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一种基于InAs/GaSb超晶格的中红外半导体可饱和吸收镜，包括：GaSb衬底；在该GaSb衬底的下表面镀有高透膜；InAs/GaSb超晶格，该InAs/GaSb超晶格具有特定的结构和厚度，制作在所述GaSb衬底上；反射膜，该反射膜制作在所...该专利属于上海交通大学;中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学;中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。