【技术实现步骤摘要】
介质阻挡放电协同N型半导体催化剂深度氧化气态污染物的工艺
[0001]本专利技术涉及气态污染物处理
，具体涉及一种介质阻挡放电协同N型半导体催化剂深度氧化气态污染物的工艺。
技术介绍
[0002]等离子体是由正负电荷相等的正负带电粒子和中性粒子组成，物质处于完全或部分电离的状态，是除气、液、固外的第四种状态。低温等离子体是等离子体的一种，其电子能量达1
‑
20eV(10000
‑
250000K)，这些高能电子可与气体中的分子、原子发生非弹性碰撞使其电离和离解，从而产生大量自由基等活性粒子，引起常规化学反应中难以实现的物理和化学反应，使污染物得以降解去除。低温等离子体技术具有工艺简单、处理流程短、投资少、占地面积小等特点，被认为是一种处理气态污染物(NO
x
、VOCs等)的有效手段，广受国内外专家学者的关注。
[0003]为了进一步实现低耗高效同时提高目标产物的选择性，降低二次污染问题，常将低温等离子体技术与催化连用。近年来，采用低温等离子体协同催化处理气态污...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种介质阻挡放电协同N型半导体催化剂深度氧化气态污染物的工艺，其特征在于，包括：将含有气态污染物的污染气体通过装有N型半导体催化剂的介质阻挡低温等离子体反应器，所述N型半导体催化剂置于所述介质阻挡低温等离子体反应器的放电区域内，低温等离子体放电产生高能电子和活性自由基，等离子体放电过程产生的多余高能电子与所述N型半导体催化剂中的电子进行碰撞，形成轨道电子的跃迁，产生“类光催化”行为，继而形成电子和空穴并进一步生成其他强氧化性物种，气态污染物在这些活性物种的共同作用下得到深度氧化，生成无害小分子或更有利于后续处理的高价态化合物。2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述气态污染物包括氮氧化物、有机污染物中的至少一种。3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述介质阻挡低温等离子体反应器为体积式介质阻挡放电反应器，其高压电极为金属板、金属针、星形...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴忠标，陈思，王海强，冯文骥，高珊，王岳军，张仲飞，
申请(专利权)人：浙江天蓝环保技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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