MOSFET器件版图的修整方法技术

本发明专利技术提供一种MOSFET器件版图的修整方法，通过获取原始版图，然后，修改所述原始版图的设计规则；接着，通过修改后的所述原始版图的设计规则修改浮栅版图，减小所述浮栅版图中的所有浮栅图形的尺寸，以增大第一浮栅子图形与有源区图形之间的间距；如此，可以简单及快速的完成原始版图的修改，并实现版图设计层面上的功耗优化。上的功耗优化。上的功耗优化。

【技术实现步骤摘要】
MOSFET器件版图的修整方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种MOSFET器件版图的修整方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，MOSFET器件(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)版图(Layout)包含了MOSFET器件的尺寸，以及MOSFET器件中的各工艺层的相关物理信息数据，是MOSFET器件从设计走向制造的桥梁。如图1所示，图1是在现有技术的MOSFET器件的制造方法中形成的结构示意图。现有的MOSFET器件的制造方法通常包括：提供半导体衬底10，所述半导体衬底10包括有源区11和隔离区12，在所述有源区上形成浮栅13，所述浮栅13覆盖部分所述有源区11及部分所述隔离区12；然后，以所述浮栅13为掩膜，对所述有源区11执行倾斜离子注入，以形成轻掺杂漏区。但在以上步骤中，在以所述浮栅13为掩膜，对所述有源区11执行倾斜离子注入时，所述浮栅13会阻挡所述离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET器件版图的修整方法，其特征在于，包括：获取原始版图，所述原始版图包括有源区版图和浮栅版图，所述有源区版图包括至少一个有源区图形，所述浮栅版图包括至少一个浮栅图形，每个所述浮栅图形均包括一第一浮栅子图形，所述第一浮栅子图形与所述有源区图形平行，并且所述第一浮栅子图形与所述有源区图形之间存在间距；修改所述原始版图的设计规则；根据修改后的所述原始版图的设计规则修改所述浮栅版图，减小所述浮栅版图中的所有浮栅图形的尺寸，以增大所述第一浮栅子图形与所述有源区图形之间的间距；以及根据修改后的所述原始版图的设计规则检查修改后的所述浮栅版图中的所有浮栅图形。2.如权利要求1所述的MOSFET器件版图的修整方法，其特征在于，所述浮栅图形还包括第二浮栅子图形，所述第二浮栅子图形与所述第一浮栅子图形的部分重叠并连接为一体，并且所述第二浮栅子图形覆盖部分所述有源区图形。3.如权利要求2所述的MOSFET器件版图的修整方法，其特征在于，所述第一浮栅子图形和所述第二浮栅子图形均呈一矩形，所述第一浮栅子图形沿第一方向延伸，所述第二浮栅子图形沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直。4.如权利要求3所述的MOSFET器件版图的修整方法，其特征在于，修改所述原始版图的设计规则的方法包括：获取所述原始版图的设计规则；根据所述原始版图对应的制造工艺，确定所述原始版图的设计规则中可牺牲的设计规则，并根据所述可牺牲的设计规则修改所述原始版图的设计规则。5.如权利要求4所述的MOSFET器件版图的修整方法，其特征在于，获取的所述原始版图的设计规则包括：所述有源区版图的设计规则、所述浮栅版图的设计规则及所述有源区版图与所述浮栅版图之间的间距的设计规则；其中，所述有源区版图的设计规则包括所述有源区图形的最小尺寸，所述浮栅版图的设计规则包括所述浮栅图形的最小尺寸，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙访策，郑舒静，林晓帆，黄冲，张明，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：