一种具有P型氧化镍材料的混合式肖特基势垒二极管结构制造技术

本发明专利技术为一种具有P型氧化镍材料的混合式肖特基势垒二极管结构。该结构包括：底部欧姆接触电极、N

【技术实现步骤摘要】
一种具有P型氧化镍材料的混合式肖特基势垒二极管结构


[0001]本专利技术涉及电力电子器件领域，尤其涉及一种具有P型氧化镍(p
‑
NiO)材料的混合式肖特基势垒二极管结构和制备方法。

技术介绍

[0002]功率半导体器件又称为电力电子器件，随着电力电子理论与技术的不断发展，以及在国家大力提倡节能的主题下，功率半导体器件作为能源转换的重要组成部分快速地在工业生产、电机设备、轨道交通、国防军事、航空航天、新能源系统以及日常生活等各领域获得广泛的关注与应用。最近几年，宽禁带半导体材料如SiC、GaN、Ga2O3等得到了众多研究人员的广泛关注，特别是GaN功率二极管的应用得到了充分的发展，日渐开始取代以Si为基底的功率二极管。一般来说，GaN肖特基势垒二极管由于低的开启电启(V
on
)和高的开关频率而引起人们的兴趣。然而，在高的外置反向电压下，由于镜像力引起的肖特基势垒降低效应会显著提升器件的漏电流，从而造成器件的过早击穿。因此，为了保持GaN肖特基势垒二极管良好正向特性的同时实现低的泄漏电流与高的击穿电压，混合结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有P型氧化镍材料的混合式肖特基势垒二极管结构，其特征为该器件为以下两种结构之一：第一种结构，该结构沿外延生长方向依次包括：底部欧姆接触电极、N
+
衬底、N
‑
漂移层，N
‑
漂移层上阵列图形分布有凸起结构，凸起结构为中间凸起的一阶台阶结构，凸起部分的N
‑
漂移层上为肖特基接触电极；非凸起部分的N
‑
漂移层上覆盖有p型层，p型层上表面的内侧部分为场板介质层，N
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漂移层凸起部分的侧壁也覆盖有场板介质层，且侧壁上的场板介质层高度高于肖特基接触电极0.1μm～2μm；未覆盖有场板介质层的p型层、场板介质层的侧壁和表面、肖特基接触电极的表面，覆盖有场板金属；或者，第二种结构，该结构沿外延方向依次为：底部欧姆接触电极、N
+
衬底、N
‑
漂移层，其中，N
‑
漂移层上阵列图形分布有凸起结构，凸起的两层台阶结构，第二层凸起的N
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漂移层上为肖特基接触电极；第一层凸起部分的N
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漂移层上覆盖有p型层；最底层的N
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漂移层沟槽表面、第一层、第二层台阶N
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漂移层的侧壁、p型层的侧壁，均为场板介质层；且N
‑
漂移层第二层凸起部分侧壁上的场板介质层高度高于肖特基接触电极0.1μm～2μm；p型层的上表面、肖特基接触电极的上表面、场板介质层的外表面均为场板金属。2.如权利要求1所述的具有P型氧化镍材料的混合式肖特基势垒二极管结构，其特征为第一种结构中，凸起部分N
‑
漂移层面积的投影面积为全部N
‑
漂移层面积的20～35％；未覆盖有场板介质层的p型层的面积是全部p型层面积的10～20％；所述的场板介质层的投影面积为p型层上表面面积的60～80％；第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：张紫辉，黄福平，张勇辉，楚春双，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：