一种芍药离体再生方法技术

技术编号:28776824 阅读:21 留言:0更新日期:2021-06-09 11:06
本发明专利技术公开了一种芍药离体再生用培养基,它包括启动培养基、增殖培养基,壮苗培养基和生根培养基。本发明专利技术再生用培养基,可以克服芍药离体培养启动困难的问题,诱导叶柄底部芽点处分化侧芽,侧芽萌发率达到90%;在30天的培养周期下,增值系数平均达到5以上;可以提高基质透气性,有效改善在生根培养过程中无根苗基部坏死的情况,且克服芍药组培苗生根难问题,获得生根植株。获得生根植株。

【技术实现步骤摘要】
一种芍药离体再生方法


[0001]本专利技术涉及植物组织培养领域,具体涉及芍药离体再生方法,尤其涉及中江芍药离体再生方法。

技术介绍

[0002]芍药(Paeonia lactiflora Pall.)为芍药科芍药属多年生宿根草本植物,是我国有名的观赏花卉和药用植物。芍药是中药白芍的基源植物,其根置沸水中煮后除去外皮或去皮后再煮,晒干即得中药白芍。目前白芍的道地产区有四川、安徽和浙江,其中,四川中江白芍品质极佳,具有根粗、肥壮、芍药苷含量高等优点。然而,中江白芍的基源植物中江芍药在栽培过程中只开花不结实,常采用芍头分株繁殖,繁殖系数低、成本高。随着鲜切花市场和药材市场的发展,中江芍药的繁殖能力与种植面积剧增的矛盾日益突出。同时,在长期的芍头分株繁殖下,其体内各种真菌、细菌、病毒积累,严重影响白芍的品质与产量。因此,找到新的繁殖方式对于中江白芍产业的发展具有重要意义。
[0003]现有芍药离体再生技术中,仍然存在分化困难、生根难、褐变和玻璃化严重等技术难题,而在中江芍药快繁体系的建立中除了以上问题外,还存在严重的内生菌污染。目前,芍药科植物的离体快繁研究多集中于观赏品种上,有关药用芍药植物组织培养的国内外研究较少,特别是中江芍药,目前仅有建立无菌体系的讨论,没有建立完整的中江芍药离体再生的方法。

技术实现思路

[0004]为解决上述问题,本专利技术提供了一种芍药离体再生用培养基,它包括启动培养基、增殖培养基,壮苗培养基和生根培养基;
[0005]所述启动培养基是以1/2MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为2~5mg/L的苄基嘌呤(6

BA)、0.2~0.8mg/L的赤霉素(GA3)、5~10g/L的琼脂和25~35g/L的蔗糖,其pH值为5.5~6.0;
[0006]所述增殖培养基是以改良1/2MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为3~5mg/L的苄基嘌呤(6

BA)、0.8~1.0mg/L的赤霉素(GA3)、5~10g/L的琼脂和25~35g/L的蔗糖,其pH值为5.5~6.0;
[0007]所述壮苗培养基是以改良1/2MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为0.5~1mg/L的苄基嘌呤(6

BA)、0.2~0.8mg/L的赤霉素(GA3)、5~10g/L的琼脂和25~35g/L的蔗糖,其pH值为5.5~6.0;
[0008]所述生根培养基是以1/4MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为0.3~0.8mg/L的吲哚丁酸(IBA)、0.3~0.8mg/L的α

萘乙酸(NAA)、7~13g/L的蔗糖、300~400g/L的珍珠岩和蛭石混合物,其pH值为6.0~6.5;
[0009]所述改良1/2MS培养基是1/2MS培养基中的CaCl2·
2H2O浓度调整为660mg/L的培养基。
[0010]进一步地,所述启动培养基是以1/2MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为2~3mg/L的苄基嘌呤(6

BA)、0.5mg/L的赤霉素(GA3)、8g/L的琼脂和30g/L的蔗糖,其pH值为5.9~6.0;所述增殖培养基是以改良1/2MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为3mg/L的苄基嘌呤(6

BA)、0.8mg/L的赤霉素(GA3)、8g/L的琼脂和30g/L的蔗糖,其pH值为5.9~6.0。
[0011]进一步地,所述壮苗培养基是以改良1/2MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为1mg/L的苄基嘌呤(6

BA)、0.5mg/L的赤霉素(GA3)、8g/L的琼脂和30g/L的蔗糖,其pH值为5.9~6.0;所述生根培养基是以1/4MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为0.5mg/L的吲哚丁酸(IBA)、0.5mg/L的α

萘乙酸(NAA)、10g/L的蔗糖、320g/L的珍珠岩和蛭石混合物,其pH值为6.0~6.1。
[0012]更进一步地,所述珍珠岩和蛭石混合物中珍珠岩与蛭石的比例为2:1。
[0013]本专利技术还提供了一种芍药离体再生方法,它是利用前述培养基再生,具体步骤如下:
[0014]a、取芍药幼芽,清理,清洗,消毒,切去茎尖与底部,将茎段接入启动培养基培养,得再生组培苗;
[0015]b、取再生组培苗,切下侧芽,接入增殖培养基培养,得丛生芽;
[0016]c、将步骤b丛生芽分为单个芽,再转接入壮苗培养基培养,得无根苗;
[0017]d、将步骤c无根苗接入生根培养基中诱导生根,得芍药再生植株。
[0018]进一步地,步骤a所述芍药幼芽为出土3~5cm带鳞片的芽;和/或,步骤b所述再生组培苗的长度为2~3cm。
[0019]进一步地,步骤a所述清理是除去幼芽表面泥土,去掉褐化鳞片;所述清洗是用洗洁精溶液浸泡,再流水洗净;所述消毒是先用多菌灵和青霉素钠混合溶液浸泡并振荡,流水洗净后,再分别用酒精和升汞浸泡,无菌水洗净。
[0020]进一步地,所述清洗是用洗洁精溶液浸泡30min,再流水冲洗2h;所述消毒是先用多菌灵青霉素钠混合溶液浸泡并振荡3h,流水洗净后,再用75%酒精浸泡6~10s,无菌水清洗3~5次,最后用0.1%升汞浸泡6~8min,无菌水清洗5~8次。
[0021]更进一步地,所述多菌灵青霉素钠混合溶液中多菌灵的浓度为3~7g/L,优选5g/L,青霉素钠的浓度为0.15~0.25g/L,优选0.2g/L。
[0022]进一步地,步骤a所述培养是先黑暗培养一周,再进行光照培养,
[0023]更进一步地,所述培养的条件为:pH=5.9~6.0,温度25
±
2℃,光照强度2500~3000Lux,光照周期14h(光)/10h(暗)。更进一步地,所述芍药为中江芍药。
[0024]本专利技术所述1/2MS培养基是MS培养基配方中的大量元素减半,其余成分含量不变的培养基。
[0025]本专利技术所述1/4MS培养基是大量元素减为MS培养基的1/4,其余成分含量不变的培养基。
[0026]本专利技术所述MS培养基是植物组织中最常用的培养基之一,其配方组成为:
[0027][0028][0029]相较于现有技术,本专利技术具有以下显著效果:
[0030]1)采用本专利技术的启动培养基,可以克服芍药离体培养启动困难的问题,诱导叶柄底部芽点分化侧芽,侧芽萌发率达到几乎100%;
[0031]2)采用本专利技术的增值培养基进行增殖培养,可以在30天的培养周期下,增值系数平均达到5以上,且获得的丛生芽健壮,茎尖无坏死症状。
[0032]3)采用本专利技术生根培养基,可以提高基质透气性,有效改善在生根培养过程中无根苗基部坏死的情况,且打破芍药组培苗生根难问题,获得生根植株。
[0033]本专利技术首次建立了完整的芍药离体再生体系,通过本专利技术离体再生方法,可以有效降低在离体培养过程中外植体的污染本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芍药离体再生用培养基,其特征在于:它包括启动培养基、增殖培养基,壮苗培养基和生根培养基;所述启动培养基是以1/2MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为2~5mg/L的苄基嘌呤(6

BA)、0.2~0.8mg/L的赤霉素(GA3)、5~10g/L的琼脂和25~35g/L的蔗糖,其pH值为5.5~6.0;所述增殖培养基是以改良1/2MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为3~5mg/L的苄基嘌呤(6

BA)、0.8~1.0mg/L的赤霉素(GA3)、5~10g/L的琼脂和25~35g/L的蔗糖,其pH值为5.5~6.0;所述壮苗培养基是以改良1/2MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为0.5~1mg/L的苄基嘌呤(6

BA)、0.2~0.8mg/L的赤霉素(GA3)、5~10g/L的琼脂和25~35g/L的蔗糖,其pH值为5.5~6.0;所述生根培养基是以1/4MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为0.3~0.8mg/L的吲哚丁酸(IBA)、0.3~0.8mg/L的α

萘乙酸(NAA)、7~13g/L的蔗糖、300~400g/L的珍珠岩和蛭石混合物,其pH值为6.0~6.5;所述改良1/2MS培养基是将1/2MS培养基中的CaCl2·
2H2O浓度调整为660mg/L的培养基。2.根据权利要求1所述培养基,其特征在于:所述启动培养基是以1/2MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为2~3mg/L的苄基嘌呤(6

BA)、0.5mg/L的赤霉素(GA3)、8g/L的琼脂和30g/L的蔗糖,其pH值为5.9~6.0;所述增殖培养基是以改良1/2MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为3mg/L的苄基嘌呤(6

BA)、0.8mg/L的赤霉素(GA3)、8g/L的琼脂和30g/L的蔗糖,其pH值为5.9~6.0。3.根据权利要求1所述培养基,其特征在于:所述壮苗培养基是以改良1/2MS培养基为基础培养基,添加有终浓度为1mg/L的苄基嘌呤(6

BA)、0.5mg/L的赤霉素(GA3)、8g/...

【专利技术属性】
技术研发人员:张利冯均倪苏姜媛媛王龙杨瑞武廖进秋尧思程杨利霞
申请(专利权)人:四川农业大学
类型:发明
国别省市:

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