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本发明公开了一种介质阻挡放电协同N型半导体催化剂深度氧化气态污染物的工艺,包括:将含有气态污染物的污染气体通过装有N型半导体催化剂的介质阻挡低温等离子体反应器,N型半导体催化剂置于介质阻挡低温等离子体反应器的放电区域内,低温等离子体放电产生...该专利属于浙江天蓝环保技术股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江天蓝环保技术股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种介质阻挡放电协同N型半导体催化剂深度氧化气态污染物的工艺,包括:将含有气态污染物的污染气体通过装有N型半导体催化剂的介质阻挡低温等离子体反应器,N型半导体催化剂置于介质阻挡低温等离子体反应器的放电区域内,低温等离子体放电产生...