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本发明提供一种MOSFET器件版图的修整方法，通过获取原始版图，然后，修改所述原始版图的设计规则；接着，通过修改后的所述原始版图的设计规则修改浮栅版图，减小所述浮栅版图中的所有浮栅图形的尺寸，以增大第一浮栅子图形与有源区图形之间的间距；如此...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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