一种环绕栅极场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种环绕栅极场效应晶体管及其制备方法，环绕栅极场效应晶体管包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的纳米线，纳米线中具有散热孔，散热孔的延伸方向平行于纳米线的延伸方向；位于散热孔内的散热件。环绕栅极场效应晶体管产生的热量能够通过所述散热件进行有效散热，避免了环绕栅极场效应晶体管的沟道和源区和漏区内部温度的升高对器件性能和寿命造成的不利影响，使得器件能保持长时间的正常工作。正常工作。正常工作。

【技术实现步骤摘要】
一种环绕栅极场效应晶体管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种环绕栅极场效应晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET)属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107～1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应晶体管利用施加在栅电极和源电极上的外加电压产生的电场效应来改变沟道的宽窄，从而控制漏电极和源电极之间电流的大小，即，决定场效应晶体管效率的一个重要因素就是栅极对通道的控制能力。
[0003]而全环绕栅极垂直纳米线金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管(Gate
‑
All
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Around Vertical Nanowire Metal
‑
Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种环绕栅极场效应晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的纳米线，所述纳米线中具有散热孔，所述散热孔的延伸方向平行于所述纳米线的延伸方向；位于所述散热孔内的散热件。2.根据权利要求1所述的环绕栅极场效应晶体管，其特征在于，所述散热件的导热率大于或等于300W/(m*K)。3.根据权利要求1所述的环绕栅极场效应晶体管，其特征在于，所述散热件为绝缘散热件。4.根据权利要求1至3任一项所述的环绕栅极场效应晶体管，其特征在于，所述散热件的材料包括金刚石或氮化铝陶瓷。5.根据权利要求1所述的环绕栅极场效应晶体管，其特征在于，所述散热孔的直径与所述纳米线的直径的比值为0.33～0.75；优选的，所述纳米线的直径为80nm
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180nm；所述散热孔的直径为60nm
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100nm。6.根据权利要求1所述的环绕栅极场效应晶体管，其特征在于，所述纳米线呈环状结构；所述散热孔沿着所述纳米线的延伸方向贯穿所述纳米线。7.根据权利要求1所述的环绕栅极场效应晶体管，其特征在于，所述环绕栅极场效应晶体管为垂直式环绕栅极场效应晶体管，所述纳米线垂直于所述半导体衬底的表面；或者，所述环绕栅极场效应晶体管为水平式环绕栅极场效应晶体管，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘新科，杨嘉颖，利健，宋利军，贺威，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：