具有可调整TSV延迟的存储器制造技术

本申请涉及一种具有可调整TSV延迟的存储器。本文公开了具有可调整硅通孔TSV延迟的存储器装置及系统以及相关联方法。在一个实施例中，一种设备包含多个存储器管芯和经配置以向所述多个存储器管芯传输信号或从所述多个存储器管芯接收信号的TSV。所述设备进一步包含电路，所述电路耦合到所述TSV并且经配置以将传播延迟引入到传输到或接收自所述TSV的信号上。在一些实施例中，所述设备包含附加电路，所述附加电路经配置以激活、去激活、调整所述电路的至少一部分或其任意组合，以改变所述传播延迟。以此方式，所述设备可以对准所述多个存储器管芯中的存储器管芯的内部时序。储器管芯中的存储器管芯的内部时序。储器管芯中的存储器管芯的内部时序。

【技术实现步骤摘要】
具有可调整TSV延迟的存储器


[0001]本公开涉及存储器系统、装置以及相关联方法。具体地，本公开涉及具有可调整硅通孔(TSV)延迟的存储器装置。

技术介绍

[0002]存储器装置被广泛用于存储与诸如计算机、无线通信装置、照相机、数字显示器等各种电子装置相关的信息。存储器装置经常被提供为计算机或其它电子装置中的内部、半导体、集成电路和/或外部可移动装置。有许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。包含静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等的易失性存储器可能需要所施加的电源来维持其数据。相反，非易失性存储器即使在没有外部供电时也可以保持其存储的数据。非易失性存储器可用于多种技术中，包含快闪存储器(例如，NAND和NOR)、相变存储器(PCM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)和磁性随机存取存储器(MRAM)。改进存储器装置通常可以包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度或以其它方式减少操作等待时间、增加可靠性、增加数据保持力、减少功率消耗或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：多个存储器管芯；硅通孔TSV，其经配置以向所述多个存储器管芯中的每一存储器管芯发送信号并且从中接收信号；以及电路，其耦合到所述TSV并且经配置以在所述多个存储器管芯中的一或多个存储器管芯上将传播延迟引入到传输到和接收自所述TSV的所述信号上。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路包括一或多个门延迟元件、一或多个电阻器、一或多个电容器或其任意组合。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述信号包括时钟信号、命令信号、地址信号、数据信号或其任意组合。4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括附加电路，所述附加电路经配置以激活、去激活或调整所述电路或其任意组合，以改变所述传播延迟。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述附加电路经配置以使用所述设备的测试模式来激活、去激活或调整所述电路。6.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括对应于所述一或多个存储器管芯，或对应于所述多个存储器管芯，或其任意组合的熔丝阵列。7.根据权利要求6所述的设备，其中所述附加电路经配置以使用所述熔丝阵列来激活、去激活或调整所述电路。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个存储器管芯中的每一存储器管芯包括耦合到所述TSV并且经配置以引入传播延迟的电路。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个存储器管芯中的两个或两个以上存储器管芯共享耦合到所述TSV的所述电路。10.根据权利要求1所述的设备，其中：所述TSV是第一TSV；所述设备进一步包括第二TSV；以及所述电路耦合到所述第一TSV和所述第二TSV两者，并且经配置以将传播延迟引入到传输到和接收自所述第一TSV的信号上以及传输到和接收自所述第二TSV的信号上。11.一种方法，其包括：确定通过硅通孔TSV发送到或接收自存储器管芯的信号或其任意组合的内部时序不同于通过所述TSV发送到或接收自其它存储器管芯的信号或其任意组合的内部时序；以及调整电路，其对应于所述存储器管芯以调整施加到通过所述TSV发送到或接收自所述存储器管芯的信号或其任意组合的传播延迟。12.根据权利要求11所述的方法，其中：所述确定包含确定...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：