高度上延伸的晶体管、包含高度上延伸的晶体管的装置及形成包含高度上延伸的晶体管的装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种装置，其包含阵列，所述阵列包含高度上延伸的晶体管的行及列。存取线使沿所述行中的个别者的所述高度上延伸的晶体管中的多者互连。所述晶体管个别地包含上源极/漏极区域、下源极/漏极区域及高度上延伸在所述上源极/漏极区域与下源极/漏极区域之间的沟道区域。所述沟道区域包含氧化物半导体。晶体管栅极可操作地横向上接近所述沟道区域且包含所述存取线中的个别者的一部分。行内绝缘材料纵向上介于所述高度上延伸的晶体管中的行内紧邻者之间。行间绝缘材料横向上介于所述高度上延伸的晶体管的所述行中的紧邻者之间。所述行内绝缘材料及所述行间绝缘材料中的至少一者包含空隙空间。本发明专利技术揭示包括方法实施例的其它实施例。施例的其它实施例。施例的其它实施例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高度上延伸的晶体管、包含高度上延伸的晶体管的装置及形成包含高度上延伸的晶体管的装置的方法


[0001]本文中所揭示的实施例涉及高度上延伸的晶体管、包含高度上延伸的晶体管的装置及形成包含高度上延伸的晶体管的装置的方法。

技术介绍

[0002]存储器是一种类型的集成电路系统且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可被称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可被称为字线)来对存储器单元进行写入或读取。数字线可使沿阵列的列的存储器单元导电地互连，且存取线可使沿阵列的行的存储器单元导电地互连。可通过数字线及存取线的组合来唯寻址每一存储器单元。
[0003]存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在无电力时长时间存储数据。非易失性存储器通常特指具有至少约10年的保存时间的存储器。易失性存储器消耗且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保存时间。无论如何，存储器单元经配置以将存储器保存或存储为至少两种不同可选状态。在二进制系统中，所述状态被视为“0”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成装置的方法，其包含：形成包含高度上延伸的晶体管的行及列的阵列、使沿所述行中的个别者的所述高度上延伸的晶体管中的多者互连的存取线；所述晶体管个别地包含：上源极/漏极区域、下源极/漏极区域及高度上延伸在所述上源极/漏极区域与所述下源极/漏极区域之间的沟道区域；所述沟道区域包含氧化物半导体；及晶体管栅极，其可操作地横向上接近所述沟道区域，所述晶体管栅极包含所述存取线中的个别者的一部分；行内空隙空间纵向上介于所述高度上延伸的晶体管中的行内紧邻者之间；行间空隙空间横向上介于所述高度上延伸的晶体管的所述行中的紧邻者之间；及形成跨所述行内空隙空间的顶部桥接及跨所述行间空隙空间的顶部桥接且使所述行内空隙空间及所述行间空隙空间位于其下方的绝缘体材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述绝缘体材料包含：沉积所述绝缘体材料以覆盖所述行内空隙空间及所述行间空隙空间；及在所述沉积之后，至少高度上将所述绝缘体材料向后移除到所述上源极/漏极区域的顶部。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述移除形成所述绝缘体材料及所述上源极/漏极区域以具有平坦且共面的相应高度上最外表面。4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述高度上延伸的晶体管包含：形成沿所述个别行连续地成排延长的所述包含氧化物半导体沟道的材料、所述栅极绝缘体材料、所述存取线、所述下源极/漏极及所述上源极/漏极区域；及行内图案化包含氧化物半导体沟道的材料的线及所述上源极/漏极区域的线以形成所述个别晶体管的所述沟道区域及所述上源极/漏极区域。5.一种装置，其包含：阵列，其包含高度上延伸的晶体管的行及列；存取线，其使沿所述行中的个别者的所述高度上延伸的晶体管中的多者互连；所述晶体管个别地包含：上源极/漏极区域、下源极/漏极区域及高度上延伸在所述上源极/漏极区域与所述下源极/漏极区域之间的沟道区域；所述沟道区域包含氧化物半导体；及晶体管栅极，其可操作地横向上接近所述沟道区域，所述晶体管栅极包含所述存取线中的个别者的一部分；行内绝缘材料纵向上介于所述高度上延伸的晶体管中的行内紧邻者之间；行间绝缘材料横向上介于所述高度上延伸的晶体管的所述行中的紧邻者之间；且所述行内绝缘材料及所述行间绝缘材料中的至少一者包含空隙空间。6.根据权利要求5所述的装置，其中所述行内绝缘材料包含行内空隙空间。7.根据权利要求6所述的装置，其中所述行内紧邻晶体管具有纵向上介于最靠近可操作晶体管材料之间的相应最大行内分离距离，所述行内空隙空间沿所述相应最大行内分离距离的至少50％个别地纵向延伸。8.根据权利要求7所述的装置，其中所述行内空隙空间沿所述相应最大行内分离距离
的至少75％个别地纵向延伸。9.根据权利要求5所述的装置，其中所述行内绝缘材料包含行间空隙空间。10.根据权利要求5所述的装置，其中所述行内绝缘材料包含行内空隙空间且所述行间绝缘材料包含行间空隙空间。11.根据权利要求10所述的装置，其中所述行内空隙空间及所述行间空隙空间共同不完全包围所述晶体管中的个别者的所述沟道区域。12.根据权利要求5所述的装置，其中所述晶体管栅极位于所述沟道区域的两个对置侧上方。13.根据权利要求12所述的装置，其中所述晶体管栅极横向上包围所述沟道区域。14.根据权利要求12所述的装置，其中所述晶体管个别地包含：栅极绝缘体，其位于所述沟道区域的所述两个对置侧中的个别者上方，横向上介于所述沟道区域与所述晶体管栅极之间，所述沟道区域的所述两个对置侧个别地包含所述氧化物半导体，高度上伸长的空隙空间横向上介于所述沟道区域的所述两个对置侧之间。15.根据权利要求5所述的装置，其中所述晶体管高度上延伸为竖直或在竖直的10
°
内。16.一种高度上延伸的晶体管，其包含：上源极/漏极区域、下源极/漏极区域及高度上延伸在所述上源极/漏极区域与所述下源极/漏极区域之间的沟道区域；晶体管栅极，其位于所述沟道区域的两个对置侧上方，栅极绝缘体位于所述沟道区域的所述两个对置侧中的个别者上方，横向上介于所述沟道区域与所述晶体管栅极之间；且所述沟道区域的所述两个对置侧个别地包含氧化物半导体，高度上伸长的空隙空间横向上介于所述沟道区域的所述两个对置侧之间，所述氧化物半导体跨所述空隙空间的底部横向上延伸。17.根据权利要求16所述的晶体管，其中跨所述空隙空间的所述底部横向上延伸的所述氧化物半导体至少部分地位于所述栅极下方。18.根据权利要求17所述的晶体管，其中跨所述空隙空间的所述底部横向上延伸的所述氧化物半导体位于所述栅极下方的任何位置处。19.根据权利要求18所述的晶体管，其中跨所...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：