一种高压超快恢复二极管芯片及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种高压超快恢复二极管芯片及其制造方法，包括：1)、预清洗；2)、烘干；3)、光刻；4)、第一次刻槽：第一次腐蚀液按体积比配酸：H2SO4:HNO3:CH3COOH:HF＝9:9:12:4,把高阻硅单晶片上的沟槽腐蚀到120

【技术实现步骤摘要】
一种高压超快恢复二极管芯片及其制造方法


[0001]本专利技术属于芯片
，涉及一种深沟槽的制造方法，特别是一种高压超快恢复二极管芯片及其制造方法。

技术介绍

[0002]目前生产的超快恢复二极管芯片的总厚度220
±
5微米，沟槽深度145
±
5微米，现有的制造方法是：清洗
→
烘干
→
涂胶
→
前烘
→
曝光
→
显影
→
坚膜
→
刻槽
→
冲水
→
去胶
→
冲水
→
烘干；但由于扩散层浓度太高槽太深导致横向腐蚀厉害，有效台面积减小，只有60％左右，而且是负斜角，这样的芯片抗电流冲击差，承受的浪涌电流小，反向击穿电压低，正向电压高，而且给后工序光刻、电极制造都带来困难。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种通过两次分步腐蚀刻槽，根据不同掺杂层特性对应设计腐蚀工艺，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压超快恢复二极管芯片，包括高阻硅单晶片，其特征在于，所述高阻硅单晶片由上至下依次叠置正面电极层、高浓度扩散层、PN结、硅衬底层和背面电极层，所述PN结的外周形成钝化层，由所述高浓度扩散层至所述硅衬底层腐蚀形成沟槽，所述沟槽穿透所述高浓度扩散层、PN结，以及所述硅衬底层的上部分。2.如权利要求1所述的高压超快恢复二极管芯片，其特征在于，所述正面电极层与所述背面电极层的厚度相等，所述正面电极层与所述背面电极层的成分一致。3.如权利要求1所述的高压超快恢复二极管芯片，其特征在于，所述高浓度扩散层与所述硅衬底层的掺杂浓度不同，且掺杂浓度相差两个数量级以上，所述高浓度扩散层与所述硅衬底层之间结合形成PN结。4.如权利要求1所述的高压超快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)、预清洗：将高阻硅单晶片进行清洗处理；2)、烘干：将清洗好的高阻硅单晶片放入烘干设备内进行烘干；3)、光刻：将处理干净的高阻硅单晶片依次进行涂胶、前烘、曝光、显影及坚膜工序，刻出台面图形；4)、第一次刻槽：第一次腐蚀液按体积比配酸：H2SO4:HNO3:CH3COOH:HF＝9:9:12:4,把高阻硅单晶片上的沟槽腐蚀到120
±
5微米；5)、第二次刻槽：第二次腐蚀液按体积比配酸：HNO3:CH3COOH:HF＝5:3:3，把高阻硅单晶片上的沟槽腐蚀到145
±
5微米；6)、冲水去胶：将刻槽完成的高阻硅单晶片进行清洗去胶处理；7)...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓丽，王启进，马爱玲，高燕红，宋传利，
申请(专利权)人：临沂卓芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：