【技术实现步骤摘要】
一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法
本专利技术属于半导体器件的制造领域，具体涉及一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法。
技术介绍
双极型晶体管主要参数是放大倍数和CE结击穿电压，影响放大倍数的主要工艺因素包括发射区/基区的杂质浓度比和基区宽度；而CE结击穿电压则主要受集电区浓度和基区宽度的影响。业界BiCMOS采用CMOS的P型单晶衬底，纵向NPN管是主要采用的器件；而横向PNP管完全为寄生器件，放大倍数较小，电路设计中较少采用。纵向NPN管通过CMOS工艺流程实现，纵向NPN管的集电区借助PMOS管的N阱注入工艺形成，发射区借助N型源漏掺杂注入形成，而基区为单独注入工艺。这样得到的纵向NPN器件的导通电阻较大。为获得高性能的纵向NPN晶体管，就必须增加相应的工艺层次，对影响纵向NPN晶体管的关键工艺参数进行调整，在外延上形成CMOS和双极器件。而具有外延的BiCMOS可以实现双极器件的完全隔离，导通电阻小，特性较好，但是增加外延模块复杂了整个工艺流程，而且需要考虑外延的对通和隔...
【技术保护点】
1.一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管的制备方法，其特征在于，包括：/n提供P型衬底(11)，通过N型离子注入和推阱，在所述P型衬底(11)上形成BNW区(1)；/n通过N型离子注入，在所述BNW区(1)的底部形成一定厚度的DNW区(2)；/n在所述BNW区(1)上端面的边缘和内部分别形成一个闭环的场区隔离(3)；/n通过N型离子多次分步注入，在所述BNW区(1)上形成闭环的深磷区(4)，所述深磷区(4)与所述DNW区(2)连通，所述深磷区(4)位于两个所述场区隔离(3)之间；/n通过P型离子注入，在所述BNW区(1)上形成基区(5)，所述基区(5)位于所述深磷区(4)...
【技术特征摘要】
1.一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
提供P型衬底(11)，通过N型离子注入和推阱，在所述P型衬底(11)上形成BNW区(1)；
通过N型离子注入，在所述BNW区(1)的底部形成一定厚度的DNW区(2)；
在所述BNW区(1)上端面的边缘和内部分别形成一个闭环的场区隔离(3)；
通过N型离子多次分步注入，在所述BNW区(1)上形成闭环的深磷区(4)，所述深磷区(4)与所述DNW区(2)连通，所述深磷区(4)位于两个所述场区隔离(3)之间；
通过P型离子注入，在所述BNW区(1)上形成基区(5)，所述基区(5)位于所述深磷区(4)内部；
在所述基区(5)的上端面形成闭环的多晶隔离(6)；
在所述多晶隔离(6)的两侧壁形成侧墙(7)；
通过N型离子注入，在所述基区(5)上形成发射区(8)和闭环的集电区(9)，所述发射区(8)位于所述多晶隔离(6)内，所述集电区(9)位于两个所述场区隔离(3)之间，且所述集电区(9)与所述深磷区(4)交叠；
通过P型离子注入，在所述基区(5)上形成闭环的基区接触区(10)，所述基区接触区(10)位于所述多晶隔离(6)外部；
采用高温快速退火，完成注入杂质激活。
2.根据权利要求1所述的一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管的制备方法，其特征在于，通过N型离子注入，在所述BNW区(1)的底部形成所述DNW区(2)，具体为：注入元素为P，注入能量为2～4MeV，注入剂量为1～2×1013cm-2。
3.根据权利要求1所述的一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管的制备方法，其特征在于，通过氮化硅/氧化硅淀积、氮化硅/氧化硅光刻和刻蚀、氧化以及氮化硅/氧化硅剥离，形成所述场区隔离(3)。
4.根据权利要求1所述的一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管的制备方法，其特征在于，通过N型离子多次分步注入，在所述BNW区(1)上形成所述深磷区(4)，具体为如下五步：
第一步，注入元素为P，注入能量为2～2.5MeV，注入剂量为1～2×1015cm-2；第二步，注入元素为P，注入能量...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓宇，赵杰，孙有民，薛智民，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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