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本申请提供了一种复合薄膜切割方法、复合薄膜及电子元器件，本申请提供的方法包括：根据衬底晶圆的解理结构，确定衬底晶圆的解理方向以及垂直于解理方向的垂直方向；根据复合薄膜的预期尺寸，在衬底晶圆上形成至少两个与解理方向平行的第一缺口；沿着第一缺口...
该专利属于济南晶正电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济南晶正电子科技有限公司授权不得商用。

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