一种复合薄膜切割方法、复合薄膜及电子元器件技术

本申请提供了一种复合薄膜切割方法、复合薄膜及电子元器件，本申请提供的方法包括：根据衬底晶圆的解理结构，确定衬底晶圆的解理方向以及垂直于解理方向的垂直方向；根据复合薄膜的预期尺寸，在衬底晶圆上形成至少两个与解理方向平行的第一缺口；沿着第一缺口所在方向对初始复合薄膜施加压力，使得初始复合薄膜分裂，形成解理切割面；薄膜层处解理切割面的边缘损伤小于或等于0.5μm；根据规范尺寸，在解理切割面上形成至少两个与垂直方向平行的第二缺口；沿着第二缺口方向对分裂后的复合薄膜进行切割，形成第二切割面。本申请提供的方法可以获得平滑的切割面。

【技术实现步骤摘要】
一种复合薄膜切割方法、复合薄膜及电子元器件
本申请涉及半导体
，特别涉及一种复合薄膜切割方法、复合薄膜及电子元器件。
技术介绍
随着微电子技术集成化的发展，半导体元器件的体积不断缩小，而精度要求不断提高。在半导体集成电路的制造过程中，需要对半导体元器件的组成部件之一，复合薄膜进行切割，制备符合半导体集成电路尺寸要求的复合薄膜。现有技术中通过机械对大尺寸的复合薄膜进行切割，以此获取符合尺寸要求的复合薄膜。但是，通过机械进行切割获取的复合薄膜，切割面的表面粗糙度较高，且切割面的损伤通常不可控，一般情况下，切割面的损伤大于3μm。为了消除复合薄膜切割面的损伤，需要对切割后的复合薄膜进行抛光处理。而复合薄膜一旦经过抛光处理，就会发生体积上的损耗，进而导致抛光后的复合薄膜不符合所需的尺寸要求。基于此，目前亟需一种复合薄膜切割方法，以避免现有复合薄膜切割方法，易导致抛光后的复合薄膜不符合尺寸要求的问题。
技术实现思路
本申请提供了一种复合薄膜切割方法、复合薄膜及电子元器件，可用于解决在现有技术中复合薄膜切割方法，易本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合薄膜切割方法，初始复合薄膜经切割成为符合预期尺寸的复合薄膜，所述复合薄膜由上至下依次包括薄膜层以及衬底层，所述衬底层由衬底晶圆构成；所述复合薄膜以及所述初始复合薄膜的结构一致；其特征在于，所述方法包括：/n根据所述衬底晶圆的解理结构，确定所述衬底晶圆的解理方向以及垂直于所述解理方向的垂直方向；/n根据复合薄膜的预期尺寸，在所述衬底晶圆上形成至少两个与所述解理方向平行的第一缺口；任意相邻两个第一缺口之间的间距离为所述复合薄膜的长度；/n沿着所述第一缺口所在方向对所述初始复合薄膜施加压力，使得所述初始复合薄膜分裂，形成解理切割面；所述薄膜层处解理切割面的边缘损伤小于或等于0.5μm；/...

【技术特征摘要】
1.一种复合薄膜切割方法，初始复合薄膜经切割成为符合预期尺寸的复合薄膜，所述复合薄膜由上至下依次包括薄膜层以及衬底层，所述衬底层由衬底晶圆构成；所述复合薄膜以及所述初始复合薄膜的结构一致；其特征在于，所述方法包括：
根据所述衬底晶圆的解理结构，确定所述衬底晶圆的解理方向以及垂直于所述解理方向的垂直方向；
根据复合薄膜的预期尺寸，在所述衬底晶圆上形成至少两个与所述解理方向平行的第一缺口；任意相邻两个第一缺口之间的间距离为所述复合薄膜的长度；
沿着所述第一缺口所在方向对所述初始复合薄膜施加压力，使得所述初始复合薄膜分裂，形成解理切割面；所述薄膜层处解理切割面的边缘损伤小于或等于0.5μm；
根据所述规范尺寸，在所述解理切割面上形成至少两个与所述垂直方向平行的第二缺口；任意相邻两个第二缺口之间的间距离为所述复合薄膜的宽度；
沿着所述第二缺口方向对分裂后的复合薄膜进行切割，形成第二切割面。


2.根据权利要求1所述的复合薄膜切割方法，其特征在于，形成第二切割面，之后，还包括：
对所述第二切割面进行抛光处理。


3.根据权利要求1所述的复合薄膜切割方法，其特征在于，沿着所述第一缺口所在方向对所述初始复合薄膜施加压力，使得所述初始复合薄膜分裂，形成解理切割面，包括：
利用滚轮沿着所述第一缺口所在方向对所述初始复合薄膜施加压力，使得所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金翠，刘桂银，张秀全，连坤，张涛，杨超，刘阿龙，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37