【技术实现步骤摘要】
显示基板、显示装置及其制备方法
本申请涉及显示
,具体涉及一种显示基板、显示装置及其制备方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)面板以其自发光、功耗低、轻薄、可绕性、色彩绚丽、对比度高、响应速率快等优势,受到广泛的关注,俨然成为下一代显示的代表,逐渐替代(LiquidCrystalDisplay,LCD)屏。而传统结构的OLED面板,都含有偏光片,用于抗反射,保证屏幕的正常使用。但是受限于偏光片的原理,一方面OLED材料发出的光通过偏光片之后将损失50~60%,使得在实际使用中,OLED低功耗的特性无法得以体现;另一方面现有的屏下模块(如屏下摄像头)都要求屏幕具有高透过率,而偏光片是无法进行像素级的图形化处理,成为屏幕透过率提升的瓶颈之一。因此,目前为了开发OLED显示新产品,去除偏光片是一个重要的研究方向,其研究方案是在封装层上做彩色滤光片工艺(ColorFilteronEncapsulation,COE),用于替代偏光片。但COE方案中透过率的提高也产生一些负面的现象,如阴极层反射率的提高,这明显影响用户的体验感。此外,在高屏占比显示领域中,对屏幕的显示区域逐渐扩展要求越来越苛刻,因此如何在COE方案中进一步减小显示屏的边框,也是COE方案急需解决的问题之一。
技术实现思路
针对上述问题,本申请提供了一种显示基板、显示装置及其制备方法,解决了现有技术中OLED显示面板的COE方案中阴极层反射率较高以及边框较宽的技术 ...
【技术保护点】
1.一种显示基板,其特征在于,包括:/n阵列基板,/n设置于所述阵列基板上方的像素限定层,其中,所述像素限定层包括多个间隔设置的贯穿所述像素限定层的第一开口区域;/n设置于所述第一开口区域内的发光单元;/n位于所述发光单元上方且同时覆盖所述发光单元和所述像素限定层的阴极层;/n位于所述阴极层上方的平坦层;/n位于所述平坦层上方的光反射层,所述光反射层在所述阵列基板上的正投影至少覆盖部分所述像素限定层在所述阵列基板上的正投影;/n位于所述光反射层上方的第一封装层,以及位于所述第一封装层上方的彩色滤光结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
阵列基板,
设置于所述阵列基板上方的像素限定层,其中,所述像素限定层包括多个间隔设置的贯穿所述像素限定层的第一开口区域;
设置于所述第一开口区域内的发光单元;
位于所述发光单元上方且同时覆盖所述发光单元和所述像素限定层的阴极层;
位于所述阴极层上方的平坦层;
位于所述平坦层上方的光反射层,所述光反射层在所述阵列基板上的正投影至少覆盖部分所述像素限定层在所述阵列基板上的正投影;
位于所述光反射层上方的第一封装层,以及位于所述第一封装层上方的彩色滤光结构。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述平坦层中设置有贯穿所述平坦层的接触孔,所述接触孔内填充有导电材料,所述光反射层通过所述接触孔内的所述导电材料与所述阴极层电连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述光反射层的电阻率小于或等于所述阴极层的电阻率。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述光反射层的材料与所述阴极层的材料相同。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述光反射层的光反射率小于或等于所述阴极层的光反射率。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述光反射层的光反射率大于所述阴极层的光反射率,且所述光反射层的光反射率与所述阴极层的光反射率的差值小于预设阈值。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述光反射层在所述阵列基板上的正投影与所述像素限定层在所述阵列基板上的正投影重合。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述阴极层在所述阵列基板上的正投影还覆盖部分所述发光单元在所述阵列基板上的正投影。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述彩色滤光结构包括:
黑色矩阵层;其中,所述黑色矩阵层包括多个间隔设置的贯穿所述黑色矩阵层的第二开口区域;
设置于所述第二开口区域内的彩色滤光单元;其中,所述彩色滤光单元在所述阵列基板上的正投影至少覆盖其对应的所述发光单元在所述阵列基板上的正投影。
10.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:
位于所述彩色滤光结构上方的第二封装层;
位于所述第二封装层上方的触控功能层。
11.一种显示基板,其特征在于,包括:
阵列基板;其中,所述阵列基板上设置有显示区和绑定区,以及位于所述显示区和所述绑定区之间的弯折区;
位于所述显示区上方的发光结构;
位于所述发光结构上方的彩色滤光结构;其中,所述彩色滤光结构包括黑色矩阵层;
覆盖所述弯折区外表面的保护层;其中,所述保护层与所述黑色矩阵层靠近所述弯折区一侧的侧表面接触。
12.根据权利要求11所述的显示基...
【专利技术属性】
技术研发人员:霍堡垒,汪杨鹏,秦晓光,宋妙妙,张萍娱,李万鹏,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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