜的破坏负载急剧下降，因此传统的基于InxGa1-x本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：/nGaSb衬底；在该GaSb衬底的下表面镀有高透膜；/nInAs/GaSb超晶格，该InAs/GaSb超晶格制作在所述GaSb衬底上；/n反射膜，该反射膜制作在所述InAs/GaSb超晶格上；/n所述的反射膜由多对ZnS和YbF

【技术特征摘要】
1.一种基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：
GaSb衬底；在该GaSb衬底的下表面镀有高透膜；
InAs/GaSb超晶格，该InAs/GaSb超晶格制作在所述GaSb衬底上；
反射膜，该反射膜制作在所述InAs/GaSb超晶格上；
所述的反射膜由多对ZnS和YbF3膜层构成，且所述的YbF3膜层与所述InAs/GaSb超晶格相接。


2.根据权利要求1所述的基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜，其特征在于，在所述的反射膜的上表面粘接有热沉。


3.根据权利要求1所述的基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜，其特征在于，所述的InAs/GaSb超晶格包括交替生长的GaSb层和InAs层，在所述的GaSb层和InAs层之间包含InSb过渡层调节材料失配，所述的InAs/GaSb超晶格的周期为20-100，每个周期内InAs和GaSb的厚度为5-30个原子层，可覆盖中波到长波的红外吸收，其具体厚度根据激光波长和超...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢国强，覃治鹏，周易，陈建新，
申请(专利权)人：上海交通大学，中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31