【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种个人计算机系统,且特别涉及一种个人计算机系统可弹性使用同步动态随机存储器及双倍数据速率的动态随机存储器的主机板及计算机系统。一般在个人计算机所使用的内存,如同步动态随机存储器(synchronous dynamic random access memory,SDRAM),其操作是响应于系统时钟信号的上升缘来进行数据的存取操作控制的。而将存储器操作在双倍数据速率(double data rate,DDR)的模式下时,内存便可以在系统时钟信号的上升缘与下降缘来进行数据的存取操作控制,如此便可以加速内存的速度。同步动态随机存储器SDRAM与双倍数据速率动态随机存储器DDRAM的运作差别如下(1)SDRAM使用正常时钟信号,而DDRAM使用差动(differential)时钟信号;(2)SDRAM的VDD=3.3V,DDRAM的VDD=3.3V,VDDQ=2.5V;(3)SDRAM不需要参考电压,DDRAM需要参考电压,其值为1/2VDDQ;(4)SDRAM所接的数据总线是一般CMOS逻辑,而DDRAM所接的数据总线是串行终端逻辑(series s ...
【技术保护点】
一种可弹性使用同步动态随机存储器及双倍数据速率动态随机存储器的主机板,其特征在于:包括: 复数个内存模块插槽,每一内存模块插槽上包括一参考电压脚,该些参考电压脚并联在一起; 一电压比较器,耦接于该些内存模块插槽的该些参考电压脚,用以检测该些参考电压脚上的电压是否符合一参考电压值; 一时钟发生器,耦接于该电压比较器的输出端,当符合该参考电压值时,产生一差动时钟信号,当不符合该参考电压值时,产生一正常时钟信号; 一控制芯片组,耦接于该电压比较器的输出端,当符合该参考电压值时,该控制芯片组操作在一双倍数据速率模式,当不符合该参考电压值时,该控制芯片组操作在一正常数据速率模式。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张乃舜,
申请(专利权)人:威盛电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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