一种金刚石膜氧化硼掺杂方法技术

本发明专利技术公开了一种金刚石膜氧化硼掺杂方法，所述方法采用热丝气相沉积法制备掺硼金刚石薄膜时，通过在基片平台的周边均匀设置若干开口面积相等的容器，将氧化硼粉放置于容器中，在热丝加热时同时加热容器中的氧化硼粉形成高温气化，实现掺硼金刚石薄膜的制备。本发明专利技术通过在基片平台周边设置若干开口面积相等的容器，并在容器中盛放氧化硼粉，通过控制盛放粉体的数量，就可以控制参加气化的氧化硼数量，并通过采用不同高度的空心立管作为容器，可以控制氧化硼与热丝的距离，从而控制氧化硼的接触温度，从而间接调整氧化硼的气化速度，选择一个合适的高度和数量，从而在其他条件一定的情况下，控制硼掺杂的浓度，使硼在沉积过程中的均匀高效掺杂。程中的均匀高效掺杂。

【技术实现步骤摘要】
一种金刚石膜氧化硼掺杂方法


[0001]本专利技术涉及热丝化学气相沉积
，具体提供一种金刚石膜氧化硼掺杂方法。

技术介绍

[0002]掺硼金刚石电极和传统的电极材料相比，其除了保留了金刚石高热导率、稳定、耐高温等特性之外，还拥有较宽的电化学窗口、低背景电流、吸附惰性等。掺硼金刚石电极使纯金刚石成为半导体，具有稳定的电化学特性，拥有较宽的电势窗口、较低的背景电流，而且电极上不易吸附有机物或者生物化合物，耐酸碱腐蚀，具有自清洁功能。因此，掺硼金刚石电极被广泛应用于电化学领域，其中掺硼金刚石电极在污水处理领域的研究最为广泛。
[0003]常用硼掺杂方式通常有三种：固体、液体和气体硼源，其中液体含硼物质一般具有腐蚀性，气体硼化合物多具有毒性，因此，无毒无腐蚀性的固体硼掺杂方式已经进入研究领域。
[0004]CN201910925306.0公开了一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法，要解决现有掺硼金刚石薄膜的制备方法中气体硼源不安全，对设备有腐蚀性的问题。该专利技术公开了：一、掺杂源的制备：将石墨粉和硼源研磨并混合，得到混合粉体，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金刚石膜氧化硼掺杂方法，其特征在于，所述方法采用热丝气相沉积法制备掺硼金刚石薄膜时，通过在基片平台的周边均匀设置若干开口面积相等的容器，将氧化硼粉放置于容器中，在热丝加热时同时加热容器中的氧化硼粉形成高温气化，实现掺硼金刚石薄膜的制备。2.根据权利要求1所述的一种金刚石膜氧化硼掺杂方法，其特征在于，所述方法通过设置容器的数量，实现氧化硼掺杂浓度的控制。3.根据权利要求1或2所述的一种金刚石膜氧化硼掺杂方法，其特征在于，所述容器为空心立管，通过设置空心立管的高度，调节氧化硼的温度，从而调节氧化硼的气化浓度。4.根据权利要求3所述的一种金刚石膜氧化硼掺杂方法，其特征在于，所述方法实现步骤包括：1)选择基片，并对基片进行预处理；2)在基片平台周边均匀设置若干开口面积相等的空心立管3)在立管内放置氧化硼粉；4)通电加压...

【专利技术属性】
技术研发人员：訾蓬，赵小玻，徐金昌，李小安，王传奇，曹延新，玄真武，杨子萱，王艳蔚，
申请(专利权)人：中材人工晶体研究院山东有限公司，
类型：发明
国别省市：