一种基于二碲化钨/二硫化钨异质结的可饱和吸收体和制备方法及其制成的锁模光纤激光器技术

本发明专利技术属于被动锁模光纤激光器技术领域，公开了一种基于二碲化钨/二硫化钨异质结的可饱和吸收体和制备方法及其制成的锁模光纤激光器。该方法是通过磁控溅射法在石英片上制备W薄膜作为基底，然后采用CVD法在衬底上制备WS

【技术实现步骤摘要】
一种基于二碲化钨/二硫化钨异质结的可饱和吸收体和制备方法及其制成的锁模光纤激光器
本专利技术属于被动锁模光纤激光器
，具体涉及一种基于二碲化钨/二硫化钨(WTe2/WS2)异质结的可饱和吸收体和制备方法及其制成的锁模光纤激光器。
技术介绍
超短脉冲(皮秒及飞秒量级)激光相对于传统的长脉冲(微秒及纳秒量级)的激光，在使用过程中对加工材料周围基本不会造成任何的热损伤，是一种超精密无损加工工具，因此超短脉冲激光在精密加工、手术医疗、科研等领域具有重要的研究和应用价值。尤其是超短脉冲光纤激光器，其具有结构简单、出光性能稳定、免维护、易携带等多重优势，已成为各行各业的优选高科技工具。被动锁模技术是利用锁模器件中的可饱和吸收特性来实现对脉冲的不断窄化，从而产生所需要的超短光脉冲。由此可见，可饱和吸收体是超短脉冲激光最重要的零部件。目前商业上应用最广泛的可饱和吸收体是半导体可饱和吸收镜，但其存在价格昂贵、制作工艺复杂、工作波长范围窄，及输出能量较低等缺点。故而寻找具有宽带可调谐非线性吸收、低损耗、高损伤阈值、超快响应时间、大调制深度，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于二碲化钨/二硫化钨异质结的可饱和吸收体的制备方法，其特征在于包括以下操作步骤：/n(1)W的溅射：通过磁控溅射法在石英衬底上制备W薄膜，具体是采用W多晶块体作为靶材，射频功率为80W，溅射气压为1.2Pa，Ar流量为50sccm，石英衬底加热到100℃，持续沉积5～30min；/n(2)WS

【技术特征摘要】
1.一种基于二碲化钨/二硫化钨异质结的可饱和吸收体的制备方法，其特征在于包括以下操作步骤：
(1)W的溅射：通过磁控溅射法在石英衬底上制备W薄膜，具体是采用W多晶块体作为靶材，射频功率为80W，溅射气压为1.2Pa，Ar流量为50sccm，石英衬底加热到100℃，持续沉积5～30min；
(2)WS2薄膜的制备：将磁控溅射法制得的W薄膜置于双温区管式炉下游，通Ar作为保护气，其流速为100sccm；并在W薄膜上游低温区放置高纯硫粉，并且设置温度为200℃，下游高温区温度设置为1050～1200℃，保持3～5小时后自然降温至室温；
(3)W的二次溅射：将步骤(2)所制得的WS2薄膜作为基底，通过磁控溅射法再次溅射W薄膜，参数与步骤(1)相同；
(4)WTe2/WS2异质结薄膜的制备：将经过步骤(3)二次溅射制得的薄膜置于双温区管式炉下游，通Ar作为保护气，其流速为100sccm；并在薄膜上游低温区放置高纯碲粉，并且设置温度为550℃，下游高温区温度设置为1050～1200℃，保持3～5小时后自然降温至室温，得到WTe2/WS2异质结薄膜；
(5)WTe2/WS2异质结薄膜的剥离：采用质量分数为5％的PMMA的苯甲醚溶液，旋涂在步骤(4)制得的WTe2/WS2异质结薄膜表面，旋涂转速为1000～3000rpm，时间为10～60s，80℃烘干，然后将其浸泡在强碱溶液中，加热使薄膜脱离石英衬底，漂浮在强碱溶液表面；然后用去离子水漂洗，裁剪成小片，得到基于二碲化钨/二硫化钨异质结的可饱和吸收体。


2.根据权利要求1所述的一种基于二碲化钨/二硫化钨异质结的可饱和吸收体的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：何朋飞，陶丽丽，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44