光继电器制造技术

实施方式提供一种高频信号的传输损耗少的光继电器。实施方式的光继电器具备：聚酰亚胺基板，具有第一面和与第一面相反的一侧的第二面，厚度为10μm以上且120μm以下；第二面上的输入端子；第二面上的输出端子；第一面上的受光元件；受光元件上的发光元件；以及第一面上的MOSFET。上的MOSFET。上的MOSFET。

【技术实现步骤摘要】
光继电器
[0001]相关申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2019－219567号(申请日：2019年12月4日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及光继电器。

技术介绍

[0004]包含光耦合型绝缘电路的光继电器能够使用发光元件将输入电信号转换为光信号，在由受光元件受光之后输出电信号。因此，光继电器能够在输入输出间被绝缘的状态下传输电信号。
[0005]在检查半导体集成电路等的半导体测试器中大多使用交流负载用的光继电器。伴随着进一步的DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)等的宽带化的要求，要求使频率比几GHz更高的高频信号以低耗损通过的光继电器。
[0006]光继电器具有能够与输入电信号的接通/断开对应地进行使用了MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)的信号切换的输出电路。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光继电器，具备：聚酰亚胺基板，具有第一面和与所述第一面相反的一侧的第二面，厚度为10μm以上且120μm以下；所述第二面上的输入端子；所述第二面上的输出端子；所述第一面上的受光元件；所述受光元件上的发光元件；以及所述第一面上的MOSFET。2.如权利要求1所述的光继电器，其中，所述聚酰亚胺基板的厚度为10μm以上且100μm以下。3.如权利要求1或2...

【专利技术属性】
技术研发人员：刀祢馆达郎，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：