【技术实现步骤摘要】
一种放电等离子烧结制备非晶合金内部温度场的标定方法
本专利技术属于非晶合金领域,更具体地,涉及一种放电等离子烧结制备非晶合金内部温度场的标定方法。
技术介绍
非晶合金由于其内部长程无序短程有序的原子结构使得非晶合金不存在传统晶态合金中常见的位错、晶界等结构,因此非晶合金有着比传统合金材料更为优秀的力学性能、物理性能和化学性能等,使得非晶合金有着很大的研究价值和应用空间。但是传统的非晶合金制备技术主要是以液相急冷为原理,受非晶合金自身冷却速率的影响,只能制备粉末状、细丝状或薄膜状的非晶合金,尺寸上的限制大大制约了非晶合金的应用范围。而运用粉末烧结技术对非晶合粉末进行烧结成形,能在一定程度上突破非晶合金尺寸上的限制,制备出大尺寸的非晶合金材料,而在众多粉末烧结技术中放电等离子烧结技术(SparkPlasmaSintering,SPS)因为烧结温度低,烧结速度快等优点尤其适合非晶合金的烧结制备。但是由于SPS烧结升温速率快,在烧结大尺寸或者形状复杂的非晶合金样品时,样品内部势必会产生不均匀的温度场,由于非晶合金对温度的敏感性较高,较高的局部温度会导致局部晶化,这会对烧结样品内部的结构和性质产生较大的影响,对SPS烧结样品内部的温度分布进行研究,对于理解和解决SPS烧结样品内部结构和性质不均匀的问题有很大的意义。而目前对于SPS烧结温度场的研究方法主要分为数值模拟和实验方法。对于前者,SPS烧结温度场数值模拟方面的研究比较多,但是模拟结果要通过实验的方法进行验证,而目前对于通过实验的方法研究SPS烧结温度场的 ...
【技术保护点】
1.一种放电等离子烧结制备非晶合金内部温度场的标定方法,其特征在于,包括如下步骤:/n(1)将非晶合金粉末通过放电等离子烧结制备得到块体非晶合金样品;/n(2)将步骤(1)得到的块体非晶合金样品内部需要标定温度场的部位切割成若干个非晶合金子块体,并标记每个非晶合金子块体在所述块体非晶合金样品内部的位置;/n(3)对步骤(2)获得的若干个非晶合金子块体在相同的保温温度下分别进行等温晶化处理,得到各非晶合金子块体的晶化时间;所述保温温度位于所述非晶合金的过冷液相区;/n(4)对制备所述块体非晶合金样品所用的非晶合金粉末在不同退火温度下进行退火和等温晶化,得到该非晶合金粉末材料在不同退火温度下对应的晶化时间,即得到该非晶合金粉末材料退火温度与晶化时间的函数关系式;且步骤(4)对所述非晶合金粉末进行等温晶化时的保温温度与步骤(3)对所述非晶合金子块体进行等温晶化处理的保温温度相同;/n(5)将步骤(3)中得到的若干个非晶合金子块体的晶化时间代入步骤(4)所述退火温度与晶化时间的函数关系式,即可得到不同非晶合金子块体对应于所述块体非晶合金样品内部不同位置处在放电等离子保温烧结过程中的温度分布。/ ...
【技术特征摘要】
1.一种放电等离子烧结制备非晶合金内部温度场的标定方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将非晶合金粉末通过放电等离子烧结制备得到块体非晶合金样品;
(2)将步骤(1)得到的块体非晶合金样品内部需要标定温度场的部位切割成若干个非晶合金子块体,并标记每个非晶合金子块体在所述块体非晶合金样品内部的位置;
(3)对步骤(2)获得的若干个非晶合金子块体在相同的保温温度下分别进行等温晶化处理,得到各非晶合金子块体的晶化时间;所述保温温度位于所述非晶合金的过冷液相区;
(4)对制备所述块体非晶合金样品所用的非晶合金粉末在不同退火温度下进行退火和等温晶化,得到该非晶合金粉末材料在不同退火温度下对应的晶化时间,即得到该非晶合金粉末材料退火温度与晶化时间的函数关系式;且步骤(4)对所述非晶合金粉末进行等温晶化时的保温温度与步骤(3)对所述非晶合金子块体进行等温晶化处理的保温温度相同;
(5)将步骤(3)中得到的若干个非晶合金子块体的晶化时间代入步骤(4)所述退火温度与晶化时间的函数关系式,即可得到不同非晶合金子块体对应于所述块体非晶合金样品内部不同位置处在放电等离子保温烧结过程中的温度分布。
2.如权利要求1所述的标定方法,其特征在于,步骤(1)具体为:将非晶合金粉末置于烧结模具中,并将该非晶合金粉末压制成坯,然后置于放电等离子烧结炉中升温至烧结温度进行保温烧结,其中烧结温度位于所述非晶合金的过冷液相区内,烧结完成后降温至室温,得到块体非晶合金样品。
3.如权利要求2所述的标定方法,其特征在于,所述升温其升温速率为50-150K/min,所述保温其保温时间为3-10min。
4.如权利要求1所述的标定方法,其特征在于,步骤(2)采用机械切割或者电火花线切割,所述非晶合金子块体的三维尺寸不大于2mm×2mm×2mm。
5.如权利要求1所述的标定方法,其特征在于,步骤(3)根据DSC原理对所述若干个非晶合金子块体分别进行等温晶化处理,得到各非晶合金子块体的晶化时间。
6.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:龚攀,丁华平,庄成康,王新云,金俊松,邓磊,张茂,唐学峰,
申请(专利权)人:华中科技大学,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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